技術(shù)編號：11656052
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，涉及一種SiC結(jié)勢壘肖特基二極管的制作方法。背景技術(shù)電力電子技術(shù)是使用例如晶閘管、GTO、IGBT等電力電子器件對電能進(jìn)行變換和控制的一門電子技術(shù)，在當(dāng)今能源開發(fā)和利用中發(fā)揮著舉足輕重的作用。當(dāng)前，傳統(tǒng)的硅基電力電子器件的水平基本上維持在109-1010W·Hz，已逼近了因寄生二極管制約而能達(dá)到的硅材料的極限。為了突破目前的器件極限，一般選擇采用寬能帶間隙材料的半導(dǎo)體器件，如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)器件。碳化硅材料具有優(yōu)良的物理和電學(xué)特性，以其寬...
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