技術(shù)編號(hào):11235736
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電池片技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種降低多晶電池片漏電的工藝方法。背景技術(shù)傳統(tǒng)的降低多晶電池片漏電的工藝方法為:前清洗-擴(kuò)散-濕法刻蝕-PECVD鍍膜-印刷,即:先經(jīng)過(guò)前道的清洗,然后磷擴(kuò)散,接著經(jīng)過(guò)濕法刻蝕洗去表面磷硅玻璃和邊緣刻蝕,接著再經(jīng)過(guò)PECVD鍍膜,最后經(jīng)過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝完成正背面電極的印刷。但是,由于在濕法刻蝕下料端的自動(dòng)化設(shè)備上,存在用于傳送硅片的皮帶及滾輪裝置,其材料的清潔度非常關(guān)鍵,隨著生產(chǎn)時(shí)間的延長(zhǎng),皮帶及滾輪裝置的磨損會(huì)不可避免的產(chǎn)生金屬離子對(duì)硅片接觸面造成污染,導(dǎo)致電...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。