述方法實現(xiàn)。
[0036]相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種交流驅(qū)動QLED的制備方法，包括以下步驟:
[0037]S01.提供陽極層基板，在所述陽極層基板上沉積第一介電層；
[0038]S02.在所述第一介電層上依次沉積第一 p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、量子點發(fā)光層、第二 P-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、第二介電層和陰極層。
[0039]具體的，上述步驟SOl中，在所述陽極層基板上沉積第一介電層前，為了保證所述第一介電層的沉積效果，優(yōu)選對所述陽極層基板進行清洗。作為具體優(yōu)選實施例，所述清洗為:將所述陽極層基板依次浸泡在丙酮、洗液、去離子水和異丙醇中對其進行超聲波清洗，每次超聲清洗時間不少于15分鐘，清洗結(jié)束后將基板取出至于干凈的烘箱中干燥備用。
[0040]在所述陽極層基板上沉積第一介電層的方法可以有多種。作為優(yōu)選實施例，沉積第一介電層以及后續(xù)沉積所述第二介電層的方法均可選自磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、脈沖激光沉積以及陽極氧化法中的一種。作為一個具體實施例，以磁控濺射氧化鉿介電層為例，其方法可為:將洗凈的所述陽極層基板置于5*10 3Hibar的高純氬氣氣氛中，以2埃/秒的速度進行磁控濺射。
[0041]上述步驟S02中，所述第一 p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、所述第二 p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層分別包括層疊設(shè)置的P型電荷產(chǎn)生層和η型電荷產(chǎn)生層，因此，需分別制備ρ型電荷產(chǎn)生層和η型電荷產(chǎn)生層。
[0042]其中，所述ρ型電荷產(chǎn)生層的制備方法方法可采用溶液法和真空蒸鍍法中的一種。作為一個具體實施例，采用溶液法制備所述P型電荷產(chǎn)生層時，可將空穴傳輸材料與P型摻雜劑直接在液態(tài)條件下直接混合，然后成膜處理，所述成膜處理的方式包括但不限于旋涂或打印方式。作為一個具體實施例，采用真空蒸鍍法制備所述P型電荷產(chǎn)生層時，采用共蒸鍍的方法將空穴傳輸材料與摻P型摻雜劑進行熱沉積。沉積完畢后，將得到的P型電荷產(chǎn)生層膜進行熱處理去除多余的水分，所述熱處理的方法具體可為:在120-180°C如150°C條件下，加熱5-15min如lOmin。
[0043]與所述ρ型電荷產(chǎn)生層的制備方法類似，所述η型電荷產(chǎn)生層的制備方法方法可采用溶液法和真空蒸鍍法中的一種。作為一個具體實施例，當采用中的ZnO納米顆粒作為所述η型電荷產(chǎn)生層，其制備方法優(yōu)選為:將所述ZnO納米顆粒溶解在不腐蝕所述ρ型電荷產(chǎn)生層材料的溶劑如丙酮中，其中所述ZnO納米顆粒的濃度可為12-18mg/mL-如15mg/mL，成膜處理后獲得η型電荷產(chǎn)生層膜，所述成膜處理優(yōu)選但不限于旋涂成膜。將所述η型電荷產(chǎn)生層膜進行熱處理去除ZnO納米顆粒中的有機物質(zhì)，所述熱處理的方法具體可為:在100-150。。如 120°C條件下，加熱 5-15min 如 1min0
[0044]本發(fā)明實施例中，所述量子點發(fā)光層材料的沉積可采用本領(lǐng)域常規(guī)方法實現(xiàn)。作為優(yōu)選實施例，以溶液法制備所述量子點發(fā)光層。具體的，其方法為:將量子點材料均勻分散在溶劑中，形成穩(wěn)定的膠體溶液，成膜后對量子點進行熱處理以除去多余的溶劑。具體以紅色量子點的旋涂沉積為例，制膜的時候，將紅色量子點以15mg/ml的濃度分散在甲苯中，以2000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂量子點溶液即可得到一層40nm左右的量子點發(fā)光層，隨后80°C加熱10分鐘除去多余的溶劑。
[0045]本發(fā)明實施例所述陰極層的沉積，可采用本領(lǐng)域常規(guī)方法實現(xiàn)。作為具體實施例，所述陰極層的沉積方法為:沉積完所述第二介電層后，轉(zhuǎn)至高真空鍍倉(氣壓小于1*10 6mbar)內(nèi)，通過掩膜板沉積一層10nm以上的金屬電極。其中，金屬的蒸發(fā)速度控制通過調(diào)節(jié)蒸發(fā)舟上的功率來實現(xiàn)，其速度不能超過10埃/秒，以免損害上一層材料。
[0046]進一步的，可對沉積完陰極層后的交流驅(qū)動QLED進行封裝處理。所述封裝處理可以為:在所述陰極層上均勻涂覆一層環(huán)氧樹脂，蓋上蓋玻片后將器件放入紫外固化爐中固化處理。
[0047]本發(fā)明實施例提供的交流驅(qū)動QLED的制備方法，工藝簡單、可控，且得到的QLED器件穩(wěn)定性高，易于實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
[0048]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種交流驅(qū)動QLED，包括陽極層、量子點發(fā)光層和陰極層，其特征在于，還包括介電層第一介電層、第二介電層、第一 P-η結(jié)型電荷產(chǎn)生層和第二 P-η結(jié)型電荷產(chǎn)生層，所述第一介電層、第一 p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、量子點發(fā)光層、第二 p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、第二介電層和所述陰極層依次層疊設(shè)置在所述陽極層上， 其中，所述第一 P-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、第二 p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層均包括層疊設(shè)置的P型電荷產(chǎn)生層和η型電荷產(chǎn)生層，且所述量子點發(fā)光層上下表面分別層疊所述P型電荷產(chǎn)生層和所述η型電荷產(chǎn)生層；或 所述量子點發(fā)光層上下表面分別層疊所述η型電荷產(chǎn)生層和所述P型電荷產(chǎn)生層。2.如權(quán)利要求1所述的交流驅(qū)動QLED，其特征在于，所述第一介電層、第二介電層的介電常數(shù)為1-50。3.如權(quán)利要求2所述的交流驅(qū)動QLED，其特征在于，所述第一介電層、第二介電層由金屬氧化物制成。4.如權(quán)利要求3所述的交流驅(qū)動QLED，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化娃、氧化鋁、氧化鉿、氧化鉭中的至少一種。5.如權(quán)利要求1-4任一所述的交流驅(qū)動QLED，其特征在于，所述第一介電層和/或第二介電層的厚度范圍為20-500nm。6.如權(quán)利要求1-4任一所述的交流驅(qū)動QLED，其特征在于，所述P型電荷產(chǎn)生層和/或所述η型電荷產(chǎn)生層的厚度范圍為5-50nm。7.如權(quán)利要求1-4任一所述的交流驅(qū)動QLED，其特征在于，所述P型電荷產(chǎn)生層為空穴迀移率〉10 4cm2/(V.S)的P型半導(dǎo)體材料；和/或 所述η型電荷產(chǎn)生層為電子迀移率> 10 4cm2/(V.S)的η型半導(dǎo)體材料。8.如權(quán)利要求1-4任一所述的交流驅(qū)動QLED，其特征在于，還包括空穴阻擋層和電子阻擋層，且所述空穴阻擋層層疊設(shè)置在所述量子點發(fā)光層和所述η型電荷產(chǎn)生層之間，所述電子阻擋層層疊設(shè)置在所述量子點發(fā)光層和所述P型電荷產(chǎn)生層之間。9.一種如權(quán)利要求1-8任一所述交流驅(qū)動QLED的制備方法，包括以下步驟: 提供陽極層基板，在所述陽極層基板上沉積第一介電層； 在所述第一介電層上依次沉積第一 P-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、量子點發(fā)光層、第二 p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、第二介電層和陰極層。10.如權(quán)利要求10所述交流驅(qū)動QLED的制備方法，其特征在于，沉積第一介電層、所述第二介電層的方法分別選自磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、脈沖激光沉積以及陽極氧化法中的一種；和/或 沉積所述第一 P-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、第二 P-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層的方法分別為溶液法和真空蒸鍍法中的一種。
【專利摘要】本發(fā)明適用于量子點二極管發(fā)光領(lǐng)域，提供了一種交流驅(qū)動QLED及其制備方法。所述交流驅(qū)動QLED包括陽極層、量子點發(fā)光層和陰極層，還包括第一介電層、第二介電層、第一p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層和第二p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層，所述第一介電層、第一p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、量子點發(fā)光層、第二p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、第二介電層和所述陰極層依次層疊設(shè)置在所述陽極層上，其中，所述第一p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層、第二p-n結(jié)型電荷產(chǎn)生層均包括層疊設(shè)置的p型電荷產(chǎn)生層和n型電荷產(chǎn)生層，且所述量子點發(fā)光層上下表面分別層疊所述p型電荷產(chǎn)生層和所述n型電荷產(chǎn)生層；或所述量子點發(fā)光層上下表面分別層疊所述n型電荷產(chǎn)生層和所述p型電荷產(chǎn)生層。
【IPC分類】H01L51/52, H01L51/56, H01L51/50
【公開號】CN105161629
【申請?zhí)枴緾N201510509338
【發(fā)明人】肖標, 付東, 謝相偉
【申請人】Tcl集團股份有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年8月18日