技術(shù)編號(hào)：11111351
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及電磁場(chǎng)測(cè)量領(lǐng)域，尤其涉及一種分析吸波材料對(duì)輻射影響的仿真方法和系統(tǒng)。背景技術(shù)輻射發(fā)射試驗(yàn)是重要的電磁兼容試驗(yàn)項(xiàng)目，試驗(yàn)場(chǎng)地性能的好壞會(huì)對(duì)輻射發(fā)射試驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生較大的影響。常用的試驗(yàn)場(chǎng)地是由墻面鋪設(shè)吸波材料的屏蔽室建成的電磁兼容暗室，墻面吸波材料的反射特性影響暗室性能，進(jìn)而影響輻射發(fā)射試驗(yàn)結(jié)果。為了評(píng)估吸波材料反射損耗對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)結(jié)果的影響，一般通過數(shù)值模擬方法，對(duì)暗室及其內(nèi)表面貼覆的吸波材料進(jìn)行精確建模。在考慮暗室吸波材料對(duì)被測(cè)件輻射信號(hào)的反射時(shí)，需要按照吸波材料的結(jié)構(gòu)形式、尺寸參...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。