技術(shù)編號(hào)：2776894
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及正性或負(fù)性抗蝕劑組合物以及使用該抗蝕劑組合物形成抗蝕劑圖案的方法，所述組合物在包括浸漬光刻技術(shù)(浸漬曝光)步驟的抗蝕劑圖案形成方法中使用。背景技術(shù) 光刻技術(shù)廣泛用于在各種電子設(shè)備如半導(dǎo)體設(shè)備和液晶設(shè)備中制備微觀結(jié)構(gòu)，而這些設(shè)備結(jié)構(gòu)發(fā)展的小型化引起了人們對(duì)于在這些光刻法中使用的抗蝕劑圖案進(jìn)一步小型化的需求。對(duì)于當(dāng)前的光刻技術(shù)，使用最新的ArF準(zhǔn)分子激光，可以形成線寬約為90nm的精細(xì)抗蝕劑圖案，但是，將來(lái)需要形成更精細(xì)的圖案。為了能夠形成小于90n...
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