一種輸入過欠壓保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED電源技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及用于LED燈的一種輸入過欠壓保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]驅(qū)動電路接近過壓點(diǎn)時啟動會出現(xiàn)連續(xù)啟動問題或無法啟動問題，啟動后過壓點(diǎn)又遠(yuǎn)大于直接啟動時的電壓，例如AC直接輸入300V電源就保護(hù)，但如果電源從低電壓啟動后再調(diào)到過壓點(diǎn)時過壓點(diǎn)遠(yuǎn)大于300V (傳統(tǒng)電路是320V))同時無低壓欠壓保護(hù)功能，導(dǎo)致電壓過低時MOS管承受過大的峰值電流，降低了使用壽命或爆機(jī)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中保護(hù)電路結(jié)構(gòu)不佳導(dǎo)致MOS管壽命下降的問題。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，包括:整流單元電路、欠壓單元電路、過壓單元電路、NPN型三極管、MOS管和脈沖驅(qū)動電路；所述NPN型三極管，其基極端與所述整流單元電路的輸出端連接，其集電極端與所述MOS管的柵極端連接，其發(fā)射極端接地；所述欠壓單元電路，其輸入端與所述整流單元電路的輸出端連接，其輸出端與所述NPN型三極管的基極端連接；所述過壓單元電路，其輸入端與所述整流單元電路的輸出端連接，其輸出端與所述NPN型三極管的基極端連接；所述MOS管，其柵極端與所述整流單元電路的輸出端連接，其漏極端與脈沖驅(qū)動電路連接，其源極端接地。
[0005]優(yōu)選地，所述整流單元電路與所述NPN型三極管之間還串聯(lián)有第一電阻，以及與所述第一電阻并聯(lián)的第一電容。
[0006]優(yōu)選地，所述NPN型三極管為第一 NPN型三極管管；所述欠壓單元電路至少由第一穩(wěn)壓管和第二 NPN型三極管構(gòu)成；所述第一穩(wěn)壓管，其負(fù)極端作為所述欠壓單元電路的輸入端，其正極端與所述第二 NPN型三極管的基極端連接；所述第二 NPN型三極管，其集電極端作為所述欠壓單元電路的輸入端，其發(fā)射極端接地。
[0007]優(yōu)選地，所述過壓單元電路至少由第二穩(wěn)壓管和PNP型三極管構(gòu)成；所述第二穩(wěn)壓管，其負(fù)極端作為所述過壓單元電路的輸入端，其正極端與所述PNP型三極管的基極端連接；所述PNP型三極管，其發(fā)射極連接所述過壓單元電路的輸出端，其集電極端接地。
[0008]優(yōu)選地，所述整流單元電路為橋式整流電路，其輸出端通過依次連接的二極管、第二電阻、第三電阻連接所述MOS管、NPN型三極管、過壓單元電路、欠壓單元電路；其中，所述二極管正接。
[0009]優(yōu)選地，所述第三電阻和所述MOS管之間串聯(lián)有第四電阻。
[0010]優(yōu)選地，所述整流單元電路的輸出端連接有接地的第二電容。
[0011]優(yōu)選地，所述二極管的負(fù)極端連接有接地的極性電容；所述極性電容的正極端與所述二極管的負(fù)極端連接，其負(fù)極端接地。
[0012]優(yōu)選地，所述第三電阻與所述MOS管、NPN型三極管、過壓單元電路、欠壓單元電路連接的一端接有接地的第三電容，以及第一下拉電阻。
[0013]優(yōu)選地，所述MOS管的柵極端接有第二下拉電阻。
[0014]本實(shí)用新型得到的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，利用穩(wěn)壓管和三極管構(gòu)成過壓單元電路和欠壓單元電路，確保了保護(hù)電路電路的正常運(yùn)行，并且保證了驅(qū)動電路的使用壽命，這些技術(shù)的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，成本低，避免了連續(xù)啟動和無法啟動的問題。
【附圖說明】
[0015]圖1是實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖。
[0016]圖中:部件名稱編號，整流單元電路BD1、欠壓單元電路ZQ1、過壓單元電路ZQ2、第一 NPN型三極管Ql、MOS管Q4、脈沖驅(qū)動電路PWM、第一電阻R3、第一電容Cl、第一穩(wěn)壓管ZD3、第二 NPN型三極管Q2、第二穩(wěn)壓管ZD4、PNP型三極管Q3、二極管Dl、第二電阻Rl、第三電阻R2、第四電阻R4、第二電容CBB1、極性電容EC1、第三電容C2，、第一下拉電阻R6、第二下拉電阻R5、地GND。
【具體實(shí)施方式】
[0017]首先對本實(shí)用新型的主要思想進(jìn)行簡要說明:
[0018]AC-DC過壓保護(hù)(雷擊浪涌)電路如圖1，在單級PFC電路中交流電經(jīng)整流后成94-120HZ的饅頭波，為滿足全電壓要求設(shè)計者往往會以更低的輸入電壓設(shè)計，從而導(dǎo)致低壓時MOS管承受較大的峰值電流，溫升升高常期工作可能會爆機(jī)，加入該電路后可設(shè)定最低輸入電壓，當(dāng)分壓低于ZD3設(shè)定值或分壓高于ZD4時關(guān)閉驅(qū)動，在ZD3、ZD4窗口范圍內(nèi)時正常工作，同時該過壓保護(hù)電路在瞬態(tài)輸入時與傳統(tǒng)的過壓保護(hù)電路相比可防止因接近過壓點(diǎn)啟動時連續(xù)啟動，傳統(tǒng)電路未接CI電容，導(dǎo)致接近過壓點(diǎn)時啟動會出現(xiàn)連續(xù)啟動問題或無法啟動問題，接入Cl電容后啟動瞬間高頻信號經(jīng)Cl電容使Ql導(dǎo)通電路正常啟動，解決接近過壓點(diǎn)時電路連續(xù)問題，在雷擊浪涌時有效的起到輔助作用(雷擊瞬間因過壓起作用)。
[0019]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0020]實(shí)施例:
[0021]如圖1所示，公開了一種輸入過欠壓保護(hù)電路，包括:整流單元電路BD1、欠壓單元電路ZQl、過壓單元電路ZQ2、NPN型三極管QUMOS管Q4和脈沖驅(qū)動電路PffM ;所述NPN型三極管Ql，其基極端與所述整流單元電路BDl的輸出端連接，其集電極端與所述MOS管Q4的柵極端連接，其發(fā)射極端接地GND ;所述欠壓單元電路ZQ1，其輸入端與所述整流單元電路BDl的輸出端連接，其輸出端與所述NPN型三極管Ql的基極端連接；所述過壓單元電路ZQ2，其輸入端與所述整流單元電路BDl的輸出端連接，其輸出端與所述NPN型三極管Ql的基極端連接；所述MOS管Q4，其柵極端與所述整流單元電路BDl的輸出端連接，其漏極端與脈沖驅(qū)動電路PWM連接，其源極端接地GND。
[0022]本實(shí)用新型得到的一種輸入過欠壓保護(hù)電路，利用穩(wěn)壓管和三極管構(gòu)成過壓單元電路和欠壓單元電路，確保了保護(hù)電路電路的正常運(yùn)行，并且保證了驅(qū)動電路的使用壽命，這些技術(shù)的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，成本低，避免了連續(xù)啟動和無法啟動的問題，有效地防止因輸入電壓過低MOS承受過高的峰值的電流，或輸入電壓過高超出MOS管Vds的最大電壓。
[0023]在一些說明性實(shí)施例中，所述整流單元電路BDl與所述NPN型三極管Ql之間還串聯(lián)有第一電阻R3，以及與所述第一電阻R3并聯(lián)的第一電容Cl。
[0024]在一些說明性實(shí)施例中，所述NPN型三極管Ql為第一 NPN型三極管管；所述欠壓單元電路ZQl至少由第一穩(wěn)壓管ZD3和第二 NPN型三極管Q2構(gòu)成；所述第一穩(wěn)壓管ZD3，其負(fù)極端作為所述欠壓單元電路ZQl的輸入端，其正極端與所述第二 NPN型三極管Q2的基極端連接；所述第二 NPN型三極管Q2，其集電極端作為所述欠壓單元電路ZQl的輸入端，其發(fā)射極端接地GND。
[0025]在一些說明性實(shí)施例中，所述過壓單元電路ZQ2至少由第二穩(wěn)壓管ZD4和PNP型三極管Q3構(gòu)成；所述第二穩(wěn)壓管ZD4，其負(fù)極端作為所述過壓單元電路ZQ2的輸入端，其正極端與所述PNP型三極管Q3的基極端連接；所述PNP型三極管Q3，其發(fā)射