技術(shù)編號(hào):11446561
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在印刷電路板、IC襯底的制造和半導(dǎo)體晶片的金屬化中用于化學(xué)鍍鈀的水性鍍?cè)〗M合物和方法。背景技術(shù)在印刷電路板、IC襯底等的制造以及半導(dǎo)體晶片的金屬化中,鈀的化學(xué)沉積是已建立的技術(shù)。所述鈀層被例如用作阻擋層和/或可絲焊和可軟焊的罩面層。包含鈀離子源、含氮絡(luò)合劑和選自甲酸及其衍生物的還原劑的化學(xué)鈀鍍?cè)〗M合物公開(kāi)在US5,882,736中。與含有次磷酸鹽作為還原劑的產(chǎn)生鈀-磷合金層的鍍?cè)〗M合物形成對(duì)照,這些化學(xué)鈀鍍?cè)〗M合物適合于沉積純鈀。美國(guó)專利4,424,241描述了一種包含鈀、有機(jī)配體和還...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。