本發(fā)明涉及非對稱源極/漏極深度。

背景技術：

集成電路的制造包括在單個晶圓上形成大量的非常小的器件。隨著制造技術的提高，器件變得更小，從而使得更多的器件可以安裝在更少量的空間內(nèi)。通常形成的器件是晶體管。晶體管通常包括柵極端子、源極端子和漏極端子。溝道設置在柵極下方和源極和漏極端子之間?；谑┘拥綎艠O的信號，允許或阻止電流流過溝道。隨著半導體器件的尺寸減小，期望找到允許具有高性能的低成本高效率器件的方法和結(jié)構。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導體器件，包括：松弛的半導體層，位于襯底上，所述襯底包括n型區(qū)和p型區(qū)；拉伸應變的半導體層，位于所述松弛的半導體層上；壓縮應變的半導體層，位于所述p型區(qū)中的所述拉伸應變的半導體層上；第一柵極和第二柵極，所述第一柵極位于所述n型區(qū)中并且所述第二柵極位于所述p型區(qū)中；以及第一組源極/漏極部件和第二組源極/漏極部件，所述第一組源極/漏極部件鄰近所述第一柵極并且所述第二組源極/漏極部件鄰近所述第二柵極，所述第二組源極/漏極部件比所述第一組源極/漏極部件更深。

在上述半導體器件中，還包括：隔離結(jié)構，位于所述p型區(qū)和所述n型區(qū)之間。

在上述半導體器件中，所述第一組源極/漏極部件之間的溝道長度大于所述第二組源極/漏極部件之間的溝道長度。

在上述半導體器件中，所述第一組源極/漏極部件在面向所述第一組源 極/漏極部件之間的溝道的側(cè)部上具有圓形輪廓。

在上述半導體器件中，所述第二組源極/漏極部件包括上部和下部，所述上部包括尖端形輪廓并且所述下部包括筆直輪廓。

在上述半導體器件中，所述拉伸應變的半導體層的晶格常數(shù)小于所述松弛的半導體層的晶格常數(shù)。

在上述半導體器件中，所述壓縮應變的半導體層的晶格常數(shù)大于所述松弛的半導體層的晶格常數(shù)。

在上述半導體器件中，所述第一組源極/漏極部件的晶格常數(shù)小于所述拉伸應變的半導體層的晶格常數(shù)。

在上述半導體器件中，所述第二組源極/漏極部件的晶格常數(shù)大于所述壓縮應變的半導體層的晶格常數(shù)。

在上述半導體器件中，所述第一組源極/漏極部件和所述第二組源極/漏極部件在頂部上比在底部上具有更高的摻雜劑濃度。

在上述半導體器件中，所述第一組源極/漏極部件不延伸至所述松弛的半導體層。

在上述半導體器件中，所述第二組源極/漏極部件延伸至所述松弛的半導體層內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種半導體器件，包括：襯底，具有第一區(qū)和第二區(qū)；n型晶體管，位于所述第一區(qū)中，所述n型晶體管包括第一組源極/漏極部件；以及p型晶體管，位于所述第二區(qū)中，所述p型晶體管包括第二組源極/漏極部件；其中，所述第二組源極/漏極部件比所述第一組源極/漏極部件延伸得更深。

在上述半導體器件中，所述p型晶體管和所述n型晶體管是鰭式場效應晶體管(finFET)。

在上述半導體器件中，所述n型晶體管的溝道包括拉伸應變的材料，并且所述p型晶體管的溝道包括壓縮應變的材料。

在上述半導體器件中，沿著所述第一組源極/漏極部件的頂部的所述第一組源極/漏極部件的部分比所述第一組源極/漏極部件的剩余部分包括更高濃度的n型摻雜劑。

在上述半導體器件中，沿著所述第二組源極/漏極部件的頂部的所述第二組源極/漏極部件的部分比所述第二組源極/漏極部件的剩余部分包括更高濃度的p型摻雜劑。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在襯底上形成松弛的半導體層，所述襯底包括n型區(qū)和p型區(qū)；在所述松弛的半導體層上形成拉伸應變的半導體層；蝕刻位于所述p型區(qū)中的所述拉伸應變的半導體層的部分；在所述p型區(qū)中的所述拉伸應變的半導體層上形成壓縮應變的半導體層；形成位于所述n型區(qū)中的第一柵極和位于所述p型區(qū)中的第二柵極；以及形成鄰近所述第一柵極的第一組源極/漏極部件和鄰近所述第二柵極的第二組源極/漏極部件，所述第二組源極/漏極部件比所述第一組源極/漏極部件更深。

在上述方法中，還包括：在所述p型區(qū)和所述n型區(qū)之間形成隔離結(jié)構。

在上述方法中，還包括：在形成所述壓縮應變的半導體層之后，蝕刻所述隔離結(jié)構以在所述n型區(qū)中形成第一鰭式結(jié)構和在所述p型區(qū)中形成第二鰭式結(jié)構。

附圖說明

當結(jié)合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應該注意，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1A至圖1H是根據(jù)本文描述的原理的一個實例的示出用于形成具有非對稱源極/漏極部件深度的器件的示例性工藝的圖。

圖2A至圖2B是根據(jù)本文描述的原理的一個實例的示出源極/漏極部件的摻雜濃度的圖。

圖3是根據(jù)本文描述的原理的一個實例的示出用于形成具有非對稱源極/漏極深度的器件的示例性方法的流程圖。

具體實施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的不同實施例或?qū)嵗?。下面描述了部件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當然，這些僅是實例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。

而且，為了便于描述，本文可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空間相對術語以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，并且本文使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應的解釋。

根據(jù)本文描述的原理，半導體器件具有處于p型和n型晶體管之間的不同深度處的源極/漏極部件。具體地，n型器件比p型器件具有更淺的源極/漏極部件。n型器件和p型器件的源極/漏極部件可能在其他方面不同，以改進器件的性能。例如，n型器件的源極/漏極部件可能具有圓形輪廓，而p型器件的源極/漏極部件可能具有帶有尖端或頂點的輪廓。

圖1A至圖1H是示出用于形成具有非對稱源極/漏極部件深度的器件的示例性工藝的圖。圖1A示出了具有n型區(qū)101和p型區(qū)103的半導體襯底102。半導體襯底102具有設置在其上的松弛的半導體層104。在松弛的半導體層104上設置拉伸應變的半導體層106。

半導體襯底102可以是半導體晶圓的一部分。半導體襯底102由諸如硅的半導體材料制成。也可以使用其他類型的半導體材料。半導體襯底102具有n型區(qū)，這意味著它旨在用于n型晶體管。因此，n型區(qū)包括p阱。P阱是摻雜有諸如硼的p型摻雜劑的半導體的一部分。此外，半導體襯底102還包括p型區(qū)，這意味著它旨在用于p型晶體管。因此，p型區(qū)可以包括n 阱。n阱是摻雜有諸如砷和磷的n型摻雜劑的半導體襯底的一部分。

在半導體襯底102上形成松弛的半導體層104。松弛的半導體層104可以具有大于1微米的厚度?？梢酝ㄟ^外延生長工藝形成松弛的半導體層104。外延生長工藝是在襯底晶體材料的表面上生長一種晶體材料的工藝，襯底晶體材料有時被稱為籽晶?？梢酝ㄟ^使用氣體或液體前體生長外延層。被沉積的材料將鎖定至籽晶的晶體結(jié)構上。通過將含有摻雜劑的物質(zhì)添加至源氣體可以原位摻雜外延生長層。

例如，松弛的半導體層104可以由硅鍺制成。鍺在硅內(nèi)的加入影響晶體結(jié)構的晶格常數(shù)。晶格常數(shù)是從晶體結(jié)構的一個單元內(nèi)的點到晶體結(jié)構的相鄰單元的相應的點的距離。例如，晶格常數(shù)可以從一個單元的中心到相鄰的單元的中心測量。之所以稱為松弛的半導體層104是因為它比相鄰的層具有更大的晶格常數(shù)。通過調(diào)節(jié)半導體層內(nèi)的鍺濃度可以調(diào)整松弛的半導體層104的晶格常數(shù)。松弛的半導體層104除了可以由硅鍺制成之外，還可以由各種其他材料制成。例如，松弛的半導體層104可以由磷化銦鎵(InGaP)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、砷化銦鎵(InGaAs)、砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、銻化鎵(GaSb)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、和其他合適的材料制成。

在松弛的半導體層104上外延生長拉伸應變層106。拉伸應變層可以具有在約40納米至約100納米的范圍內(nèi)的厚度。拉伸應變的半導體層106處于拉伸應變狀態(tài)，因為它具有比松弛的半導體層104更小的晶格常數(shù)。因此，在外延生長工藝期間，當拉伸應變的半導體層106的晶體結(jié)構鎖定在下面的松弛的半導體層104的晶體結(jié)構上時，拉伸應變的半導體層106的單元被輕微地拉開，從而導致拉伸應變。這樣的拉伸應變對于n型器件的溝道是理想的。拉伸應變的半導體層106除由硅制成之外，還可以由各種其他材料制成。例如，拉伸應變的半導體層106可以由磷化銦鎵(InGaP)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、砷化銦鎵(InGaAs)、砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、銻化鎵(GaSb)、砷化鋁鎵(AlGaAs)和其他合適的材料制成。

圖1B是示出位于n型區(qū)101和p型區(qū)103之間的隔離結(jié)構108的形成 的圖?？梢詧D案化隔離結(jié)構以在集成電路內(nèi)形成并且隔離各個部件。例如，隔離結(jié)構可以是淺溝槽隔離(STI)結(jié)構。這種結(jié)構是通過在襯底內(nèi)蝕刻淺溝槽而形成的。然后用介電材料填充溝槽。介電材料不傳導電流，從而使得器件彼此有效地電隔離。然后，對襯底實施化學機械拋光(CMP)工藝以平坦化STI結(jié)構的表面。CMP工藝包括包含磨料和化學蝕刻劑的漿料。磨料實施CMP工藝的機械部分而化學蝕刻劑實施CMP過工藝的化學部分。在施加CMP漿料的同時，拋光墊拋光該表面。

圖1C是示出用于去除p型區(qū)內(nèi)的拉伸應變的半導體層106的一部分的示例性蝕刻工藝110的圖。具有壓縮應變的溝道而不是拉伸應變的溝道的P型器件可以更有效地運行。因此，期望以壓縮應變的溝道代替拉伸應變的溝道。

蝕刻工藝110可以是干蝕刻工藝，其中，使用離子轟擊去除拉伸應變的半導體層106的材料。干蝕刻是各向異性的，并且因此主要在單方向上蝕刻。可以通過使用各種光刻技術在適當?shù)奈恢弥袘梦g刻工藝110。例如，掩模(未示出)可以用于覆蓋n型區(qū)，同時對p型區(qū)實施蝕刻工藝?？梢酝ㄟ^在整個晶圓上沉積掩模材料來形成這種掩模層。然后，施加光刻膠層。然后通過使用光掩模將光刻膠層暴露于光源。圖案化光掩模，從而使得光刻膠的一些部分暴露于光而一些部分不暴露于光。然后使用顯影液，以去除光刻膠層的較弱部分。然后可以實施蝕刻工藝以從未被光刻膠層覆蓋的區(qū)域去除硬掩模。然后可以去除光刻膠層，從而留下圖案化的硬掩模。

圖1D是示出形成壓縮應變的半導體層114的外延生長工藝112的圖。壓縮應變的半導體層114比拉伸應變的半導體層106具有更大的晶格常數(shù)。因此，當壓縮應變的半導體層114外延生長在拉伸應變的半導體層106上時，壓縮應變的半導體層114的單元鎖定在拉伸應變的半導體層106的單元上，從而導致壓縮應變。例如，壓縮應變的半導體層114可以由硅鍺制成?？梢哉{(diào)整硅與鍺的比例以實現(xiàn)理想的晶格常數(shù)。壓縮應變的半導體層114除了可以由硅鍺制成之外，還可以由各種其他材料制成。例如，壓縮應變的半導體材料可以由純鍺(Ge)、錫化鍺(GeSn)、磷化銦鎵(InGaP)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、砷化銦鎵(InGaAs)、砷化鎵(GaAs)、 銻化銦(InSb)、銻化鎵(GaSb)、砷化鋁鎵(AlGaAs)和其他合適的材料制成。壓縮應變的半導體層可以具有在約30納米至約90納米的范圍內(nèi)的厚度。

圖1E是示出示例性finFET(鰭式場效應晶體管)形成工藝的圖。這是通過實施蝕刻工藝116以去除隔離結(jié)構108的部分來完成的。蝕刻工藝116是選擇性的蝕刻工藝，從而使得去除隔離結(jié)構的材料而剩余部件仍基本上保持完整。具體而言，蝕刻工藝116將使得拉伸應變的半導體層106和壓縮應變的半導體層114基本上保持完整。結(jié)果在n型區(qū)101中形成第一鰭式結(jié)構111而在p型區(qū)103中形成第二鰭式結(jié)構113。鰭式結(jié)構從隔離結(jié)構108的表面突出以形成鰭式形狀。這樣的鰭式形狀可以對晶體管器件提供很多益處。

圖1F是示出在鰭式結(jié)構111、113上形成柵極120的圖。具體而言，在n型區(qū)101中，在第一鰭式結(jié)構111上形成第一柵極120-1。在p型區(qū)103中，在第二鰭式結(jié)構113上形成第二柵極120-2。在一個實例中，柵極120垂直于下面的鰭式結(jié)構111、113。柵極120也可以具有形成在其上的側(cè)壁間隔件122。側(cè)壁間隔件122可以用于各種目的，包括限定將形成的源極/漏極部件的位置。在一些實例中，柵極120是偽柵極，其將在制造工藝的進一點處被金屬柵極取代。偽柵極可以由諸如多晶硅的材料制成。因為包括在各個退火工藝中的高溫會破壞金屬柵極，形成偽柵極和然后在已經(jīng)實施退火工藝之后用金屬柵極代替?zhèn)螙艠O。

圖1G是示出在n型區(qū)中形成源極/漏極部件124的圖。在一個實例中，在n型區(qū)中實施工藝之前，在晶圓上沉積掩模層(未示出)和然后圖案化掩模層，從而使得其覆蓋p型區(qū)103而暴露n型區(qū)。例如，掩?？梢杂啥趸?SiO₂)或氮化硅(Si₃N₄)制成?？梢允褂酶鞣N光刻技術圖案化掩模。例如，如上所述，可以在掩模上方沉積光刻膠層，通過使用光掩模將光刻膠層暴露于光源，和然后顯影光刻膠層，從而使得光刻膠層暴露將被去除的掩模的部分。蝕刻工藝然后從暴露區(qū)域去除掩模。然后可以去除光刻膠層。

通過首先蝕刻拉伸應變的半導體層106的一部分以形成凹槽來形成源 極/漏極部件124。通過調(diào)整蝕刻工藝可以形成特定深度132的凹槽。此外，該凹槽可以形成為具有圓形輪廓。然后用源極/漏極材料填充凹槽。可以使用外延生長工藝在凹槽中形成源極/漏極材料。用于n型區(qū)的源極/漏極材料可以是比拉伸應變的半導體層106具有更小的晶格常數(shù)的材料。例如，源極/漏極部件124可以由碳化硅(SiC)制成。這在源極/漏極部件124之間的溝道上產(chǎn)生甚至更多的拉伸應變。這是因為當源極/漏極部件124傾向于收縮時，溝道材料傾向于膨脹。

源極/漏極部件124也摻雜有諸如硼的n型摻雜劑。可以利用外延生長工藝原位實施源極/漏極部件124的摻雜。可選地，可以在已經(jīng)外延生長源極/漏極部件124之后以單獨的工藝實施源極/漏極部件124的摻雜。

圖1H是示出在p型區(qū)103中形成源極/漏極部件126的圖。在一個實例中，在p型區(qū)中實施工藝之前，在晶圓上沉積第二掩模層(未示出)和然后圖案化掩模層，從而使得其覆蓋n型區(qū)101而暴露p型區(qū)103。

通過首先蝕刻壓縮應變的半導體層114的一部分以形成凹槽來形成源極/漏極部件126?？梢孕纬商囟ㄉ疃?34的凹槽。此外，該凹槽可以形成為具有特定的輪廓。例如，該輪廓可以具有下部130和上部128。下部130具有筆直的輪廓。上部具有帶有指向溝道的頂點或尖端的輪廓。

可以通過包括濕蝕刻和干蝕刻的多步蝕刻工藝形成上部128的輪廓。例如，用于形成源極/漏極部件126的凹槽的蝕刻工藝可以在濕蝕刻和干蝕刻步驟之間交替。濕蝕刻使用化學蝕刻劑以去除材料。濕蝕刻是各向同性的，因此一般會在所有方向上蝕刻。但是，被去除的材料的晶體結(jié)構可以影響不同方向上的蝕刻速率。例如，沿著一個軸的蝕刻速率可以與沿著不同軸的蝕刻速率不同。因此，通過調(diào)整壓縮應變的半導體層114和拉伸應變的半導體層106的晶體結(jié)構，以及調(diào)整多步蝕刻工藝，可以實現(xiàn)期望的輪廓。

然后用源極/漏極材料填充凹槽?？梢允褂猛庋由L工藝在凹槽中形成源極/漏極材料。用于p型區(qū)的源極/漏極材料可以是比壓縮應變的半導體層114具有更大的晶格常數(shù)的材料。例如，源極/漏極部件126可以由硅鍺制成。但是，源極/漏極部件126的硅鍺可以具有比壓縮應變的半導體層114 的硅鍺更高的鍺濃度，這導致它具有更大的晶格常數(shù)。這導致p型源極/漏極部件126之間的溝道甚至被更大程度地壓縮。

源極/漏極部件126也摻雜有諸如磷的p型摻雜劑。可以利用外延生長工藝原位實施源極/漏極部件126的摻雜。可選地，可以在已經(jīng)外延生長源極/漏極部件126之后以單獨的工藝實施源極/漏極部件126的摻雜。

因為用于p型源極/漏極部件126的凹槽形成在深度134處，深度134比用于形成n型源極/漏極部件124的凹槽的深度更深，所以p型源極/漏極部件比n型源極/漏極部件124延伸得更深。在本實例中，n型源極漏極區(qū)不延伸到松弛的半導體層104內(nèi)。然而，p型源極/漏極部件延伸至松弛的半導體層104內(nèi)。

由于不同類型的輪廓，n型器件111的溝道長度136與p型器件113的溝道長度138不同。具體而言，p型器件113的溝道長度138小于n型器件111的溝道長度136。p型器件113的較小的溝道長度138有助于提高p型器件113的性能。

根據(jù)本文描述的原理，在n型區(qū)的源極/漏極部件124和p型區(qū)的源極/漏極部件126之間具有不對稱的深度。不對稱的深度允許n型和p型器件(特別地，晶體管)之間的溝道應變最優(yōu)化。在一個實例中，位于n型區(qū)101中的源極/漏極部件124的深度在約30納米至約60納米的范圍內(nèi)。在一個實例中，位于P型區(qū)中的源極/漏極部件126的深度在約40納米至約100納米的范圍內(nèi)。

圖2A至圖2B是示出源極/漏極部件的摻雜濃度的圖。圖2A是示出用于n型區(qū)101的示例性摻雜濃度的圖。根據(jù)本實例，源極/漏極部件124具有約3×10²¹/cm³的摻雜濃度。此外，源極/漏極部件具有下部202，下部202沿著源極/漏極部件124的底部具有較低的濃度。這一下部202可以具有約7×10²⁰/cm³的濃度。在一些實例中，首先形成下部202，并且下部202摻雜為具有適當?shù)膿诫s濃度。然后，形成具有適當?shù)膿诫s濃度的剩余的源極/漏極部件124。

圖2B是示出用于p型區(qū)103的示例性摻雜濃度的圖。根據(jù)本實例，源極/漏極部件126具有約6×10²⁰/cm³的摻雜濃度。此外，源極/漏極部件具 有上部204，上部204沿著源極/漏極部件126的頂部具有較高的濃度。這些上部204可以具有約1×10²¹/cm³的濃度。在一些實例中，源極/漏極部件126的下部形成為具有適當?shù)膿诫s濃度。然后，源極/漏極部件126的上部204形成為具有適當?shù)膿诫s濃度。從而，n型源極/漏極部件124和p型源極/漏極部件126與底部相比向著頂部具有更高的摻雜濃度。

圖3是示出用于形成諸如具有非對稱源極/漏極深度的晶體管的器件的示例性方法的流程圖。根據(jù)本實例，方法300包括用于在襯底上形成松弛的半導體層的步驟302，該襯底包括n型區(qū)和p型區(qū)。n型區(qū)旨在用于n型器件，并且因此包括p阱。p型區(qū)旨在用于p型器件，并且因此包括n阱。在一些實例中，n型區(qū)和p型區(qū)通過諸如STI區(qū)的隔離結(jié)構分隔開。例如，松弛的半導體層可以由硅鍺制成?？梢允褂猛庋由L工藝形成松弛的半導體層。

方法300還包括用于在松弛的半導體層上形成拉伸應變的半導體層的步驟304?？梢允褂猛庋由L工藝形成拉伸應變的半導體層。拉伸應變的半導體層具有比松弛的半導體層更小的晶格常數(shù)，從而導致拉伸應變。拉伸應變的半導體層可以用作n型晶體管的溝道材料。

方法300還包括用于蝕刻拉伸應變的半導體層的一部分的步驟306。這在將形成p型器件的p型區(qū)中完成?？梢酝ㄟ^使用干蝕刻工藝完成該蝕刻。也可以使用其他蝕刻工藝。

方法300還包括用于在p型區(qū)中的拉伸應變的半導體層上形成壓縮應變的半導體層的步驟308，在p型區(qū)中，拉伸應變的半導體材料的部分被去除。壓縮應變的半導體層具有比拉伸應變的半導體層更大的晶格常數(shù)，這導致壓縮應變。

該方法還包括用于在n型區(qū)中形成第一柵極和在p型區(qū)中形成第二柵極的步驟310。柵極可以包括柵極間隔件。在一些實例中，在形成柵極之前，部分地回蝕刻隔離結(jié)構從而使得半導體部件形成鰭式結(jié)構。

方法300還包括用于形成鄰近第一柵極的第一組源極/漏極部件和形成鄰近第二柵極的第二組源極/漏極部件的步驟312，第二組源極/漏極部件比第一組源極/漏極部件更深。通過使得p型器件的源極/漏極部件比n型器件 的源極/漏極部件更深，可以優(yōu)化相應器件的溝道應變。具體而言，當溝道被拉伸應變時，增強了n型器件中的性能。相反，當溝道被壓縮應變時，增強了p型器件中的性能?？梢赃x擇用于n型器件中的源極/漏極部件的材料以具有比溝道的晶格常數(shù)更小的晶格常數(shù)的材料，從而進一步提高拉伸應變。類似地，可以選擇用于p型器件中的源極/漏極部件的材料以具有比溝道的晶格常數(shù)更大的晶格常數(shù)的材料，從而提高壓縮應變。

此外，兩組源極/漏極部件之間的源極/漏極部件的輪廓不同。具體而言，用于n型器件的源極/漏極部件可以具有圓形輪廓，而用于P型器件的源極/漏極部件可以具有頂點或尖端。此外，P型器件的溝道長度可以小于n型器件的溝道長度。在一些實例中，摻雜濃度也可以是梯度的。具體而言，向著源極/漏極區(qū)的頂部可以具有更高的摻雜濃度。此外，n型器件的源極/漏極部件和p型器件的源極/漏極部件之間的梯度分布可以不同。

根據(jù)一個實例，一種半導體器件包括位于襯底上的松弛的半導體層，襯底包括n型區(qū)和p型區(qū)；位于松弛的半導體層上的拉伸應變的半導體層；位于p型區(qū)中的拉伸應變的半導體層上的壓縮應變的半導體層；位于n型區(qū)中的第一柵極和位于p型區(qū)中的第二柵極；以及鄰近第一柵極的第一組源極/漏極部件和鄰近第二柵極的第二組源極/漏極部件，第二組源極/漏極部件比第一組源極/漏極部件更深。

根據(jù)一個實例，一種半導體器件，包括：具有第一區(qū)和第二區(qū)的襯底；位于第一區(qū)中的n型晶體管，n型晶體管包括第一組源極/漏極部件；以及位于第二區(qū)中的p型晶體管，p型晶體管包括第二組源極/漏極部件。第二組源極/漏極部件比第一組源極/漏極部件延伸得更深。

根據(jù)一個實例，一種制造半導體器件的方法包括：在襯底上形成松弛的半導體層，襯底包括n型區(qū)和p型區(qū)；在松弛的半導體層上形成拉伸應變的半導體層；蝕刻位于p型區(qū)中的拉伸應變的半導體層的部分；在p型區(qū)中的拉伸應變的半導體層上形成壓縮應變的半導體層；形成位于n型區(qū)中的第一柵極和位于p型區(qū)中的第二柵極；以及形成鄰近第一柵極的第一組源極/漏極部件和鄰近第二柵極的第二組源極/漏極部件，第二組源極/漏極部件比第一組源極/漏極部件更深。

上面論述了多個實施例的特征，使得本領域普通技術人員可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領域普通技術人員應該理解，他們可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎來設計或修改其他用于執(zhí)行與本文所介紹的實施例執(zhí)行相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的其他處理工藝和結(jié)構。本領域普通技術人員還應該意識到，這種等同構造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明進行多種變化、替換以及改變。