技術編號：3324003
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在形成作為薄膜太陽能電池的光吸收層的Cu-1n-Ga-Se (以下根據(jù)需要使用簡稱“CIGS”)四元合金薄膜時使用的CIGS四元合金濺射靶。背景技術近年來，作為薄膜太陽能電池，高轉換效率的CIGS系太陽能電池的技術開發(fā)取得進展。作為制造該薄膜太陽能電池的光吸收層的方法，已知蒸鍍法和硒化法。但是，通過蒸鍍法制造的太陽能電池，雖然具有高轉換效率的優(yōu)點，但是具有成膜速度低、成本高、生產(chǎn)率低的缺點。另一方面，雖然硒化法也適合產(chǎn)業(yè)上大量生產(chǎn)，但是在制作Cu...
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