本實用新型涉及晶硅太陽能電池生產設備領域，是一種PECVD鍍膜設備的帶有抽真空系統(tǒng)的平板式PECVD進料腔。

背景技術：

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)即等離子體增強化學氣相沉積技術，是指借助微波或射頻使含有薄膜組成原子的氣體發(fā)生電離在局部形成等離子體，借助等離子體活潑易反應的化學特性在基片上沉積出所期望的薄膜。該技術被廣泛應用于晶體硅太陽能電池的生產中。

太陽能行業(yè)所用的板式PECVD采用真空腔室作為反應室，因此在工藝過程中需要用真空泵不停地對設備腔室進行抽真空。

影響膜性能的主要因素是鍍膜時溫度、微波功率和真空度的控制。進料腔補給載片的速度直接影響到整個設備的產量，進料后快速達到工藝所需真空度是補給速度的主要影響因素。

由于PECVD工藝過程中會有反應顆粒物產生，真空泵會將顆粒抽到泵體內，長時間在泵體內沉積會造成真空泵的卡死，影響整個生產線的生產效率。

對于只用一條真空管連通腔體進行抽真空方案，氣流變化劇烈，對載片沖擊大，且抽氣效率低；對于用多條真空管路連通腔體進行抽真空方案，因為加長了管路，相當于增加了腔體體積，增加了抽真空時間，影響生產速度。

技術實現要素：

本實用新型要解決的技術問題是：針對上述現有技術的不足，提供一種帶有抽真空系統(tǒng)的平板式PECVD進料腔。

為解決技術問題，本實用新型的解決方案是：

提供一種帶有抽真空系統(tǒng)的平板式PECVD進料腔，該進料腔呈中空狀；在進料腔的底部設有多條氣道，各氣道的一端在進料腔底部中央交匯互通形成中心出口；各氣道的另一端則均勻分布在進料腔底部的四周，且僅在該端部設置連接進料腔的氣道入口；所述中心出口通過真空管道連接至真空泵，在中心出口與真空管道相接處設過濾網。

作為改進，所述氣道是設在進料腔底部的凹陷的條形槽，各氣道及中心出口的上部設蓋板使進料腔的底部保持平面狀態(tài)。

作為改進，所述氣道有四條且呈十字形布置，或者氣道有八條且呈米字形布置。

作為改進，所述真空管道上設有角閥。

作為改進，所述氣道上部的蓋板與中心出口上部的蓋板是分離式的。

相對于現有技術，本實用新型的有益效果在于：

1、本實用新型對生產效率的提高和質量的提高有積極的意義，能縮短抽真空時間提高生產效率；提高真空室氣流的穩(wěn)定性，使鍍膜的條件更加理想化，提高膜的質量。

2、能夠對各種渣粒粉塵進行充分攔截，保護真空泵免受傷害，從而防止真空泵卡死，延長了真空泵的使用壽命。

3、在結構上的改動不大，設計合理，使用效果良好，非常實用。

附圖說明

圖1是本實用新型的整體結構示意圖。

圖2為進料腔的結構示意圖。

圖3為氣道與真空管道的連接示意圖。

圖中：1、進料腔；2、氣道；3、蓋板；4、過濾網；5、角閥；6、真空泵；7、真空管道。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

如圖1-3所示，本實用新型的進料腔1呈中空狀，在其底部設有4條氣道2且呈十字形布置，各氣道2的一端在進料腔1底部中央交匯互通形成中心出口；各氣道2的另一端則均勻分布在進料腔1底部的四周，且僅在該端部設置連接進料腔的氣道入口；中心出口通過真空管道7連接至真空泵6，真空管道7上設角閥5，在中心出口與真空管道7相接處設過濾網4。氣道2是設在進料腔1底部的凹陷的條形槽，各氣道2及中心出口的上部設蓋板3使進料腔1的底部保持平面狀態(tài)。氣道2上部的蓋板3與中心出口上部的蓋板3是分離式的，便于拆卸和清理。

氣道2的數量可根據實際需要設置，例如可以選擇八條氣道2，且呈米字形布置，這樣可以提升方形的進料腔1四個角落的抽真空效果。

使用說明：

使用時，先打開角閥5，開動真空泵6即可對進料腔1進行抽真空，從而使進料腔1維持必要的真空工作條件。進料腔1中的各種渣粒(或顆粒狀雜質)隨氣流由四周同時進入氣道2，在真空泵6的抽吸作用下向真空管道7方向流動；渣粒最終在進料腔1底部中央的中心出口處被過濾網4攔截并滯留，大大減少了進入真空泵6的渣粒數量，避免對真空泵6造成傷害。當設備運行一段時間后，打開中心出口處的蓋板3，清除沉積的渣粒。

需要指出的是，以上具體實施方式只是本專利實現方案的具體個例，沒有也不可能覆蓋本專利的所有實現方式，因此不能視作對本專利保護范圍的限定；凡是與以上案例屬于相同構思的實現方案，均在本專利的保護范圍之內。