技術(shù)編號：3307983
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。提供了一種用于在襯底上形成金屬硅化物層的方法。根據(jù)一個實施方案，該方法包括將襯底設(shè)置在處理室中；以第一襯底溫度將襯底暴露于由包含金屬前體的沉積氣體生成的等離子體，其中等離子體暴露以自限性過程在襯底上形成共形的含金屬層。該方法還包括以第二襯底溫度將含金屬層在不存在等離子體的條件下暴露于還原氣體，其中將上述暴露步驟交替地進行至少一次以形成金屬硅化物層，并且沉積氣體不包含還原氣體。該方法提供了在具有高深寬比的深溝槽中形成共形金屬硅化物。專利說明[0001] 相關(guān)...
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