技術編號：10689151
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 隨著電力電子技術的不斷進步，功率器件已得到極大程度的發(fā)展。從最開始的研 發(fā)出的LDMOS結構器件，LDMOS是橫向導電，能夠成功放大無線射頻(RF)信號的，也較好地解 決了高耐壓和大電流之間的矛盾，但是大大的增加了器件的面積； 然后是現(xiàn)有技術中的垂直雙擴散的功率VDMOS，VDMOS為縱向導電，使器件的耐壓 水平和可靠性都有了很大程度的提高，但是其JFET區(qū)域會在導通的過程中形成較大的導通 電阻，這就阻礙了其大電流能力的發(fā)展，也是功率器件向降低功耗方向發(fā)...
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