技術(shù)編號(hào)：11482556
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，是一種PECVD鍍膜設(shè)備的帶有抽真空系統(tǒng)的平板式PECVD進(jìn)料腔。背景技術(shù)PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)即等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是指借助微波或射頻使含有薄膜組成原子的氣體發(fā)生電離在局部形成等離子體，借助等離子體活潑易反應(yīng)的化學(xué)特性在基片上沉積出所期望的薄膜。該技術(shù)被廣泛應(yīng)用于晶體硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)中。太陽(yáng)能行業(yè)所用的板式PECVD采用真空腔室作為反應(yīng)室，因此在工藝過程中需要用真空泵不停地對(duì)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。