技術(shù)編號(hào)：11136496
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及柵極間隔件及其形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用中，諸如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子器件。通常通過(guò)在半導(dǎo)體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層，并且使用光刻圖案化各個(gè)材料層以在半導(dǎo)體襯底上方形成電路組件和元件來(lái)制造半導(dǎo)體器件。晶體管是通常形成在半導(dǎo)體器件上的電路組件或元件。取決于電路設(shè)計(jì)，除了電容器、電感器、電阻器、二極管、導(dǎo)電線或其他元件外，許多晶體管可以形成在半導(dǎo)體器件上。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是一種類型的晶體管。一般而言，晶...
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