本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，涉及一種sic結(jié)勢壘肖特基二極管的制作方法。

背景技術(shù)：

電力電子技術(shù)是使用例如晶閘管、gto、igbt等電力電子器件對電能進(jìn)行變換和控制的一門電子技術(shù)，在當(dāng)今能源開發(fā)和利用中發(fā)揮著舉足輕重的作用。當(dāng)前，傳統(tǒng)的硅基電力電子器件的水平基本上維持在10⁹-10¹⁰w·hz，已逼近了因寄生二極管制約而能達(dá)到的硅材料的極限。為了突破目前的器件極限，一般選擇采用寬能帶間隙材料的半導(dǎo)體器件，如碳化硅(sic)或氮化鎵(gan)器件。

碳化硅材料具有優(yōu)良的物理和電學(xué)特性，以其寬的禁帶寬度、高的熱導(dǎo)率、大的飽和漂移速度和高的臨界擊穿電場等獨特優(yōu)點，成為制作高功率、高頻、耐高溫、抗輻射器件的理想半導(dǎo)體材料。碳化硅電力電子器件的擊穿電壓可達(dá)到硅器件的十倍，而導(dǎo)通電阻僅為硅器件的數(shù)十分之一，開關(guān)速度快，熱導(dǎo)率高，電能轉(zhuǎn)換損耗小，散熱系統(tǒng)簡單，最終使整個系統(tǒng)的體積和重量顯著降低。以sic材料制備的電力電子器件已成為目前半導(dǎo)體領(lǐng)域的熱點器件和前沿研究領(lǐng)域之一，是電力電子技術(shù)最為重要的發(fā)展方向，在軍事和民事領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。

利用sic材料制備的肖特基二極管能提供理想的動態(tài)性能。sic肖特基二極管屬于多數(shù)載流子器件，工作過程中沒有電荷儲存，因此反向恢復(fù)電流僅由耗盡層結(jié)電容造成，其反向恢復(fù)電流以及其反向恢復(fù)損耗比si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個數(shù)量級；進(jìn)一步地，上述結(jié)構(gòu)能夠大幅度減少和sic肖特基二極管匹配的開關(guān)管的開通損耗，提高電路的開關(guān)頻率；進(jìn)一步地，sic肖特基二極管幾乎沒有正向恢復(fù)電壓，能夠立即導(dǎo)通，不存在雙極型器件的開通延時現(xiàn)象。在常溫下，sic肖特基二極管的正態(tài)導(dǎo)通壓降和si超快恢復(fù)器件基本相同，但是由于sic肖特基二極管的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，這將有利于將多個sic肖特基二極管并聯(lián)。在二極管單芯片面積和電流受限的情況下，這可以大幅度提高sic肖特基二極管的容量，使它在較大容量中的應(yīng)用成為可能。sic肖特基二極管可以廣泛應(yīng)用于電動汽車/混合動力車等需進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換的逆變器、轉(zhuǎn)換器、pfc電路，以及太陽能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域。

單純的sic肖特基二極管具有開關(guān)速度快和反向恢復(fù)時間短的優(yōu)點，但是反向特性有一定的局限性，在高電壓下肖特基勢壘退化，反向漏電流大，無法實現(xiàn)高耐壓器件。與肖特基二極管相比，sic的pin二極管具有更高的耐壓，但是反向恢復(fù)時間相對較長，正向壓降相對較大。在sic的二極管中，結(jié)勢壘肖特基結(jié)構(gòu)(jbs)是將肖特基和pin結(jié)構(gòu)結(jié)合在一起的一種器件結(jié)構(gòu)，通過pn結(jié)勢壘排除隧穿電流對最高阻斷電壓的限制，結(jié)合了兩者的優(yōu)點，使得jbs結(jié)構(gòu)相比于肖特基器件，反向模式下泄漏電流更低，阻斷電壓高。因此，在高速、高耐壓的sic二極管領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。

在電力電子系統(tǒng)中，電力電子器件的特性對系統(tǒng)性能的實現(xiàn)和改善起著至關(guān)重要的作用。由于器件的擊穿電壓在很大程度上取決于結(jié)曲率引起的邊緣強電場，因此為了緩解表面終止的結(jié)邊緣處的電場集中，提高器件的實際擊穿電壓，需要對器件進(jìn)行結(jié)終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計。結(jié)終端結(jié)構(gòu)主要包括場板(fp)、場限環(huán)(flr)、結(jié)終端延伸(jte)等。在平面結(jié)終端技術(shù)中，場板技術(shù)對耐壓的提升有限，不能達(dá)到耐壓要求；場限環(huán)技術(shù)能達(dá)到耐壓要求，但是其對環(huán)間距太過敏感，器件設(shè)計和工藝難度大；jte的擊穿效率最高，在sic電力電子器件結(jié)構(gòu)中具有非常廣泛的應(yīng)用。

在sic的jbs器件的制備中，為了使肖特基金屬下的各p區(qū)之間的n^-區(qū)域充分耗盡，p區(qū)的濃度一般為10¹⁸cm^-3數(shù)量級，標(biāo)記為p⁺區(qū)；而p型jte區(qū)存在一個優(yōu)值濃度，該優(yōu)值濃度與n^-漂移層的濃度有關(guān)，一般為10¹⁷cm^-3數(shù)量級，標(biāo)記為p^-區(qū)。在制備具有jte終端的sic電力電子器件時，考慮到sic中al離子的不完全離化現(xiàn)象、注入的al離子的擴散現(xiàn)象、及摻雜的不均勻性等因素，jte的有效濃度通常會低于jte的優(yōu)值濃度，這就會降低器件的擊穿電壓。研究表明，p⁺場限環(huán)輔助p^--jte的方法來降低器件的擊穿電壓對jte濃度的敏感性，該方法雖然有利于提高器件的擊穿電壓，但在制備sic肖特基二極管時，為了獲得p⁺場限環(huán)，需要在工藝中增加一次高劑量al離子的注入工藝，這增加了工藝的復(fù)雜度和成本。即使通過多區(qū)結(jié)終端延伸技術(shù)可以降低器件擊穿電壓對jte濃度的敏感性，但在器件制備過程中，同樣需要兩次及以上的不同劑量的al離子注入來形成多個結(jié)終端延伸區(qū)域，這也增加了工藝的復(fù)雜度。

因此，需要提供一種sic結(jié)勢壘肖特基二極管的制作方法，在提高器件的擊穿電壓的同時簡化工藝流程，降低工藝難度和工藝成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對上述已有技術(shù)的不足，提供一種sic結(jié)勢壘肖特基二極管制作方法，使結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)及結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)通過一次離子注入工藝形成，在提高器件的擊穿電壓的同時簡化工藝流程，降低工藝難度和工藝成本。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種sic結(jié)勢壘肖特基二極管的制作方法，包括：

在n⁺-sic襯底上形成n^--sic外延層；

在n^--sic外延層形成光刻膠；

利用具有完全透光區(qū)、部分透光區(qū)和不透光區(qū)的掩膜版對光刻膠圖案化，形成與完全透光區(qū)對應(yīng)的第一區(qū)域，與部分透光區(qū)對應(yīng)的第二區(qū)域以及與不透光區(qū)對應(yīng)的第三區(qū)域；

利用al離子注入，在與第一區(qū)域?qū)?yīng)的外延層中形成p⁺結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)，在與第二區(qū)域?qū)?yīng)的外延層中形成p^-結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)；以及

去除光刻膠。

優(yōu)選地，還包括：

在n⁺-sic襯底的第一表面形成陰極電極；

在n^--sic外延層上形成圖案化鈍化層，露出p⁺結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)；

形成與p⁺結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)和n^--sic外延層肖特基接觸的陽極電極。

優(yōu)選地，部分透光區(qū)包括用于控制透光率的多個透光點，透光點形狀為圓形、方形或三角形。

優(yōu)選地，結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)包括n個p⁺型環(huán)，其中n≥2，p⁺型環(huán)為方形、u型或v型。

優(yōu)選地，p⁺結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)的摻雜濃度大于或等于1.0×10¹⁸cm^-3，p^-結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)的摻雜濃度小于或等于1.0×10¹⁸cm^-3。

優(yōu)選地，形成n^--sic外延層包括：

對n⁺-sic襯底進(jìn)行預(yù)處理；

在n⁺-sic襯底上通過cvd方法生長n^--sic外延層。

進(jìn)一步優(yōu)選地，n^--sic外延層厚度為5～100μm，摻雜濃度為1.0×10¹⁵～1.0×10¹⁶cm^-3。

優(yōu)選地，注入包括：

在300～500℃溫度下進(jìn)行不同能量和劑量組合的al離子注入，注入能量范圍為：10～700kev，注入劑量范圍為1×10¹³～1×10¹⁵cm^-2；

在1500℃～1700℃溫度范圍內(nèi)，氬氣環(huán)境中進(jìn)行10～30min的al離子激活退火，獲得p⁺結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)及p^-結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，在n⁺-sic襯底第一表面生長陰極電極包括：

在n⁺-sic襯底第一表面電子束蒸發(fā)ti/ni/pt金屬；

在900℃～1100℃溫度范圍內(nèi)，真空環(huán)境或惰性氣體氛圍中進(jìn)行快速熱退火；

在n⁺-sic襯底第一表面形成n⁺-sic的歐姆接觸電極。

優(yōu)選地，形成圖案化鈍化層包括：

通過pecvd在n^--sic外延層表面淀積鈍化層sio2；

在鈍化層上sio2上旋涂光刻膠并通過光刻形成肖特基接觸圖案；

腐蝕鈍化層sio2開孔，露出p⁺結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，通過電子束蒸發(fā)生長金屬ti/ni/al，形成與p⁺結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)肖特基接觸的陽極電極。

本發(fā)明的有益效果如下：

本發(fā)明的一種sic結(jié)勢壘肖特基二極管的制作方法，采用一次al離子注入可以同時形成p⁺的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)和p^-的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)，避免了多次al離子注入，簡化了器件制備工藝，在提高器件擊穿電壓的同時降低了工藝難度和工藝成本。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

圖1示出光刻掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2示出在n⁺-sic襯底2上外延一層n^--sic外延層3的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3示出以光刻掩膜版對光刻膠4進(jìn)行曝光并顯影、碳化操作后，n^--sic外延層3表面剩余光刻膠4的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4示出以光刻膠為掩膜進(jìn)行離子注入后表面所形成的p⁺的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6、p^-的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5以及表面殘留光刻膠4的剖面示意圖。

圖5示出去除光刻膠4后的剖面示意圖。

圖6示出淀積歐姆接觸金屬1后的剖面示意圖。

圖7示出淀積氧化層7并光刻開孔后的示意圖。

圖8示出淀積肖特基金屬8后的器件剖面示意圖。

具體實施方式

為了更清楚地說明本發(fā)明，下面結(jié)合優(yōu)選實施例和附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的，不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護范圍。

針對采用兩次不同劑量的al離子注入分別形成具有不同濃度的p⁺區(qū)和p^-區(qū)時工藝難度和工藝成本相對較高的問題，本發(fā)明的一種sic肖特基二極管的制作方法可利用一次al離子注入同時形成具有不同濃度p⁺和p^-兩個區(qū)域，從而形成具有結(jié)終端延伸的sic結(jié)勢壘肖特基二極管。

一種sic結(jié)勢壘肖特基二極管的制作方法，其制作步驟包括：

步驟1：

在第一導(dǎo)電類型sic襯底2正面生長第一導(dǎo)電類型sic外延層3。具體地，對第一導(dǎo)電類型sic襯底2進(jìn)行預(yù)處理；在第一導(dǎo)電類型sic襯底2正面通過cvd方法生長第一導(dǎo)電類型sic外延層3；第一導(dǎo)電類型外延層3厚度為5～100μm，摻雜濃度為1.0×10¹⁵～1.0×10¹⁶cm^-3，優(yōu)選地，第一導(dǎo)電類型sic外延層3厚度為12μm，摻雜濃度為8.0×10¹⁵cm^-3。其中，第一導(dǎo)電類型為n型，第二導(dǎo)電類型為p型；或第一導(dǎo)電類型為p型，第二導(dǎo)電類型為n型。

步驟2：

制作包括具有不同透光能力的多個掩膜區(qū)的光刻掩膜版。光刻掩膜版包括完全透光的第一區(qū)域、部分透光的第二區(qū)域和不透光的第三區(qū)域，第二區(qū)域?qū)?yīng)第二導(dǎo)電類型的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5，第一區(qū)域?qū)?yīng)第二導(dǎo)電類型的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6。第二導(dǎo)電類型的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6和第二導(dǎo)電類型的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5位于肖特基金屬接觸下和肖特基結(jié)邊緣處，通過al離子注入形成。第二區(qū)域包括用于控制透光率的多個透光點。透光點的形狀為圓形、方形、三角形或其他可透光形狀，根據(jù)透光率確定透光點的密度分布，控制注入al離子的劑量。

步驟3：

在第一導(dǎo)電類型sic外延層3表面涂覆一層光刻膠4，并利用光刻掩膜版進(jìn)行光刻、顯影和碳化處理。其中，利用所設(shè)計光刻掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光，基于光刻掩膜版不同區(qū)域而具有的不同的透光能力，光刻膠4對應(yīng)區(qū)域的曝光程度不同；對曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影，基于曝光程度不同，不同區(qū)域的光刻膠具有不同的腐蝕情況，例如完全透光區(qū)所對應(yīng)區(qū)域光刻膠完全被腐蝕掉，部分透光區(qū)所對應(yīng)區(qū)域光刻膠一部分被腐蝕掉，不透光區(qū)所對應(yīng)區(qū)域光刻膠完全保留；對曝光后的光刻膠4進(jìn)行高溫碳化作為離子注入的阻擋層。

步驟4：

對第一導(dǎo)電類型sic外延層3進(jìn)行第二導(dǎo)電類型注入，獲得第二導(dǎo)電類型的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5及第二導(dǎo)電類型的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6。其中，第二導(dǎo)電類型的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6包括n個第二導(dǎo)電類型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中n≥2。n個第二導(dǎo)電類型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)通過離子注入形成，呈等間距或不等間距分布，第二導(dǎo)電類型環(huán)的形狀為方形、u型、v型或其他環(huán)狀形狀。第二導(dǎo)電類型的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6摻雜濃度大于或等于第二導(dǎo)電類型的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5摻雜濃度。第二導(dǎo)電類型的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6摻雜濃度大于或等于1.0×10¹⁸cm^-3，第二導(dǎo)電類型的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5摻雜濃度小于或等于1.0×10¹⁸cm^-3。

在300～500℃溫度下進(jìn)行不同能量和劑量組合的al離子注入，注入能量范圍為：10～700kev，注入劑量范圍為1×10¹³～1×10¹⁵cm^-2。優(yōu)選地，在400℃溫度下進(jìn)行不同能量和劑量組合的al離子注入，注入能量分別為：500kev、280kev、30kev，注入劑量分別為7.8×10¹⁴cm^-2、5.2×10¹⁴cm^-2、8.6×10¹³cm^-2；在1500℃～1700℃溫度范圍內(nèi)，氬氣環(huán)境中進(jìn)行10～30min的al離子激活退火，獲得第二導(dǎo)電類型的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5及第二導(dǎo)電類型的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6。其中，由于經(jīng)過曝光、顯影和碳化后的光刻膠4厚度不同，對注入al離子的阻擋程度會有所不同，例如完全透光區(qū)所對應(yīng)區(qū)域al離子全部注入，形成高摻雜的第二導(dǎo)電類型區(qū)域；部分透光區(qū)所對應(yīng)區(qū)域光刻膠較薄，可以阻擋部分al離子，故al離子部分注入，形成低摻雜的第二導(dǎo)電類型區(qū)域；不透光區(qū)所對應(yīng)區(qū)域完全遮擋al離子，沒有al離子注入。高摻雜的第二導(dǎo)電類型區(qū)域的摻雜濃度大于或等于1.0×10¹⁸cm^-3，形成第二導(dǎo)電類型的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6，低摻雜的第二導(dǎo)電類型區(qū)域的摻雜濃度小于或等于1.0×10¹⁸cm^-3，形成第二導(dǎo)電類型的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5。

步驟5：

去掉第一導(dǎo)電類型sic外延層3上剩余的光刻膠4。

步驟6：

在第一導(dǎo)電類型sic襯底2背面生長陰極電極1。具體地，在第一導(dǎo)電類型sic襯底背面電子束蒸發(fā)ti/ni/pt金屬；在900℃～1100℃溫度范圍內(nèi)，真空環(huán)境或惰性氣體氛圍中進(jìn)行快速熱退火；在第一導(dǎo)電類型sic襯底背面形成第一導(dǎo)電類型sic的歐姆接觸電極。

步驟7：

在第一導(dǎo)電類型sic外延層3表面積淀鈍化層7，在鈍化層7上制作肖特基接觸。具體地，通過pecvd在第一導(dǎo)電類型sic外延層3表面淀積鈍化層sio2；在鈍化層上sio2上旋涂光刻膠并通過光刻形成肖特基接觸圖案；腐蝕鈍化層sio2開孔。

步驟8：

在第二導(dǎo)電類型的結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5邊緣處和第二導(dǎo)電類型的結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6上電子束蒸發(fā)生長金屬ti/ni/al，生長陽極電極8。

實施例1

本實施例中，以第一導(dǎo)電類型為n型，第二導(dǎo)電類型為p型為例進(jìn)行說明。本發(fā)明實施例提供的具有結(jié)終端延伸的sic結(jié)勢壘肖特基二極管，肖特基金屬下的p型區(qū)分別由p⁺-sic和p^--sic兩個區(qū)域構(gòu)成，其中，結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)由p⁺-sic區(qū)構(gòu)成，結(jié)終端延伸區(qū)域由p^--sic區(qū)構(gòu)成。以上p型sic區(qū)的實現(xiàn)通過一次al離子注入工藝完成。

其原理為：在al離子注入工藝前，預(yù)先制作包括具有不同透光能力的多個掩膜區(qū)的光刻掩膜版。在n^--sic外延層上涂覆一層光刻膠并通過對上述光刻掩膜版進(jìn)行曝光、顯影和碳化操作，獲得n^--sic外延層上具有不同阻擋能力的光刻膠作為離子注入的阻擋層。進(jìn)行al離子時，由于作為阻擋層的光刻膠對al離子的阻擋能力不同，使n^--sic外延層表面獲得不同摻雜濃度的p型區(qū)域，即p⁺-sic區(qū)域和p^--sic區(qū)域。其中由p⁺-sic區(qū)構(gòu)成結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)，由p^--sic區(qū)構(gòu)成結(jié)終端延伸區(qū)域，結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)和結(jié)終端延伸區(qū)域的形狀由光刻掩膜版設(shè)計的區(qū)域決定，p型區(qū)域的摻雜濃度由注入工藝決定，其不同區(qū)域的摻雜濃度差別由光刻掩膜版對應(yīng)區(qū)域的透光率決定。

本實施例中，由p^--sic區(qū)構(gòu)成結(jié)終端延伸區(qū)域為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，由p⁺-sic區(qū)構(gòu)成結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)為n個p⁺型環(huán)，其中n≥2。這種結(jié)構(gòu)比起只具有p⁺-jbs的器件，能夠進(jìn)一步降低肖特基結(jié)邊緣處表面峰值電場，從而有利于提高器件的擊穿電壓。

一種sic結(jié)勢壘肖特基二極管制作方法，具體技術(shù)方案如下：

步驟1：如圖1所示，設(shè)計光刻掩膜版，包括完全透光區(qū)0-1，部分透光區(qū)0-2，不透光區(qū)0-3。其中部分透光區(qū)0-2通過形成一系列透光點來控制透光率，其中透光點的形狀可以是圓形、方形、三角形等任意形狀，并可根據(jù)透光率確定透光點的密度分布。

本實施例中，透光點的形狀為圓形，光刻掩膜版包括三個不同透光率的區(qū)域，分別為完全透光區(qū)0-1、部分透光區(qū)0-2和不透光區(qū)0-3。

步驟2：如圖2所示，對n⁺-sic襯底進(jìn)行預(yù)處理，并在該n⁺襯底正面通過cvd方法生長n^--sic外延層，外延層厚度為12μm，摻雜濃度8.0×10¹⁵cm^-3，其中，cvd(chemicalvapordeposition)技術(shù)是化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

步驟3：在n^--sic外延層上涂光刻膠，用所設(shè)計光刻掩膜版進(jìn)行光刻，由于光刻版不同區(qū)域透光程度不同，故對于光刻膠曝光程度會有所不同。

步驟4：如圖3所示，對曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影，顯影后，由于曝光程度不同，完全透光區(qū)0-1所對應(yīng)區(qū)域光刻膠完全被腐蝕掉，部分透光區(qū)0-2所對應(yīng)區(qū)域光刻膠一部分被腐蝕掉，不透光區(qū)0-3所對應(yīng)區(qū)域光刻膠沒有腐蝕完全保留。

步驟5：如圖4所示，高溫al離子注入形成p型摻雜，在400℃溫度下進(jìn)行不同能量和劑量組合的al離子注入，注入能量分別為：500kev、280kev、30kev；注入劑量分別為7.8×10¹⁴cm^-2、5.2×10¹⁴cm^-2、8.6×10¹³cm^-2。由于掩膜厚度的不同，對注入al離子的阻擋程度會有所不同，全透光區(qū)0-1所對應(yīng)區(qū)域al離子全部注入，形成p⁺區(qū)域；部分透光區(qū)0-2所對應(yīng)區(qū)域光刻膠較薄，可以阻擋部分al離子，故al離子部分注入，形成p^-區(qū)域；不透光區(qū)0-3所對應(yīng)區(qū)域完全遮擋al離子，沒有al離子注入。

應(yīng)注意的是，al離子注入不限于本實施例中注入形式，能滿足本發(fā)明中不同區(qū)域摻雜濃度即可，例如：在400℃溫度下，al離子注入的能量為30kev至550kev；所述注入的能量包括30kev、70kev、100kev、136kev、150kev、215kev、307kev、412kev和550kev；所述能量的注入劑量分別為2×10¹⁴cm^-2、2.6×10¹⁴cm^-2、3.5×10¹⁴cm^-2、6.5×10¹⁴cm^-2、5.2×10¹³cm^-2、7.7×10¹³cm^-2、9×10¹³cm^-2、1.02×10¹⁴cm^-2和1.67×10¹⁴cm^-2。

步驟6：如圖5所示，去掉表面光刻膠，在1500℃至1700℃溫度范圍內(nèi)，在惰性氣體例如氬氣氛圍中，進(jìn)行al離子注入后的激活退火，獲得p⁺結(jié)勢壘區(qū)和p^-結(jié)終端擴展區(qū)。

步驟7：如圖6所示，在n⁺-sic襯底背面電子束蒸發(fā)ti/ni/pt金屬，在900℃至1100℃溫度范圍內(nèi)，在真空環(huán)境或惰性氣體氛圍中進(jìn)行快速熱退火，在n⁺-sic襯底背面形成n⁺-sic的歐姆接觸。

步驟8：通過pecvd在已完成p⁺和p^-注入的n^--sic外延層表面淀積鈍化層sio2。

步驟9：如圖7所示，鈍化層上sio2上旋涂光刻膠后，通過光刻形成肖特基接觸圖案，腐蝕鈍化層sio2開孔后，再用電子束蒸發(fā)生長金屬ti/ni/al。

步驟10：剝離金屬，完成器件的制備。

如圖8所示，按照上述sic結(jié)勢壘肖特基二極管制作方法制作的sic結(jié)勢壘肖特基二極管包括如下結(jié)構(gòu)：

n⁺-sic襯底2；

形成于該n⁺-sic襯底2背部的陰極電極1；

形成于該n⁺-sic襯底2之上的同型n^--sic外延層3；

形成于該n^--sic外延層3上的sio2鈍化層7和陽極電極8；

形成于陽極電極8金屬接觸邊緣處的一個p^-型結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)5；

形成于陽極電極8下的p⁺結(jié)勢壘結(jié)構(gòu)6。

顯然，本發(fā)明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對本發(fā)明的實施方式的限定，對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動，這里無法對所有的實施方式予以窮舉，凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護范圍之列。