技術(shù)編號(hào):12176254
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及閃存(FlashMemory)的控制,尤其涉及一種用來管理一記憶裝置的方法以及其相關(guān)的記憶裝置與控制器。背景技術(shù)近年來由于閃存的技術(shù)不斷地發(fā)展,各種可攜式記憶裝置(例如:符合SD/MMC、CF、MS、XD標(biāo)準(zhǔn)的記憶卡)被廣泛地實(shí)施于諸多應(yīng)用中。因此,這些可攜式記憶裝置中的閃存的訪問控制遂成為相當(dāng)熱門的議題。以常用的NAND型閃存而言,其主要可區(qū)分為單階細(xì)胞(SingleLevelCell,SLC)與多階細(xì)胞(MultipleLevelCell,MLC)兩大類的閃存。單階細(xì)胞閃存中的每個(gè)...
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