本申請(qǐng)涉及電磁場(chǎng)測(cè)量領(lǐng)域，尤其涉及一種分析吸波材料對(duì)輻射影響的仿真方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

輻射發(fā)射試驗(yàn)是重要的電磁兼容試驗(yàn)項(xiàng)目，試驗(yàn)場(chǎng)地性能的好壞會(huì)對(duì)輻射發(fā)射試驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生較大的影響。常用的試驗(yàn)場(chǎng)地是由墻面鋪設(shè)吸波材料的屏蔽室建成的電磁兼容暗室，墻面吸波材料的反射特性影響暗室性能，進(jìn)而影響輻射發(fā)射試驗(yàn)結(jié)果。

為了評(píng)估吸波材料反射損耗對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)結(jié)果的影響，一般通過(guò)數(shù)值模擬方法，對(duì)暗室及其內(nèi)表面貼覆的吸波材料進(jìn)行精確建模。在考慮暗室吸波材料對(duì)被測(cè)件輻射信號(hào)的反射時(shí)，需要按照吸波材料的結(jié)構(gòu)形式、尺寸參數(shù)及材料參數(shù)進(jìn)行完全實(shí)物建模。對(duì)于吸波材料的模擬，根據(jù)其實(shí)際結(jié)構(gòu)形式及尺寸參數(shù)進(jìn)行建模，同時(shí)需要對(duì)其材料參數(shù)進(jìn)行設(shè)置。在電磁兼容暗室內(nèi)，常用的吸波材料為角錐結(jié)構(gòu)形式。在進(jìn)行電磁仿真計(jì)算時(shí)，需要將所有的角錐結(jié)構(gòu)內(nèi)部進(jìn)行網(wǎng)格剖分，從而得到其電磁仿真結(jié)果。在該仿真分析方法中，不僅需要暗室大小參數(shù)、結(jié)構(gòu)形狀，還需吸波材料長(zhǎng)短、結(jié)構(gòu)、分布、性能等信息，建立仿真模型，分析吸波材料反射損耗對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)的影響。

吸波材料建模過(guò)程中，首先，吸波材料的結(jié)構(gòu)形式多樣，建立準(zhǔn)確模型的難度較大；其次，吸波材料的組成成分復(fù)雜，多為復(fù)合材料，其材料參數(shù)難以獲得；而且，完全實(shí)物建模在仿真計(jì)算時(shí)會(huì)導(dǎo)致模型劃分網(wǎng)格數(shù)量巨大，計(jì)算資源需求龐大，運(yùn)算時(shí)間超長(zhǎng)，運(yùn)算效率低下，實(shí)時(shí)性與實(shí)用性低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N吸波材料輻射影響仿真方法和系統(tǒng)，解決現(xiàn)有技術(shù)對(duì)吸波材料建模計(jì)算困難的問(wèn)題，方法可有效地解決以上不足。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種吸波材料輻射影響仿真方法，用于電磁兼容暗室，所述電磁兼容暗室為封閉的六面體屏蔽室，至少一個(gè)內(nèi)表面鋪設(shè)有吸波材料，其特征在于，包括以下步驟：

在所述電磁兼容暗室內(nèi)建立輻射源和接收天線；

在所述輻射源關(guān)于每個(gè)所述鋪設(shè)有吸波材料的內(nèi)表面的鏡像位置，分別建立一個(gè)等效輻射源，所述等效輻射源的強(qiáng)度為所述輻射源強(qiáng)度與所述吸波材料反射損耗的乘積；

在未鋪設(shè)吸波材料的內(nèi)表面為良導(dǎo)體、去除鋪設(shè)有吸波材料內(nèi)表面、保留等效輻射源的條件下計(jì)算所述吸收天線接收到的輻射場(chǎng)強(qiáng)度，作為仿真場(chǎng)強(qiáng)度。

優(yōu)選地，所述吸波材料輻射影響仿真方法，還包括以下步驟：

在未鋪設(shè)吸波材料的內(nèi)表面為良導(dǎo)體、在鋪設(shè)有吸波材料內(nèi)表面無(wú)反射的條件下計(jì)算所述吸收天線收到的輻射場(chǎng)強(qiáng)度，作為理想場(chǎng)強(qiáng)度；

計(jì)算所述理想場(chǎng)強(qiáng)度和所述仿真場(chǎng)強(qiáng)度的差值。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種吸波材料輻射影響仿真系統(tǒng)，用于仿真電磁兼容暗室，所述電磁兼容暗室為封閉的六面體屏蔽室，在所述電磁兼容暗室內(nèi)有輻射源和接收天線，所述輻射源與第一內(nèi)表面的距離為X₁；所述輻射源與第二內(nèi)表面的距離為X₂；所述輻射源與第三內(nèi)表面的距離為Y₁；所述輻射源與第四內(nèi)表面的距離為Y₂；，所述輻射源與第五內(nèi)表面的距離為Z₁；所述輻射源與第六內(nèi)表面的距離為Z₂；以所述輻射源為直角坐標(biāo)系(x，y，z)的原點(diǎn)，所述第一內(nèi)表面的位置為x＝X₁；所述第二內(nèi)表面的位置為x＝-X₂；所述第三內(nèi)表面的位置為y＝Y(jié)₁；所述第四內(nèi)表面的位置為y＝-Y₂；所述第五內(nèi)表面的位置為z＝Z₁；所述第六內(nèi)表面的位置為z＝-Z₂；所述第一內(nèi)表面、第二內(nèi)表面、第三內(nèi)表面、第四內(nèi)表面、第五內(nèi)表面均鋪設(shè)有吸波材料；所述第六內(nèi)表面為良導(dǎo)體；其特征在于，所述仿真系統(tǒng)包含：仿真源、仿真接收天線、等效源、良導(dǎo)體板；

所述等效源包含第一等效源、第二等效源、第三等效源、第四等效源、第五等效源；

所述仿真源，用于產(chǎn)生輻射場(chǎng)；所述仿真接收天線，用于接收所述輻射場(chǎng)；

以所述仿真源為直角坐標(biāo)系(x’，y’，z’)的原點(diǎn)，所述仿真接收天線相對(duì)于所述仿真源的位置，與所述接收天線相對(duì)于所述輻射源的位置相同；

所述第一等效源的位置為(2X₁，0，0)，所述第一等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度與所述第一內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；

所述第二等效源的位置為(-2X₂，0，0)，所述第二等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度與所述第二內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；

所述第三等效源的位置為(0，2Y₁，0)，所述第三等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度與所述第三內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；

所述第四等效源的位置為(0，-2Y₂，0)，所述第四等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度與所述第四內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；

所述第五等效源的位置為(0，0，2Z₁)，所述第五等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度與所述第五內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；

z’＝-Z₂位置為良導(dǎo)體板。

本申請(qǐng)實(shí)施例采用的上述至少一個(gè)技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果：，該方法在不需要完全實(shí)物建模吸波材料的同時(shí)，根據(jù)吸波材料反射損耗特性，通過(guò)鏡面反射原理合理放置輻射源的位置來(lái)獲得吸波材料對(duì)輻射源發(fā)射信號(hào)的反射特性。通過(guò)使用該方法，不僅可避免復(fù)雜結(jié)構(gòu)形式及復(fù)合材料參數(shù)的吸波材料建模，同時(shí)簡(jiǎn)化的模型使得網(wǎng)格數(shù)量大大減少，可極大地降低計(jì)算資源需求，加快運(yùn)算速度，提高運(yùn)算效率，具有即時(shí)性與實(shí)用性。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為電磁兼容暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)示意圖，其中，a、立體圖，b、頂視圖；

圖2電磁兼容暗室各內(nèi)表面吸波材料反射示意圖，其中，

a、第一內(nèi)表面吸波材料反射示意圖；

b、第二內(nèi)表面吸波材料發(fā)射示意圖；

c、第三內(nèi)表面吸波材料發(fā)射示意圖；

d、第四內(nèi)表面吸波材料發(fā)射示意圖；

e、第五內(nèi)表面吸波材料發(fā)射示意圖；

圖3為第四內(nèi)表面吸波材料反射等效示意圖；

圖4為本發(fā)明吸波材料輻射影響仿真方法流程圖；

圖5為本發(fā)明吸波材料輻射影響仿真方法另一實(shí)施例流程圖；

圖6為本發(fā)明吸波材料輻射影響仿真系統(tǒng)裝置示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本申請(qǐng)具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

以下結(jié)合附圖，詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)各實(shí)施例提供的技術(shù)方案。

圖1為電磁兼容暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)示意圖，其中，a、立體圖，b、頂視圖；暗室內(nèi)除地面以外其余五個(gè)表面均貼覆有吸波材料，且各個(gè)吸波材料表面均會(huì)反射信號(hào)，所述電磁兼容暗室為封閉的六面體屏蔽室，在所述電磁兼容暗室內(nèi)有輻射源和接收天線，所述輻射源與第一內(nèi)表面的距離為X₁；所述輻射源與第二內(nèi)表面的距離為X₂；所述輻射源與第三內(nèi)表面的距離為Y₁；所述輻射源與第四內(nèi)表面的距離為Y₂；，所述輻射源與第五內(nèi)表面的距離為Z₁；所述輻射源與第六內(nèi)表面的距離為Z₂；以所述輻射源為直角坐標(biāo)系(x，y，z)的原點(diǎn)，所述第一內(nèi)表面的位置為x＝X₁；所述第二內(nèi)表面的位置為x＝-X₂；所述第三內(nèi)表面的位置為y＝Y(jié)₁；所述第四內(nèi)表面的位置為y＝-Y₂；所述第五內(nèi)表面的位置為z＝Z₁；所述第六內(nèi)表面的位置為z＝-Z₂；所述第一內(nèi)表面、第二內(nèi)表面、第三內(nèi)表面、第四內(nèi)表面、第五內(nèi)表面均鋪設(shè)有吸波材料；所述第六內(nèi)表面為良導(dǎo)體。

圖2為電磁兼容暗室各內(nèi)表面吸波材料反射示意圖，其中，a、第一內(nèi)表面(輻射源所在位置后面，陰影所示表面)吸波材料反射示意圖；b、第二內(nèi)表面(輻射源所在位置前面，陰影所示表面)吸波材料反射示意圖；c、第三內(nèi)表面(輻射源所在位置右面，陰影所示表面)吸波材料反射示意圖；d、第四內(nèi)表面(輻射源所在位置左面，陰影所示表面)吸波材料反射示意圖；e、第五內(nèi)表面(輻射源所在位置頂面，陰影所示表面)吸波材料反射示意圖。本發(fā)明在進(jìn)行吸波材料對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)影響的仿真分析時(shí)，不建立吸波材料完全實(shí)物模型的條件下，根據(jù)暗室吸波材料反射損耗特性，輻射源向四周吸波材料進(jìn)行照射時(shí)，吸波材料由于其材料及結(jié)構(gòu)性質(zhì)存在反射損耗，其對(duì)輻射源發(fā)射信號(hào)進(jìn)行部分反射。根據(jù)鏡面反射原理，可以認(rèn)為吸波材料反射信號(hào)為輻射源關(guān)于吸波材料背板平面鏡面對(duì)稱的等效輻射源所發(fā)射的信號(hào)，其中該等效輻射源的輻射信號(hào)幅度為經(jīng)過(guò)反射損耗后的幅度。

圖3為第四內(nèi)表面吸波材料反射等效示意圖。在評(píng)估吸波材料對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)影響時(shí)，不建立吸波材料完全實(shí)物模型的條件下，根據(jù)暗室吸波材料反射損耗信息建立等效輻射源模型，由等效輻射源與接收天線之間直接照射信號(hào)來(lái)獲得吸波材料反射信號(hào)，相對(duì)位置如圖3所示，等效輻射源與輻射源關(guān)于鋪設(shè)吸波材料的第四內(nèi)表面鏡面對(duì)稱(稱：等效輻射源是輻射源關(guān)于第四內(nèi)表面的鏡像)，MM’與第四內(nèi)表面垂直，交點(diǎn)為N。RM’與第四內(nèi)表面的交點(diǎn)為W，根據(jù)幾何光學(xué)原理，信號(hào)傳輸路徑MW與M’W相等，等效發(fā)射信號(hào)傳輸路徑(M’W+WR)與輻射源發(fā)射信號(hào)傳輸路徑(MW+WR)相等。輻射信號(hào)由輻射源M經(jīng)過(guò)吸波材料W處的反射進(jìn)入接收天線R處，相當(dāng)于在去掉吸波材料的條件下，等效輻射源Me直接照射進(jìn)入接收天線R處。

等效輻射源的幅度計(jì)算。設(shè)輻射源初始幅度為A，吸波材料的反射損耗標(biāo)識(shí)為Γ(dB)、或r(無(wú)量綱系數(shù))，則輻射源關(guān)于鋪設(shè)吸波材料的第四內(nèi)表面鏡面對(duì)稱的等效輻射源幅度Ae，計(jì)算公式如下：

A_e＝A×r

r＝10^(-Γ/20) 公式1

圖4為本發(fā)明吸波材料輻射影響仿真方法流程圖。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種吸波材料輻射影響仿真方法，用于電磁兼容暗室，以獲得在有吸波材料條件下電磁兼容暗室內(nèi)接收天線所接收的輻射場(chǎng)強(qiáng)度。所述電磁兼容暗室為封閉的六面體屏蔽室，其中五個(gè)內(nèi)表面鋪設(shè)有吸波材料，其特征在于，包括以下步驟：

步驟101、在所述電磁兼容暗室內(nèi)建立輻射源和接收天線；如圖1所示建立輻射源與接收天線模型，將其放置于殼體空間內(nèi)，殼體材質(zhì)為空氣。

步驟102、在所述輻射源關(guān)于每個(gè)所述鋪設(shè)有吸波材料的內(nèi)表面的鏡像位置，分別建立一個(gè)等效輻射源，所述等效輻射源的強(qiáng)度為所述輻射源強(qiáng)度A與所述吸波材料反射損耗r的乘積；例如，關(guān)于第四內(nèi)表面，根據(jù)輻射源與殼體空間內(nèi)表面的相對(duì)位置，建立等效輻射源的仿真模型，其相對(duì)位置相當(dāng)于輻射源移動(dòng)到圖3所示的關(guān)于第四內(nèi)表面鏡面對(duì)稱的位置處，等效輻射源與接收天線之間距離等于等效輻射源發(fā)射信號(hào)傳輸路徑(M’W+WR)；根據(jù)吸波材料反射損耗特性參數(shù)，獲得等效輻射源相對(duì)輻射源的輻射信號(hào)幅度；針對(duì)圖2所示各個(gè)內(nèi)表面，建立各個(gè)平面的等效輻射源模型，各個(gè)等效輻射源與接收天線距離分別為等效輻射源發(fā)射信號(hào)傳輸路徑。

步驟103、在未鋪設(shè)吸波材料的內(nèi)表面為良導(dǎo)體、去除鋪設(shè)有吸波材料內(nèi)表面、保留等效輻射源的條件下計(jì)算所述吸收天線接收到的輻射場(chǎng)強(qiáng)度，作為仿真場(chǎng)強(qiáng)度E。所述仿真場(chǎng)強(qiáng)度即根據(jù)建立的模型仿真計(jì)算接收天線收到的輻射源輻射場(chǎng)強(qiáng)幅度。

圖5為本發(fā)明吸波材料輻射影響仿真方法另一實(shí)施例流程圖。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種吸波材料輻射影響仿真方法，用于電磁兼容暗室，以獲得在有吸波材料條件下電磁兼容暗室內(nèi)接收天線所接收的輻射場(chǎng)強(qiáng)度。所述電磁兼容暗室為封閉的六面體屏蔽室，其中五個(gè)內(nèi)表面鋪設(shè)有吸波材料，其特征在于，包括以下步驟：

步驟201、在所述電磁兼容暗室內(nèi)建立輻射源和接收天線；

步驟202、在所述輻射源關(guān)于每個(gè)所述鋪設(shè)有吸波材料的內(nèi)表面的鏡像位置，分別建立一個(gè)等效輻射源，所述等效輻射源的強(qiáng)度為所述輻射源強(qiáng)度與所述吸波材料反射損耗的乘積；

步驟203、在未鋪設(shè)吸波材料的內(nèi)表面為良導(dǎo)體、去除鋪設(shè)有吸波材料內(nèi)表面、保留等效輻射源的條件下計(jì)算所述吸收天線接收到的輻射場(chǎng)強(qiáng)度，作為仿真場(chǎng)強(qiáng)度。根據(jù)建立的模型仿真計(jì)算接收天線收到的輻射源輻射場(chǎng)強(qiáng)幅度E。

步驟204、在未鋪設(shè)吸波材料的內(nèi)表面為良導(dǎo)體、鋪設(shè)有吸波材料內(nèi)表面無(wú)反射的條件下計(jì)算所述吸收天線收到的輻射場(chǎng)強(qiáng)度，作為理想場(chǎng)強(qiáng)度E₀；即，去掉5個(gè)方向的等效輻射源，仿真計(jì)算輻射源單獨(dú)存在時(shí)，接收天線收到的輻射場(chǎng)強(qiáng)幅度；

步驟205、計(jì)算所述理想場(chǎng)強(qiáng)度和所述仿真場(chǎng)強(qiáng)度的差值。用ΔE＝E-E₀來(lái)表征不同吸波材料對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)結(jié)果的影響。

圖6為本發(fā)明吸波材料輻射影響仿真系統(tǒng)裝置示意圖。本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種吸波材料輻射影響仿真系統(tǒng)，用于仿真如圖1-2所示電磁兼容暗室。所述吸波材料輻射影響仿真系統(tǒng)包含：仿真源10、仿真接收天線20、等效源；所述等效源包含第一等效源11、第二等效源12、第三等效源13、第四等效源14、第五等效源15；所述仿真源，電磁特性等同于所述輻射源，用于產(chǎn)生輻射場(chǎng)；所述仿真接收天線，電磁特性等同于所述接收天線，用于接收所述輻射場(chǎng)；以所述仿真源為直角坐標(biāo)系(x’，y’，z’)的原點(diǎn)，所述仿真接收天線相對(duì)于所述仿真源的位置，與所述接收天線相對(duì)于所述輻射源的位置相同；

所述第一等效源的位置為(2X₁，0，0)，所述第一等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度A與所述第一內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗r1的乘積；所述第二等效源的位置為(-2X₂，0，0)，所述第二等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度A與所述第二內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗r2的乘積；所述第三等效源的位置為(0，2Y₁，0)，所述第三等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度A與所述第三內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗r3的乘積；所述第四等效源的位置為(0，-2Y₂，0)，所述第四等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度A與所述第四內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗r4的乘積；所述第五等效源的位置為(0，0，2Z₁)，所述第五等效源的強(qiáng)度為所述仿真源強(qiáng)度A與所述第五內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗r5的乘積；z’＝-Z₂位置為良導(dǎo)體板30。

需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，進(jìn)行吸波材料對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)影響的仿真時(shí)，不進(jìn)行完全實(shí)物建立吸波材料模型的條件下，根據(jù)暗室吸波材料反射損耗特性，用本實(shí)施例的仿真源代替輻射源；在評(píng)估吸波材料對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)影響時(shí)，不建立吸波材料實(shí)物模型的條件下，根據(jù)吸波材料反射損耗、即所述輻射源與電磁兼容暗室各個(gè)內(nèi)表面的距離，建立等效源11,12,13,14,15，由等效源與仿真接收天線之間直接照射信號(hào)來(lái)仿真吸波材料反射信號(hào)，以圖3所示第四內(nèi)表面為例，等效源與仿真接收天線之間距離設(shè)置為等效輻射源發(fā)射信號(hào)傳輸路徑(M’W+WR)。

本發(fā)明與現(xiàn)有的吸波材料對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)影響仿真分析方法相比主要的創(chuàng)新點(diǎn)為：本發(fā)明可以在不需要建立吸波材料實(shí)物模型，根據(jù)吸波材料反射損耗特性，通過(guò)鏡面反射原理合理放置等效源的位置來(lái)獲得吸波材料對(duì)輻射源輻射信號(hào)的反射，不僅可避免復(fù)雜電磁參數(shù)及多樣結(jié)構(gòu)形式的吸波材料建模工作，同時(shí)可簡(jiǎn)化仿真模型，降低模型對(duì)計(jì)算資源的需求量，加快運(yùn)算速度，提高運(yùn)輸效率，具有即時(shí)性與實(shí)用性。本發(fā)明在實(shí)際應(yīng)用中，可對(duì)表面貼覆有吸波材料的暗室進(jìn)行仿真分析，達(dá)到合理評(píng)估吸波材料對(duì)暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)影響的目的，從而保障暗室輻射發(fā)射試驗(yàn)的有效性。

還需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上所述僅為本申請(qǐng)的實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。