一種提高lpcvd沉積膜均勻性的載片舟的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于LPCVD沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種LPCVD沉積設(shè)備的載片舟。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體工藝特征尺寸的減小，對(duì)薄膜的均勻性要求及膜厚的誤差要求不斷提高，LPCVD技術(shù)不僅用于制備硅外延層，還廣泛用于各種無定形鈍化膜及多晶薄膜的沉積，是一種重要的薄膜淀積技術(shù)。從LPCVD沉積原理可知，參與反應(yīng)的氣體，由于壓力差的作用，從爐管一端流向另一端，有一部分將被吸附在晶片表面上，借助溫度的作用，沉積反應(yīng)將會(huì)發(fā)生。傳統(tǒng)的LPCVD載片舟只由兩根帶槽的圓棒組成，因此，晶圓片全部裸露在外，沉積薄膜厚度從反應(yīng)氣體進(jìn)入的方向到反應(yīng)氣體排出的方向由厚到薄分布，難以保證沉積薄膜厚度的一致性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，可使LPCVD反應(yīng)腔中的氣體均勻的進(jìn)入載片舟中，使得沉積薄膜厚度一致，以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0005]一種提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，包括載片支架，其特征在于:所述載片支架位于一殼體內(nèi)，所述殼體上均勾分布有通孔。
[0006]在本實(shí)用新型【具體實(shí)施方式】中，所述殼體為筒狀殼體，所述筒狀殼體殼身和兩端的端蓋上均均勻分布有通孔。
[0007]所述通孔為圓孔，孔徑優(yōu)選5mm。
[0008]所述殼身的底部還具有支撐腳。所述支撐腳為一對(duì)長條型支撐腳。
[0009]所述載片支架由一對(duì)圓柱構(gòu)成，所述一對(duì)圓柱上分布有對(duì)稱的凹槽。
[0010]所述凹槽寬度為1mm，所述凹槽間距為5mm。
[0011]所述殼體的材質(zhì)為石英或碳化硅。
[0012]為了保證殼身與兩端的端蓋的拼接，端蓋的內(nèi)徑與殼身的外徑相同。這樣可方便的將兩端的端蓋與殼身進(jìn)行組合，并且兩端的端蓋通用，方便了操作。
[0013]本實(shí)用新型的載片舟用于LPCVD沉積工藝中，沉積氣體可從兩端的端蓋和殼身上分布的圓孔均勻地進(jìn)入載片舟，可使載片支架上晶圓片沉積膜片與片之間、一片上中間和周圍的沉積厚度一致。本實(shí)用新型的載片舟在半導(dǎo)體體晶圓沉積生產(chǎn)中使用非常方便，保證了沉積膜的一致性。
【附圖說明】
[0014]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0015]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)立體示意圖；
[0016]圖中:100-殼體，101-殼身，102-端蓋，103-圓孔，200-載片支架，201-圓柱，202-凹槽，300-支撐腳。
【具體實(shí)施方式】
[0017]如圖1所示，本實(shí)用新型的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，包括殼體100和載片支架200。
[0018]其中，殼體100為筒狀殼體，材質(zhì)為石英或碳化硅。由殼身101和兩端的端蓋102組裝而成。殼身101和兩端的端蓋102上均均勻分布有圓孔103，圓孔103的孔徑為5mm。
[0019]為了保證殼身101與兩端的端蓋102的拼接，端蓋102的內(nèi)徑與殼身101的外徑相同。這樣可方便的將兩端的端蓋102與殼身101進(jìn)行組合，并且兩端的端蓋通用，方便了操作。
[0020]載片支架200放置在殼體100內(nèi)，在打開端蓋時(shí)，可以從殼體200中去除載片支架200。
[0021]載片支架200由一對(duì)圓柱201構(gòu)成，該一對(duì)圓柱201上分布有對(duì)稱的凹槽202。凹槽寬度為1mm，凹槽間距為5mm。
[0022]另外，在殼身101的底部還具有支撐腳300。該支撐腳300為一對(duì)長條型支撐腳。
[0023]以上就是本實(shí)用新型的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，該載片舟用于LPCVD沉積工藝中，沉積氣體可從兩端的端蓋和殼身上分布的圓孔均勻地進(jìn)入載片舟，可使載片支架上晶圓片沉積膜片與片之間、一片上中間和周圍的沉積厚度一致。本實(shí)用新型的載片舟在半導(dǎo)體體晶圓沉積生產(chǎn)中使用非常方便，保證了沉積膜的一致性。
[0024]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，若在不脫離本實(shí)用新型所提出的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)，利用本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容所作出的局部更動(dòng)或修飾的等效實(shí)施例，并且未脫離本實(shí)用新型的技術(shù)特征內(nèi)容，均仍屬本實(shí)用新型技術(shù)特征的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，包括載片支架，其特征在于:所述載片支架位于一殼體內(nèi)，所述殼體上均勾分布有通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，其特征在于:所述殼體為筒狀殼體，所述筒狀殼體的殼身和兩端的端蓋上均均勻分布有通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，其特征在于:所述通孔為圓孔，孔徑為5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，其特征在于:所述殼身的底部還具有支撐腳。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，其特征在于:所述支撐腳為一對(duì)長條型支撐腳。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，其特征在于:所述載片支架由一對(duì)圓柱構(gòu)成，所述一對(duì)圓柱上分布有對(duì)稱的凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，其特征在于:所述凹槽寬度為1mm，所述凹槽間距為5mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，其特征在于:所述端蓋的內(nèi)徑與所述殼身的外徑相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，其特征在于:所述殼體的材質(zhì)為石英或碳化硅。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種提高LPCVD沉積膜均勻性的載片舟，包括載片支架，所述載片支架位于一殼體內(nèi)，所述殼體上均勻分布有通孔。本實(shí)用新型的這種載片舟可使LPCVD反應(yīng)腔中的氣體均勻的進(jìn)入載片舟中，使得沉積薄膜厚度一致。
【IPC分類】C23C16-458
【公開號(hào)】CN204325496
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420764916
【發(fā)明人】丁波, 李軼, 陳瀚, 侯金松
【申請(qǐng)人】上海微世半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2014年12月5日