技術(shù)編號(hào)：12285517
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。甲硅烷基環(huán)戊二烯基鉬和甲硅烷基烯丙基配合物及其在薄膜沉積中的應(yīng)用參見(jiàn)相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)要求2014年3月13日遞交的第61/952633號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)的權(quán)益，其全部公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合到本申請(qǐng)中。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及甲硅烷基環(huán)戊二烯基鉬和甲硅烷基烯丙基配合物以及使用該配合物通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)技術(shù)制備薄膜的方法。背景技術(shù)不同的有機(jī)金屬前驅(qū)體被用于形成介電金屬薄膜。各種各樣的技術(shù)被應(yīng)用于薄膜沉積。這些技術(shù)包括反應(yīng)濺射法、離子束輔助沉積、溶膠-凝膠沉積、CVD(又稱為金屬有機(jī)物...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。