環(huán)形振蕩器的制造方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及集成電路設(shè)計領(lǐng)域，特別涉及一種環(huán)形振蕩器。
【【背景技術(shù)】】
[0002]環(huán)形振蕩器廣泛應(yīng)用于各種時鐘電路中，例如鎖相環(huán)電路?，F(xiàn)有技術(shù)中，在同一工藝下，三級反相器構(gòu)成的環(huán)形振蕩器具有最高的振蕩頻率。
[0003]請參考圖1所示，其為現(xiàn)有技術(shù)中的一種由三級反相器構(gòu)成的環(huán)形振蕩器的電路示意圖。圖1所示的環(huán)形振蕩器包括PMOS晶體管MPl、MP2和MP3，NM0S晶體管麗1、麗2和麗3，其中，PMOS晶體管MPl的源極和襯體接電源VIN，匪OS晶體管麗I的源極和襯體接地，PMOS晶體管MPl的漏極接匪OS晶體管麗I的漏極，并連接到PMOS晶體管MP2和匪OS晶體管麗2的柵極;PMOS晶體管MP2的源極和襯體接電源VIN，匪OS晶體管麗2的源極和襯體接地，PMOS晶體管MP2的漏極接匪OS晶體管麗2的漏極，并連接到PMOS晶體管MP3和NMOS晶體管麗3的柵極；PMOS晶體管MP3的源極和襯體接電源VIN，匪OS晶體管MN3的源極和襯體接地，PMOS晶體管MP3的漏極接匪OS晶體管MN3的漏極，并連接到PMOS晶體管MPl和匪OS晶體管MNl的柵極。PMOS晶體管MPl和匪OS晶體管MNl構(gòu)成反相器;PMOS晶體管MP2和匪OS晶體管MN2構(gòu)成反相器;PMOS晶體管MP3和NMOS晶體管麗3構(gòu)成反相器，三級反相器首尾相接構(gòu)成環(huán)形振蕩器。
[0004]由于$父尚的振蕩頻率有助于提尚系統(tǒng)的最尚工作頻率，從而提尚運(yùn)算速度，因此，有必要提供一種改進(jìn)的電路，以產(chǎn)生比傳統(tǒng)三級反相器構(gòu)成的環(huán)形振蕩器更高的振蕩頻率。
【【實用新型內(nèi)容】】
[0005]本實用新型的目的在于提供一種環(huán)形振蕩器，其可以輸出更高的振蕩頻率，從而提高運(yùn)算速度。
[0006]為了解決上述問題，本實用新型提供一種環(huán)形振蕩器，其包括MOS管MP1、MP2、MP3、麗1、麗2、麗3和同相器。其中，MOS管MPl的源極和襯體與電源端相連，MOS管麗I的源極和襯體與接地端相連，MOS管MPl的漏極與MOS管麗I的漏極相連;MOS管MP2的源極和襯體與電源端相連，MOS管MN2的源極和襯體與接地端相連，MOS管MP2的漏極和MOS管麗2的漏極相連，MOS管MP2柵極和MOS管麗2的柵極相連，且MOS管MP2的柵極與MOS管MPl的漏極和MOS管麗I的漏極之間的連接節(jié)點相連;MOS管MP3的源極和襯體與電源端相連，MOS管MN3的源極和襯體與接地端相連，MOS管MP3的漏極與MOS管MN3的漏極相連，MOS管麗3的柵極與MOS管MP2的漏極和MOS管麗2的漏極之間的連接節(jié)點相連。同相器的輸入端與MOS管MP3的漏極和MOS管麗3的漏極之間的連接節(jié)點相連，且該輸入端與MOS管MPl的柵極相連，同相器的輸出端與MOS管MP3的柵極和MOS管MNl的柵極相連，所述同相器基于其輸入端接收到的輸入信號，通過其輸出端輸出與該輸入信號同相的輸出信號。
[0007]進(jìn)一步的，所述同相器包括MOS管麗4和MP4，其中，麗4的漏極與電源端相連，其襯體與接地端相連;MOS管MP4的漏極與接地端相連，其襯體與電源端相連;MOS管MN4的柵極與MOS管MP4的柵極相連，且兩者的連接節(jié)點作為同相器的輸入端;MOS管麗4的源極與MOS管MP4的源極相連，且兩者的連接節(jié)點作為同相器的輸出端。
[0008]進(jìn)一步的，MOS管 MP1、MP2、MP3 和 MP4 為 PMOS 晶體管；MOS 管 MN1、MN2、MN3 和 MN4 為NMOS晶體管。
[0009]進(jìn)一步的，MOS管MPl的柵極提前一級連接到MOS管MN3的漏極，MP3的柵極提前兩級連接到同相器的輸出端。
[0010]進(jìn)一步的，所述環(huán)形振蕩器產(chǎn)生的振蕩頻率為1.34GHZ左右。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型在傳統(tǒng)的三級反相器構(gòu)成的環(huán)形振蕩器的基礎(chǔ)上增加第四級電路，該第四級電路為同相器，并通過改變部分連接關(guān)系來減小延遲時間，以輸出更尚的振蕩頻率，從而提尚運(yùn)算速度。
【【附圖說明】】
[0012]為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:
[0013]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種由三級反相器構(gòu)成的環(huán)形振蕩器的電路示意圖；
[0014]圖2為本實用新型在一個實施例中的環(huán)形振蕩器的電路示意圖；
[0015]圖3(a)為現(xiàn)有技術(shù)中的環(huán)形振蕩器的仿真波形圖；
[0016]圖3(b)為圖2中的環(huán)形振蕩器在一個實施例中的的仿真波形圖。
【【具體實施方式】】
[0017]為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0018]此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指可包含于本實用新型至少一個實現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個實施例中”并非均指同一個實施例，也不是單獨(dú)的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。除非特別說明，本文中的連接、相連、相接的表示電性連接的詞均表示直接或間接電性相連。
[0019]請參考圖2所示，其為本實用新型在一個實施例中的環(huán)形振蕩器的電路示意圖。
[0020]圖2中的環(huán)形振蕩器在圖1所示的環(huán)形振蕩器的基礎(chǔ)上增加了同相器210，并相應(yīng)的改變了部分電路的連接關(guān)系。
[0021 ] 具體的，圖2所不的環(huán)形振蕩器包括M0S(Metal Oxide Semiconductor)管MPl、1^2、]\033、麗1、麗2、麗3和同相器210。其中，]\?)3管1031的源極和襯體與電源端￥1財目連，]\?)3管麗I的源極和襯體與接地端相連，MOS管MPI的漏極與MOS管麗I的漏極相連;MOS管MP2的源極和襯體與電源端VIN相連，MOS管MN2的源極和襯體與接