技術編號：11621913
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲器技術領域，特別是涉及一種閃存結構、存儲陣列及其制作方法。背景技術近年來，在半導體存儲技術領域中，閃存的發(fā)展尤為迅速。閃存的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和讀取等優(yōu)點，因而在微機、自動化控制等多項領域得到了廣泛的應用。通常，閃存為一存儲陣列，由若干個存儲單元組成，每一個存儲單元(閃存結構)中的字線(柵極所連接線)通常兼容擦除和讀取操作，因其在進行擦除操作時，字線上需要的特定電壓較高(如所需的電壓為12V)，而在進行讀取操作...
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