技術編號：10689058
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。現(xiàn)有技術教導了利用一個或多個結型場效應晶體管(JFET)器件形成集成電路。該JFET器件包括在柵極導體下方形成的結。由充當柵極的結施加場，而不是如常規(guī)的MOSFET型器件那樣使用絕緣柵極。電流在位于柵極下方的摻雜半導體區(qū)中的柵極區(qū)和漏極區(qū)之間流動。通過將電壓施加到柵極導體，耗盡電荷的區(qū)在摻雜半導體區(qū)中形成，以夾斷導電路徑并限制電流的流動。由于缺乏可用的移動電荷，耗盡區(qū)表現(xiàn)為絕緣結構。常規(guī)的JFET器件針對在模擬設計中的使用是有吸引力的電路。該器件容易形成和...
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