作為調平劑的含有苯并咪唑部分的聚合物的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明針對作為電鍛組合物的調平劑的含有苯并咪挫部分的聚合物。更具體來 說，本發(fā)明針對作為電鍛組合物的調平劑的含有苯并咪挫部分的聚合物，其具有良好熱可 靠性和均鍛能力。
【背景技術】
[0002] 用金屬涂料電鍛物品的方法一般設及在鍛覆溶液中的兩個電極之間通電流，其中 一個電極是待鍛覆的物品。典型酸性銅鍛覆溶液包含溶解的銅(通常硫酸銅）、足W賦予浴 液導電性的量的酸電解質（例如硫酸）W及改進鍛覆均勻性和金屬沉積物質量的專用添加 劑。此類添加劑尤其包括加速劑、調平劑W及抑制劑。
[0003] 電解銅鍛覆溶液用于多種工業(yè)應用（例如裝飾和防腐蝕涂層）W及電子行業(yè)，尤其 用于制造印刷電路板和半導體。對于電路板制造，在印刷電路板表面的所選部分上將銅電 鍛到盲通道中和穿過電路板基底材料的表面之間的通孔壁上。首先例如通過無電極金屬沉 積使通孔壁導電，隨后將銅電鍛到通孔壁上。經鍛覆通孔提供從一個板表面到另一個板表 面的導電路徑。對于半導體制造，將銅電鍛在含有多種特征(例如通道、溝槽或其組合)的晶 片表面上。將通道和溝槽金屬化，W提供半導體裝置的各個層之間的導電性。
[0004] 在特定鍛覆領域中，例如在電鍛印刷電路板（"PCB")的領域中，眾所周知在電鍛浴 中使用加速劑和/或調平劑在實現襯底表面上的均勻金屬沉積方面可能是關鍵的。鍛覆具 有不規(guī)則表面形態(tài)的襯底可能造成具體困難。在電鍛期間，沿著不規(guī)則表面通常存在電壓 降變化，其可能導致不平坦的金屬沉積。鍛覆不規(guī)則性在電壓降變化相對極端處（即在表面 不規(guī)則性顯著處)加劇。因此，在此類表面不規(guī)則處觀測到較厚金屬沉積，稱為過度鍛覆。因 此，沉積基本上均勻厚度的金屬層常常是電子裝置制造中具有挑戰(zhàn)性的步驟。調平劑常常 用于銅鍛覆浴W在電子裝置中提供基本上均勻或齊平的銅層。
[0005] 與電子裝置功能性提高相組合的便攜趨勢已驅使PCB小型化。具有通孔互連通道 的慣用多層PCB并非總是實用解決方案。已開發(fā)用于高密度互連件的替代方法，例如利用盲 通道的連續(xù)累積技術。使用盲通道的方法中的一個目標為使通道填充達到最大，同時使跨 越襯底表面的銅沉積物的厚度變化減到最少。運在PCB含有通孔和盲通道兩個時尤其具有 挑戰(zhàn)性。
[0006] -般來說，用于銅鍛覆浴中的調平劑提供跨越襯底表面的沉積物的更好的調平， 但往往會損害電鍛浴的均鍛能力。均鍛能力被定義為孔中屯、銅沉積物厚度與其表面處厚度 的比率。制造含有通孔和盲通道兩個的較新PCB。當前的浴液添加劑(具體來說當前的調平 劑)并不會在襯底表面提供齊平銅沉積物并且不會有效填充通孔和盲通道。因此，本領域中 仍然需要用于制造PCB的銅電鍛浴的調平劑，其提供齊平銅沉積物，同時不會明顯影響浴液 的均鍛能力。

【發(fā)明內容】

[0007] -種聚合物，其包括具有一個或多個二面素和一種或多種具有下式的化合物的反 應產物：
[000引
[0009] 其中環(huán)A和環(huán)B的Ri、R2和R3可W相同或不同并且為氨、硫醇、直鏈或分支鏈硫基 (扣-Cl2)烷基、徑基、直鏈或分支鏈徑基(&-C12)烷基、胺、直鏈或分支鏈烷基(扣-Cl2)胺、直 鏈或分支鏈(Ci-Cu)烷基、烷氧基、直鏈或分支鏈烷氧基(Ci-Cu)烷基或經取代或未經取代 的芳基，其限制條件為式（I)化合物中的至少一個與所述一個或多個二面素反應形成所述 反應產物，環(huán)A或環(huán)B的R2和R3與其碳原子一起形成稠合經取代或未經取代的六元芳香族環(huán)； W及R為(C廣Ci2)烷基、酸部分、聚酸部分、幾基、>C = S、>C = NH、經取代或未經取代的芳基 或經取代或未經取代的環(huán)烷基。
[0010] -種金屬電鍛組合物，其包括:一種或多種金屬離子源、電解質和一種或多種聚合 物，所述一種或多種聚合物包括一個或多個二面素與一種或多種具有下式的化合物的反應 產物：
[0011]
[0012] 其中環(huán)A和環(huán)B的Ri、R2和R3可W相同或不同并且為氨、硫醇、直鏈或分支鏈硫基 (扣-Cl2)烷基、徑基、直鏈或分支鏈徑基(Cl-Cu)烷基、胺、直鏈或分支鏈烷基(扣-Cl2)胺、直 鏈或分支鏈(Ci-Cu)烷基、烷氧基、直鏈或分支鏈烷氧基(Ci-Cu)烷基或經取代或未經取代 的芳基，其限制條件為式（I)化合物中的至少一個與所述一個或多個二面素反應形成所述 反應產物，環(huán)A或環(huán)B的R2和R3與其碳原子一起形成稠合經取代或未經取代的六元芳香族環(huán)； W及R為(Ci-Cu)烷基、酸部分、聚酸部分、幾基、>C = S、>C = NH、經取代或未經取代的芳基 或經取代或未經取代的環(huán)烷基。
[0013] 方法包括使打算金屬鍛覆的襯底與包括W下的金屬電鍛組合物接觸：金屬離子 源、電解質W及一種或多種聚合物，所述一種或多種聚合物包括一個或多個二面素與一種 或多種具有下式的化合物的反應產物：
[0014
[0015] 其中環(huán)A和環(huán)B的Ri、R2和R3可W相同或不同并且為氨、硫醇、直鏈或分支鏈硫基 (扣-Cl2)烷基、徑基、直鏈或分支鏈徑基(&-C12)烷基、胺、直鏈或分支鏈烷基(扣-Cl2)胺、直 鏈或分支鏈(Ci-Cu)烷基、烷氧基、直鏈或分支鏈烷氧基(Ci-Cu)烷基或經取代或未經取代 的芳基，其限制條件為式（I)化合物中的至少一個與所述一個或多個二面素反應形成所述 反應產物，環(huán)A或環(huán)B的R2和R3與其碳原子一起形成稠合經取代或未經取代的六元芳香族環(huán)； W及R為(C廣Ci2)烷基、酸部分、聚酸部分、幾基、>C = S、>C = NH、經取代或未經取代的芳基 或經取代或未經取代的環(huán)烷基；W及將金屬鍛覆在所述襯底上。
[0016] 聚合物在整個襯底上，甚至在具有小特征的襯底上和在具有多種特征尺寸的襯底 上提供具有基本上齊平表面的金屬層。根據所述方法沉積的金屬層的熱穩(wěn)定性相比于來自 使用常規(guī)調平劑的電鍛浴的金屬沉積物的熱穩(wěn)定性有所改進。此外，所述方法有效地使金 屬沉積在通孔和盲通道孔中W使得金屬鍛覆組合物具有良好均鍛能力。
【具體實施方式】
[0017] 如本說明書通篇所用，除非上下文另作明確指示，否非W下縮寫應具有W下含義： A =安培;A/dm2 =安培每平方分米=ASD; °C =攝氏度；g =克;mg =毫克;ppm=百萬分率； = ；L = 5^ = ;Wii = l^3it(niicron/micrometer) ；mm = ^7|t ； em = JM 米;DI =去離子;mL =毫升;Mw =重量平均分子量；W及Mn =數目平均分子量；W及v/v =體 積比體積。除非另外指出，否則所有量都是重量百分比。所有數值范圍都是包括性的并且可 按任何順序組合，但顯然運類數值范圍限于總計100%。
[0018] 如本說明書通篇所用，"特征"是指襯底上的幾何結構。"孔口"是指包括通孔和盲 通道的凹陷特征。如本說明書通篇所用，術語"鍛覆"是指金屬電鍛。術語"部分"意思是可W 包括整個官能團或官能團的部分作為子結構的分子或聚合物的一部分。"沉積"和"鍛覆"在 本說明書通篇中可互換使用。"面化物"是指氣化物、氯化物、漠化物和艦化物。"加速劑"是 指提高電鍛浴的鍛覆速率的有機添加劑。"抑制劑"是指在電鍛期間抑制金屬鍛覆速率的有 機添加劑。"調平劑"是指能夠提供實質上齊平或平坦的金屬層的有機化合物。術語"調平劑 Qeveler和leveling agent)"在本說明書通篇中可互換使用。術語"印刷電路板"和"印刷 布線板"在本說明書通篇中可互換使用。冠詞"一個(種r是指單數和復數。
[0019] -種聚合物，其為具有一個或多個二面素和一種或多種具有下式的化合物的反應 產物：
[0020
[0021] 其中環(huán)A和環(huán)B的Ri、R2和R3可W相同或不同并且為氨、硫醇、直鏈或分支鏈硫基 (Ci-Cu)烷基、徑基、直鏈或分支鏈徑基(Ci-Cu)烷基、胺(例如伯胺、仲胺或叔胺）、直鏈或分 支鏈烷基(扣-Ci2)胺、直鏈或分支鏈(Ci-Cu)烷基、烷氧基、直鏈或分支鏈烷氧基(Ci-Cu)燒 基或經取代或未經取代的芳基，其限制條件為式（I)化合物中的至少一個與所述一個或多 個二面素反應形成所述反應產物，環(huán)A或環(huán)B的R2和R3與其碳原子一起形成稠合經取代或未 經取代的六元芳香族環(huán);優(yōu)選地，環(huán)A的R2和R3與環(huán)B的R2和R3為稠合經取代或未經取代的六 元環(huán)；方R責且有下立的郁分；
[0022]
[0023] 其中r為整數1到10、酸部分、聚酸部分、幾基、>C = S、>C