技術(shù)編號：11836634
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非對稱源極/漏極深度。背景技術(shù)集成電路的制造包括在單個晶圓上形成大量的非常小的器件。隨著制造技術(shù)的提高，器件變得更小，從而使得更多的器件可以安裝在更少量的空間內(nèi)。通常形成的器件是晶體管。晶體管通常包括柵極端子、源極端子和漏極端子。溝道設(shè)置在柵極下方和源極和漏極端子之間?；谑┘拥綎艠O的信號，允許或阻止電流流過溝道。隨著半導(dǎo)體器件的尺寸減小，期望找到允許具有高性能的低成本高效率器件的方法和結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：松弛的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。