技術(shù)編號(hào)：3351851
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別是 涉及交替地供給至少兩種原料氣體而形成薄膜的成膜裝置、基 板處理裝置、成膜方法。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體制造工藝中的成膜方法，公知有如下工藝在真空氣氛下使第l反應(yīng)氣體吸附在作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以 下稱為"晶圓")等的表面上之后，將供給的氣體切換為第2反 應(yīng)氣體，通過兩種氣體的反應(yīng)形成l層或多層原子層、分子層， 通過多次進(jìn)行該循環(huán)而層疊這些層，向基板上進(jìn)行成膜。該工 藝?yán)鐑羝しQ為ALD ( AtomicLayerDeposition ) 或M...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。