技術(shù)編號：2730231
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。本申請基于2009年7月7日在日本申請的特愿2009-160857號，主張優(yōu)先權(quán)，在這里援用其內(nèi)容。背景技術(shù)在半導體元件、液晶元件等的制造工序中，近年來，由光刻形成圖案的微細化正在急速發(fā)展。微細化的方法有照射光的短波長化。最近引入了 KrF準分子激光器(波長248nm)光刻技術(shù)，謀求更短波長化的ArF準分子激光器(波長193nm)光刻技術(shù)以及EUV準分子激光器(波長13nm)光刻技術(shù)正在被研究著。此外，例如作為能夠適宜地應對照射光的短波長化以及...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。