技術(shù)編號：12686595
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米氧化鋅材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種原位制備ZnO納米棒陣列薄膜的方法及其制得的薄膜。背景技術(shù)ZnO在常溫下的禁帶寬度為3.37eV，是一種帶隙寬、激子束縛能高、熱穩(wěn)定性好、制備方法簡單、形貌尺寸多樣以及價格低廉的半導(dǎo)體材料。ZnO各晶面的生長速度有很大不同，因此在制備ZnO過程中，可以通過調(diào)控實驗條件，來改變不同方向的生長速率，從而獲得各種各樣的納米形貌結(jié)構(gòu)。ZnO具有納米顆粒、納米梳、納米陣列、納米空心球、納米帶、納米環(huán)、納米管等多種形貌結(jié)構(gòu)，可廣泛應(yīng)用于陶瓷、化工、光學(xué)、電子和生...
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