本發(fā)明涉及電池片技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種降低多晶電池片漏電的工藝方法。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的降低多晶電池片漏電的工藝方法為：前清洗-擴(kuò)散-濕法刻蝕-pecvd鍍膜-印刷，即：先經(jīng)過前道的清洗，然后磷擴(kuò)散，接著經(jīng)過濕法刻蝕洗去表面磷硅玻璃和邊緣刻蝕，接著再經(jīng)過pecvd鍍膜，最后經(jīng)過絲網(wǎng)印刷工藝完成正背面電極的印刷。但是，由于在濕法刻蝕下料端的自動化設(shè)備上，存在用于傳送硅片的皮帶及滾輪裝置，其材料的清潔度非常關(guān)鍵，隨著生產(chǎn)時間的延長，皮帶及滾輪裝置的磨損會不可避免的產(chǎn)生金屬離子對硅片接觸面造成污染，導(dǎo)致電池片表面會出現(xiàn)零星漏電，降低了電池片的成品率，同時漏電會導(dǎo)致組件熱斑效應(yīng)，帶來風(fēng)險。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的降低多晶電池片漏電的工藝方法容易對硅片接觸面造成污染，導(dǎo)致電池片表面會出現(xiàn)零星漏電，降低了電池片的成品率，同時漏電會導(dǎo)致組件熱斑效應(yīng)，帶來風(fēng)險的問題，提供一種降低多晶電池片漏電的工藝方法。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種降低多晶電池片漏電的工藝方法，其工藝步驟為：前清洗—擴(kuò)散—濕法刻蝕—槽式清洗—pecvd鍍膜—印刷，所述槽式清洗的步驟為：

(1)、在槽式清洗機(jī)的第一槽體中加入雙氧水、氫氟酸和水的混合物，雙氧水、氫氟酸和水的配比是：1:1:30；

(2)、將電池片放入槽式清洗機(jī)的第一槽體內(nèi)，電池片通過雙氧水的氧化作用，氧化掉硅片表面的有機(jī)臟污，同時把金屬離子由低價態(tài)氧化成高價態(tài)，同時在硅片表面形成一層二氧化硅薄層，然后用氫氟酸洗掉二氧化硅薄層，帶走部分有機(jī)污染和金屬離子；

(3)、將電池片放入裝有純水的第二槽體中進(jìn)行漂洗，洗掉硅片表面殘余的氫氟酸；

(4)、在第三個槽體中加入鹽酸和水的混合物，鹽酸和水的配比是：1:30；

(5)、將電池片放入第三槽體內(nèi)，電池片上的高價態(tài)金屬離子與鹽酸之間形成絡(luò)合物，可以去掉硅片表面的金屬污染；

(6)、將電池片放入裝有純水的第四槽體中進(jìn)行漂洗，洗去硅片表面殘余的鹽酸；

(7)、將電池片從第四槽體內(nèi)取出，進(jìn)行慢提拉脫水；

(8)、使用熱風(fēng)刀對電池片表面進(jìn)行吹干處理。

步驟(6)至少操作兩次。

步驟(1)中，雙氧水的質(zhì)量濃度為68％-72％，氫氟酸的質(zhì)量濃度為49％-51％。

步驟(4)中，鹽酸的質(zhì)量濃度為36％-38％。

本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的一種降低多晶電池片漏電的工藝方法，在現(xiàn)有工藝中增加了槽式清洗的步驟，硅片在經(jīng)過槽式清洗后，進(jìn)一步清洗了硅片表面的金屬離子和有機(jī)污染，降低了硅片內(nèi)部的漏電，提升了成品率，提升了rsh，進(jìn)一步提升了電池片的轉(zhuǎn)換效率。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。

圖1是本發(fā)明的工藝方法流程簡圖；

圖2是本發(fā)明中槽式清洗的工藝方法流程簡圖。

具體實施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。

一種降低多晶電池片漏電的工藝方法，其工藝步驟如圖1所示：前清洗—擴(kuò)散—濕法刻蝕—槽式清洗—pecvd鍍膜—印刷，所述槽式清洗的步驟如圖2所示：

(1)、在槽式清洗機(jī)的第一槽體中加入雙氧水、氫氟酸和水的混合物，雙氧水、氫氟酸和水的配比是：1:1:30；

(2)、將電池片放入槽式清洗機(jī)的第一槽體內(nèi)，電池片通過雙氧水的氧化作用，氧化掉硅片表面的有機(jī)臟污，同時把金屬離子由低價態(tài)氧化成高價態(tài)，同時在硅片表面形成一層二氧化硅薄層，然后用氫氟酸洗掉二氧化硅薄層，帶走部分有機(jī)污染和金屬離子；

(3)、將電池片放入裝有純水的第二槽體中進(jìn)行漂洗，洗掉硅片表面殘余的氫氟酸；

(4)、在第三個槽體中加入鹽酸和水的混合物，鹽酸和水的配比是：1:30；

(5)、將電池片放入第三槽體內(nèi)，電池片上的高價態(tài)金屬離子與鹽酸之間形成絡(luò)合物，可以去掉硅片表面的金屬污染；

(6)、將電池片放入裝有純水的第四槽體中進(jìn)行漂洗，洗去硅片表面殘余的鹽酸；

(7)、將電池片從第四槽體內(nèi)取出，進(jìn)行慢提拉脫水；

(8)、使用熱風(fēng)刀對電池片表面進(jìn)行吹干處理。

步驟(6)至少操作兩次。

步驟(1)中，雙氧水的質(zhì)量濃度為68％-72％，氫氟酸的質(zhì)量濃度為49％-51％。

步驟(4)中，鹽酸的質(zhì)量濃度為36％-38％。

以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種降低多晶電池片漏電的工藝方法，在現(xiàn)有工藝中增加了槽式清洗的步驟，硅片在經(jīng)過槽式清洗后，進(jìn)一步清洗了硅片表面的金屬離子和有機(jī)污染，降低了硅片內(nèi)部的漏電，提升了成品率，提升了RSH，進(jìn)一步提升了電池片的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：胡琴;張凱勝;姚偉忠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：常州億晶光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.19
技術(shù)公布日：2017.09.12