技術(shù)編號(hào)：2763462
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體元件等的制備工序中的微細(xì)加工中采用的多層抗蝕工序中 有效的用于形成光刻用下層膜的組合物、以及使用用于形成光刻用下層膜的組合物的光致 抗蝕圖案的形成方法。背景技術(shù)以往，在半導(dǎo)體裝置的制備中，利用使用了光致抗蝕劑組合物的光刻而進(jìn)行微細(xì) 加工。近年來，伴隨著LSI的高集成化和高速化，在謀求圖案規(guī)則的更微細(xì)化中，使用了作 為現(xiàn)在通用技術(shù)的光曝光的光刻中，越來越接近光源的波長(zhǎng)帶來的本質(zhì)的析像度的界限。 作為抗蝕圖案形成時(shí)使用的光刻用的光源，由KrF...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。