技術(shù)編號：1915774
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，所述低電阻率碳化硅陶瓷的組成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN 的含量1—5wt%，B4C 的含量≤1wt%，C的含量為0—3wt%，其余為SiC。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及一種低電阻率碳化硅(SiC)陶瓷的制備方法，屬于SiC陶瓷領(lǐng)域。 背景技術(shù) [0002]大功率脈沖系統(tǒng)原理在于先將從低功率能源中獲得的能量儲存起來，然后將這些能量經(jīng)高功率脈沖發(fā)生器轉(zhuǎn)變成高功率脈沖，并傳給負載。在該系統(tǒng)中需要用到純電阻器件，并要求其...
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