技術(shù)編號(hào)：12274972
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法和測(cè)試電路。背景技術(shù)靜電和靜電放電在日常生活中無處不見，但對(duì)于電子器件而言，一次人體無法察覺的輕微放電就可能導(dǎo)致電子器件嚴(yán)重?fù)p傷或失靈，或者，當(dāng)電子器件單獨(dú)放置或裝入電路模塊時(shí)，即使沒有加電，靜電也可能造成器件的永久性損壞。因此現(xiàn)有的電子器件中，對(duì)靜電放電敏感的元件，如集成電路和晶體管等，均帶有靜電防護(hù)(ElectronStaticDischarge，ESD)設(shè)計(jì)。以N型MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)為例，參考圖1a所示...
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