一種超硬可實(shí)現(xiàn)膜面朝下鋼化的Low-E玻璃的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及玻璃領(lǐng)域，尤其涉及一種超硬可實(shí)現(xiàn)膜面朝下鋼化的Low-E玻璃。
【背景技術(shù)】
[0002]鋼化玻璃是指將平板玻璃在加熱爐中加熱到接近玻璃的軟化溫度(700°C )時(shí)，通過(guò)自身的變形消除內(nèi)部應(yīng)力，然后將玻璃移出加熱爐，再用多頭噴嘴將高壓冷空氣吹向玻璃的兩面，使其迅速均勻地冷卻至室溫。這種玻璃處于內(nèi)部受拉，外部受壓的應(yīng)力狀態(tài)，一旦局部發(fā)生破損，便會(huì)發(fā)生應(yīng)力釋放，玻璃被破碎成無(wú)數(shù)小塊，這些小的碎片沒(méi)有尖銳棱角，不易傷人；目前國(guó)內(nèi)外建筑鋼化玻璃絕大多數(shù)是使用該方法，但使用物理鋼化的工藝加工Low-E玻璃時(shí)會(huì)出現(xiàn)膜面氧化、玻璃平整度差、局部色差等缺陷。
[0003]主要影響因素是，現(xiàn)有加熱系統(tǒng)加熱Low-E玻璃時(shí)，Low-E玻璃表面的膜層反射熱能，導(dǎo)致玻璃不易吸熱，造成玻璃上下表面加熱不勻，使玻璃產(chǎn)生翹曲，進(jìn)而產(chǎn)生各種質(zhì)量問(wèn)題，而且加工效率相對(duì)較低。
[0004]另外現(xiàn)有的Low-E玻璃在鋼化過(guò)程中，膜面需要朝上，鋼化溫度高，耗能大，成本高，如果膜面朝下鋼化的話，會(huì)出現(xiàn)劃傷等質(zhì)量缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種超硬可實(shí)現(xiàn)膜面朝下鋼化的Low-E玻璃，解決Low-E玻璃鋼化升溫慢、升溫不均的問(wèn)題，減少設(shè)備損害和改善Low-E玻璃鋼化品質(zhì)，降低鋼化成本。
[0006]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0007]一種超硬可實(shí)現(xiàn)膜面朝下鋼化的Low-E玻璃，包括玻璃基片，在玻璃基片的表面上從內(nèi)到外依次設(shè)置底層保護(hù)層、第一阻擋層、第一銀層、第二阻擋層、頂層保護(hù)層和超硬層O
[0008]優(yōu)選地，所述超硬層為氧化鋯膜層、氧化釔膜層、氮化鈦鋁(TiAlN)膜層中的一種或幾種的組合。
[0009]優(yōu)選地，所述超硬層的膜層厚度為5?40nm，更優(yōu)選為10?30nm，更優(yōu)選為10?25nm，最優(yōu)選為18nm。
[0010]優(yōu)選地，在第二阻擋層和頂層保護(hù)層之間從內(nèi)到外依次設(shè)置第二銀層和第四阻擋層O
[0011 ] 其中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際使用需要的顏色光譜，增加電介質(zhì)層。
[0012]優(yōu)選地，在底層保護(hù)層和第一阻擋層之間設(shè)有第一電介質(zhì)層；和/或在第二阻擋層和頂層保護(hù)層設(shè)置第二電介質(zhì)層。
[0013]優(yōu)選地，在底層保護(hù)層和第一阻擋層之間設(shè)置第一電介質(zhì)層；和/或在第二阻擋層與第二銀層之間從內(nèi)到外設(shè)置第二電介質(zhì)層和第三阻擋層；和/或在第四阻擋層與頂層保護(hù)層設(shè)置第三電介質(zhì)層。
[0014]優(yōu)選地，保護(hù)層(底層保護(hù)層、頂層保護(hù)層)為氧化硅膜層、氧化鈦膜層、氮化硅(SiNx)膜層中的一種或幾種的組合。底層保護(hù)層和頂層保護(hù)層可以相同也可以不相同。
[0015]優(yōu)選地，阻擋層(第一阻擋層、第二阻擋層、第三阻擋層、第四阻擋層)為NiCr膜層、氧化鎳鉻(NiCrOx)膜層、摻氮氧化鎳鉻(NiCrNxOy)膜層、氮化鉻(CrNx)膜層中的一種或幾種的組合。第一阻擋層、第二阻擋層、第三阻擋層和第四阻擋層可以相同也可以不相同。
[0016]優(yōu)選地，電介質(zhì)層(第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、第三電介質(zhì)層)為氧化鋅(ZnO)膜層、氧化鋅錫(ZnSnOx)膜層、AZO膜層、氧化鈮(NbOx)膜層中的一種或幾種的組合。第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層和第三電介質(zhì)層可以相同，也可以不相同。
[0017]優(yōu)選地，保護(hù)層(底層保護(hù)層、頂層保護(hù)層)的厚度為5?40nm。底層保護(hù)層和頂層保護(hù)層的厚度可以相同也可以不相同
[0018]優(yōu)選地，阻擋層(第一阻擋層、第二阻擋層、第三阻擋層、第四阻擋層)的厚度為0.5?5nm。第一阻擋層、第二阻擋層、第三阻擋層和第四阻擋層的厚度可以相同也可以不相同。
[0019]優(yōu)選地，電介質(zhì)層(第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、第三電介質(zhì)層)的厚度為10?40nm。第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層和第三電介質(zhì)層的厚度可以相同，也可以不相同。
[0020]優(yōu)選地，銀層(第一銀層、第二銀層)的厚度為5?40nm。第一銀層、第二銀層的厚度可以相同，也可以不相同。
[0021]本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)計(jì)獨(dú)特的膜層結(jié)構(gòu)，在最外層設(shè)置超硬層，可實(shí)現(xiàn)膜面朝下鋼化，解決Low-E玻璃鋼化升溫慢、升溫不均，減少設(shè)備損害和改善Low-E玻璃鋼化品質(zhì)，降低鋼化溫度，節(jié)能降耗，降低鋼化成本。本實(shí)用新型的Low-E玻璃表面無(wú)劃傷，平整度好、無(wú)局部色差。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為實(shí)施例1提供的超硬可實(shí)現(xiàn)膜面朝下鋼化的Low-E玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為實(shí)施例2提供的超硬可實(shí)現(xiàn)膜面朝下鋼化的Low-E玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]附圖中，底層保護(hù)層1、第一電介質(zhì)層2、第一阻擋層3、第一銀層4、第二阻擋層5、第二電介質(zhì)層6、第三阻擋層7、第二銀層8、第四阻擋層9、第三電介質(zhì)層10、頂層保護(hù)層
11、超硬層12、玻璃基片13。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面參照附圖，結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明，以更好地理解本實(shí)用新型。
[0026]實(shí)施例1
[0027]參照?qǐng)D1，本實(shí)施例給出了一種超硬可實(shí)現(xiàn)膜面朝下鋼化的Low-E玻璃，在玻璃基片13的表面上從內(nèi)到外依次設(shè)置底層保護(hù)層1、第一阻擋層3、第一銀層4、第二阻擋層5、頂層保護(hù)層11和超硬層12。
[0028]其中，底層保護(hù)層I為氮化娃(SiNx)膜層，厚度為30nm。第一阻擋層3為NiCr膜層，厚度2nm。第一銀層4厚度為12nm。第二阻擋層5為NiCr膜層，厚度2nm。頂層保護(hù)層11為SiNJ莫層，厚度為35nm?超硬層12為ZrO: Y 203膜層，厚度為30nm?
[0029]其制備方法依次進(jìn)行如下步驟:
[0030]I) 6_超白玻璃經(jīng)純凈水清洗烘干后進(jìn)入真空鍍膜室。
[0031]2)中頻反應(yīng)濺射硅鋁靶，制備SiNJl:設(shè)定功率70KW，氬氣和氮?dú)饣旌蠚夥諡R射，Ar:N2 = 5:1，氣壓 5X 10 -4mbar，膜層厚度 30nm。
[0032]3)直流電源磁控濺射平面NiCr革巴，制備NiCr層:設(shè)定功率2KW，電流15A，純氬氣派射，氣壓5 X lCT4mbar，走速5m/min，NiCr層厚度2nm。
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