專利名稱：成膜裝置、基板處理裝置、成膜方法
技術領域：
本發(fā)明涉及成膜裝置、基板處理裝置、成膜方法，特別是 涉及交替地供給至少兩種原料氣體而形成薄膜的成膜裝置、基 板處理裝置、成膜方法。
背景技術：
作為半導體制造工藝中的成膜方法，公知有如下工藝在
真空氣氛下使第l反應氣體吸附在作為基板的半導體晶圓(以 下稱為"晶圓")等的表面上之后，將供給的氣體切換為第2反 應氣體，通過兩種氣體的反應形成l層或多層原子層、分子層， 通過多次進行該循環(huán)而層疊這些層，向基板上進行成膜。該工 藝例如凈皮稱為ALD ( AtomicLayerDeposition ) 或MLD (Molecular LayerDeposition)等，按照循環(huán)數能高精度地 控制膜厚，并且，膜質的面內均勻性也良好，是能應對半導體 器件薄膜化的有效方法。
作為適合這樣的成膜方法的例子，例如可以舉出柵極氧化 膜所使用的高電介質膜的成膜。舉一個例子，在形成氧化硅膜 (Si02膜)的情況下，作為第l反應氣體(原料氣體)，例如可 以使用雙叔丁基氨基硅烷(以下稱為「BTBAS」)氣體等，作 為第2反應氣體(氧化氣體)可以使用臭氧氣體等。
作為實施這種成膜方法的裝置，人們研究了使用在真空容 器的上部中央具有氣體簇射頭(shower head)的單片式成膜 裝置，研究出從基板的中央部上方側供給反應氣體、將未反應 的反應氣體及反應副產物從處理容器的底部排出的方法?？墒牵?在上述成膜方法中，存在由吹掃氣體進行氣體吹掃需要很長的時間，且由于循環(huán)數也為例如數百次，因此存在處理時間長這 樣的問題，人們迫切期待能以高生產率進行處理的成膜裝置、 成膜方法。
鑒于這樣的背景，已知有如下述那樣的在真空容器內的旋 轉臺上沿旋轉方向配置多張基板來進行成膜處理的裝置。
在下述專利文獻1中公開有這樣的成膜裝置的例子將扁 平的圓筒狀的真空容器左右分開，在左側區(qū)域和右側區(qū)域上以 向上排氣的方式設有沿半圓的輪廓形成的排氣口，并且在左、 右側的半圓的輪廓之間、即在真空容器的直徑區(qū)域具有形成有 分離氣體的噴出孔的分離區(qū)域。在左、右側的半圓區(qū)域形成有 相互不同的原料氣體的供給區(qū)域，通過真空容器內的旋轉臺旋 轉而使工件通過右側半圓區(qū)域、分離區(qū)域及左側半圓區(qū)域，并 且從排氣口排出兩原料氣體。然后，分離氣體被供給的分離區(qū)
域的頂部變得比原料氣體的供給區(qū)域低。
在下述專利文獻2中公開有這樣的成膜裝置的例子在晶 圓支承構件(旋轉臺)上沿旋轉方向等距離地配置4張晶圓， 而與晶圓支承構件相對地沿旋轉方向等距離地配置第l反應氣 體噴出噴嘴及第2反應氣體噴出噴嘴，且在這些噴嘴之間配置 吹掃氣體噴嘴，使晶圓支承構件水平旋轉。各晶圓由晶圓支承 構件支承，晶圓的表面位于距晶圓支承構件的上表面的距離為 晶圓厚度的上方。另外，專利文獻2中記載著，各噴嘴設置成 沿晶圓支承構件的徑向延伸，晶圓和噴嘴之間的距離是0.1 m m 以上。真空排氣在晶圓支承構件的外緣和處理容器的內壁之間 進行。采用這樣的裝置，吹掃氣體噴嘴的下方起到所說的氣簾 的作用，從而能防止第l反應氣體和第2反應氣體混合。
在下述專利文獻3中公開有這樣的成膜裝置的例子用分 隔壁將真空容器內沿周向分割成多個處理室，并且與分隔壁的下端相對而隔著狹縫設置能旋轉的圓形的載置臺，在該載置臺 上配置多個晶圓。
在下述專利文獻4中公開有這樣的成膜裝置的例子沿周 向將圓形的氣體供給板分割為8個部分，每錯開90度地配置 AsHs氣體的供給口、 H2氣體的供給口、 TMG氣體的供給口及 H2氣體的供給口，再在這些氣體供給口之間設置排氣口 ，使與 該氣體供給板相對的、支壽義晶圓的基座(susceptor)旋轉。
在下述專利文獻5中公開有這樣的成膜裝置的例子用4個 垂直壁將旋轉臺的上方區(qū)域分隔成十字，將晶圓載置在這樣分 隔成的4個載置區(qū)域中，并且沿旋轉方向交替配置源氣體噴射 器、反應氣體噴射器、吹掃氣體噴射器而構成十字的噴射器單 元，并使這些噴射器按順序位于上述4個載置區(qū)域，使噴射器 單元水平旋轉，且從旋轉臺的周緣進行真空排氣。
此外，在使用專利文獻l ~ 5所公開的成膜裝置來進行成膜 的情況下，為了檢測旋轉臺的旋轉位置一般使用的方法是用光 電傳感器檢測被安裝在旋轉軸上的遮光件(kicker)旋轉的方 法。圖42示意性地表示以往的成膜裝置的旋轉臺的旋轉位置的 檢測方法的構成。從被安裝在旋轉臺121的下方的旋轉軸122 離開、作為固定的位置的真空容器的內壁126上設有能分別發(fā) 出和接受與旋轉軸122平行的光的一組紅色LED123和光電二 極管124、在旋轉軸122的側周面設有能遮擋紅色LED123的光 的遮光件125。根據此構成，旋轉軸122轉一圈時，能遮擋一次 紅色LED123的光的光線，能檢測出旋轉位置。
在專利文獻6 (專利文獻7、 8)中還記載有這樣的裝置 當實施使多種氣體交替吸附在靶(相當于晶圓)上的原子層 CVD方法時，使載置晶圓的基座旋轉，從基座上方供給源氣體 和吹掃氣體。在第0023至0025段記載有從處理室的中心以放射狀延伸有分隔壁，在分隔壁下方設有將反應氣體或吹掃氣體 供給到基座的氣體流出孔，通過從分隔壁的氣體流出孔流出惰
性氣體來形成氣簾。關于排氣，從第0058段開始記載，根據此 記載，源氣體和吹掃氣體分別從各自的排氣管道30a、 30b排出。 專利文獻l:美國專利公報7， 153, 542號 專利文獻2:曰本凈爭開2001_254181號7>寺艮 專利文獻3:專利3144664號7>才艮 專利文獻4:日本特開平4—287912號公報 專利文獻5:美國專利^>報6, 634, 314號 專利文獻6:曰本凈爭開2007—247066號/>4艮 專利文獻7:美國專利/>開7>才艮2007—218701號 專利文獻8:美國專利公開公報2007 — 218702號 可是，使用被上述的專利文獻公開的成膜裝置和成膜方 法，沿旋轉方向將多張基板配置在真空容器內的旋轉臺上而進 行成膜處理的情況，具有如下那樣的問題。
在使用專利文獻1所公開的成膜裝置和成膜方法的情況 下，采用在分離氣體的噴出孔和反應氣體的供給區(qū)域之間設有 向上的排氣口而從該排氣口將反應氣體與分離氣體一起排出的 方法，因此，噴出到工件的反應氣體形成向上的氣流，由排氣 口吸入，隨著巻起孩i粒，容易引起^f鼓粒污染晶圓這樣的問題。
在使用專利文獻2所公開的成膜裝置和成膜方法的情況 下，存在如下問題有時也使晶圓支承構件旋轉，僅利用來自 吹掃氣體噴嘴的下方的氣簾的作用，無法避免氣簾的兩側的反 應氣體通過，特別是無法避免從旋轉方向上游側擴散到氣簾中。 還存在如下問題從第l反應氣體噴出噴嘴噴出的第l反應氣體 容易經由相當于旋轉臺的晶圓支承構件的中心部，到達從第2 反應氣體噴出噴嘴噴出的第2反應氣體擴散的區(qū)域。若第l反應
ii氣體和第2反應氣體這樣在晶圓上混合，則存在反應生成物附
著在晶圓表面、無法進行良好的ALD (或MLD)處理的這種問題。
在使用專利文獻3所公開的成膜裝置和成膜方法的情況 下，存在如下問題因為工藝氣體從分隔壁和載置臺或晶圓之 間的間隙擴散到相鄰的處理室，并且在多個處理室之間設有排 氣室，所以晶圓通過該排氣室時，來自上游側和下游側的處理 室的氣體在該排氣室中混合。因此，無法適用于ALD方式的成 膜方法。
在使用專利文獻4所公開的成膜裝置和成膜方法的情況 下，存在如下問題沒7>開任何分離兩種反應氣體的現實的部 件，在基座的中心附近混合自不必說，實際上在中心附近以夕卜，
兩種反應氣體經過H2氣體的供給口的排列區(qū)域而混合。還存在
如下致命的問題若在與晶圓的通過區(qū)域相對的面上設有排氣 口 ，就會因微粒從基座表面揚起等而容易產生晶圓的微粒污染。
在使用在專利文獻5公開的成膜裝置和成膜方法的情況 下，很有可能會存在如下問題對各載置區(qū)域供給源氣體或反 應氣體之后，為了由吹掃氣體噴嘴以吹掃氣體置換該載置區(qū)域 的氣氛需要長的時間，且源氣體或反應氣體從一載置區(qū)域越過 垂直壁擴散到相鄰載置區(qū)域，兩氣體在載置區(qū)域進行反應。
在使用在專利文獻6 (專利文獻7、 8 )公開的成膜裝置和 成膜方法的情況下，存在如下問題在吹掃氣體分隔空間中， 無法避免兩側的源氣體分隔空間中的源氣體相混合，產生反應 生成物，產生微粒對晶圓的污染。
此外，在使用如圖42所示的以往的成膜裝置和成膜方法的 情況下，存在如下問題旋轉臺121為了將例如4 ~ 6張的多張 晶圓呈圓狀地并列載置而具有大的直徑，因此，在欲用以往方式的設于旋轉軸的遮光件和與旋轉軸分離而固定的光電傳感器 檢測時，周緣的旋轉位置的誤差變大。例如旋轉臺121的直徑
是小960mm的情況下，即使設于例如c]) 80mm的旋轉軸上的高 度8mm的遮光件前端的旋轉移動位置的誤差是士0.1mm,旋轉 臺121的周緣的旋轉位置的位置精度也是± lmm。在位置精度 為± lmm的情況下，例如在直徑304mm的凹部上載置直徑 300mm的晶圓的情況下，無法將晶圓位置精度良好地載置在凹 部上，也無法可靠地從旋轉臺取出晶圓。特別是存在如下的問 題在旋轉臺一邊以高速旋轉一邊進行ALD的成膜的高速ALD 裝置中，旋轉臺和旋轉軸存在于真空容器內，因此，難以設置 遮光件和傳感器。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于上述的點而做成的，提供一種成膜裝置、成 膜方法，該成膜裝置將互相反應的多種反應氣體按順序供給到 基板表面上，從而層疊多層反應生成物的層來形成薄膜時，能 得到高的生產率，防止多種反應氣體在基板上被混合，能進行 良好的處理，此外，能位置精度良好地檢測和校正以高速旋轉 的旋轉臺的旋轉位置，能在和真空容器的外部之間可靠地進行 基板的搬入、輸出。
為了解決上述的課題，本發(fā)明的成膜裝置是在真空容器內 將包括第l反應氣體和第2反應氣體的至少兩種原料氣體按順 序供給并且進行上述至少兩種的上述原料氣體按順序供給的供 給循環(huán)，從而形成薄膜的成膜裝置，其特征在于，包括旋轉 臺，能旋轉地設于上述真空容器內，具有載置基板的基板載置 部；第1反應氣體供給部和第2反應氣體供給部，為了供給上述 第l反應氣體和上述第2反應氣體，分別從上述旋轉臺的周緣的互相不同的位置朝向旋轉中心設置；第l分離氣體供給部，為 了供給分離上述第l反應氣體和上述第2反應氣體的第l分離氣 體，從上述第l反應氣體供給部和上述第2反應氣體供給部之間 的上述旋轉臺的周緣位置朝向旋轉中心設置；第l下表面區(qū)域， 其是包括上述第l反應氣體供給部的上述真空容器的頂板的下 表面，設于距上述旋轉臺的距離為第l高度的位置；第l空間， 形成在上述第l下表面區(qū)域和上述旋轉臺之間；第2下表面區(qū) 域，其是包括上述第2反應氣體供給部的上述頂板的下表面， 設于距上述旋轉臺的距離為第2高度的離開上述第1下表面區(qū) 域的位置；第2空間，形成在上述第2下表面區(qū)域和上述旋轉臺 之間；第3下表面區(qū)域，其是包括上述第l分離氣體供給部并沿 著上述旋轉臺的旋轉方向位于上述第l分離氣體供給部的兩側 的上述頂板的下表面，設于距上述旋轉臺低于上述第l高度和 上述第2高度的第3高度的位置；狹窄的第3空間，其形成在上 述第3下表面區(qū)域和上述旋轉臺之間，具有供從上述第l分離氣 體供給部供給來的上述第l分離氣體在上述第l空間和上述第2 空間中流動的上述第3高度；位置檢測部件，用于檢測上述旋 轉臺的旋轉位置；被檢測部，設于上述旋轉臺的周緣，被上述 位置檢測部件4企測；中心部區(qū)域，其是上述頂^反的下表面，設 有將分離上述第l反應氣體和上述第2反應氣體的第2分離氣體 供給到上述旋轉臺的旋轉中心的上述基板載置部側的第2分離 氣體供給部；排出口，將上述第1反應氣體和上述第2反應氣體 與噴出到上述第3空間的兩側的上述第1分離氣體和自上述中 心部區(qū)域噴出的上述第2分離氣體一起排出。
此外，為了解決上述的課題，本發(fā)明的成膜方法是如下的 成膜方法在真空容器中將包括第l反應氣體和第2反應氣體的原料氣體的供給循環(huán)而在基板上形成薄膜時，通過使供給用于 分離載置有上述基板的旋轉臺上側的上述第l反應氣體和上述 第2反應氣體的第l分離氣體的區(qū)域中的從上述旋轉臺的上表 面到上述真空容器的頂板的高度低于供給上述第l反應氣體和 上述第2反應氣體的區(qū)域中的從上述旋轉臺的上表面到上述頂 板的高度，通過將上述第l分離氣體供給到形成在上述旋轉臺 上表面和上述頂板之間的狹窄的空間，將分離上述第l反應氣
體和上述第2反應氣體的第2分離氣體供給到作為上述頂板的
下表面的上述旋轉臺的旋轉中心上側的中心部區(qū)域，通過將上
述第l反應氣體和上述第2反應氣體與上述第l分離氣體和上述 第2分離氣體一起排出， 一邊分離并供給上述第l反應氣體和上 述第2反應氣體， 一邊形成薄膜；在該成膜方法中，其特征在 于，包括以下工序校正上述旋轉臺的旋轉位置的位置校正工 序；將基板載置到旋轉位置被校正了的上述旋轉臺上的載置工 序；使上述旋轉臺旋轉的旋轉工序；從下側加熱上述旋轉臺， 由設于上述旋轉臺的互相不同的位置的第l反應氣體供給部和 第2反應氣體供給部分別供給上述第l反應氣體和上述第2反應 氣體，由設于上述第l反應氣體供給部和上述第2反應氣體供給 部之間的第l分離氣體供給部供給上述第l分離氣體，使上述基 板隨著上述旋轉臺的旋轉而移動，反復進行對上述基板表面供 給上述第l反應氣體、停止供給上述第l反應氣體、供給上述第 2反應氣體和停止供給上述第2反應氣體，而形成薄膜的成膜工 序；從旋轉位置被校正了的上述旋轉臺輸出上述基板的輸出工 序。
采用本發(fā)明，能得到高的生產率，能防止多種反應氣體在 基板上被混合而進行良好的處理，能夠位置精度良好地檢測和 校正以高速旋轉的旋轉臺的旋轉位置，能在真空容器和外部之
15間可靠地進行基板的搬入、輸出。


圖l是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置的 構成的縱剖視圖。
圖2是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置的 構成的立體圖。
圖3是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置的 構成的橫截俯視圖。
圖4是用于說明本發(fā)明的第1實施方式的成膜裝置的位置 檢測部件和被檢測部的配置關系的立體圖。
圖5A、圖5B是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的成膜 裝置的位置檢觀，J部件的動作的剖視圖。
圖6A、圖6B是表示本發(fā)明的第1實施方式的成膜裝置的第 1 第3空間的剖視圖。
圖7A、圖7B是用于說明本發(fā)明的第1實施方式的成膜裝置 的第3下表面部的尺寸例子的橫剖視圖和縱剖視圖。
圖8是表示本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置的第l反應氣 體供給部的立體圖。
圖9是用于說明本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置的一部 分的圖，是圖3的A-A縱剖視圖。
圖10是用于說明第2分離氣體、第3分離氣體和第4分離氣 體在本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置的一部分中流動的狀態(tài) 的圖，是圖3的B-B縱剖視圖。
圖ll是表示本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置的一部分的 剖切立體圖。
圖12示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置的控
16制部的構成的圖。
圖13是用于說明使用了本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置 的成膜方法的工序的工序圖。
圖14是用于說明使用了本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置
的成膜方法的圖，是表示第l反應氣體、第2反應氣體和第1分
離氣體流動的狀態(tài)的圖。
圖15是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的第l變形例 的成膜裝置的構成的縱剖視圖。
圖16是用于說明本發(fā)明的第l實施方式的第l變形例的成 膜裝置的圖，是用于說明位置檢測部件和被檢測部的配置關系 的立體圖。
圖17是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的第2變形例 的成膜裝置的構成的縱剖視圖。
圖18是用于說明本發(fā)明的第l實施方式的第2變形例的成 膜裝置的圖，是用于說明位置檢測部件和被檢測部的配置關系 的立體圖。
圖19是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的第3變形例 的成膜裝置的構成的縱剖視圖。
圖2 0是用于說明本發(fā)明的第1實施方式的第3變形例的成 膜裝置的圖，是用于說明位置檢測部件和祐j全測部的配置關系 的立體圖。
圖21A、圖21B是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的第 3變形例的成膜裝置中的位置檢測部件的動作的剖視圖。
圖22是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的第4變形例 的成膜裝置的構成的縱剖視圖。
圖23是示意性地表示本發(fā)明的第1實施方式的第5變形例 的成膜裝置的構成的縱剖視圖。圖24是用于說明本發(fā)明的第l實施方式的第5變形例的成 膜裝置的圖，是用于說明位置檢測部件和被檢測部的配置關系 的立體圖。
圖25A、圖25B是本發(fā)明的第1實施方式的第5變形例的成 膜裝置的旋轉臺的被檢測部附近的放大圖。
圖26是說明本說明的第1實施方式的第5變形例的成膜裝 置的位置校正工序的工序的工序圖。
圖27A-圖27C是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的第 5變形例的成膜裝置的位置校正工序中的激光傳感器和旋轉臺 的狀態(tài)的剖視圖。
圖28是示意性地表示本發(fā)明的第1實施方式的第6變形例 的成膜裝置的構成的縱剖視圖。
圖29是用于說明本發(fā)明的第1實施方式的第6變形例的成 膜裝置的圖，是用于說明位置檢測部件和被檢測部的配置關系 的立體圖。
圖30A、圖30B是本發(fā)明的第1實施方式的第6變形例的成 膜裝置的旋轉臺的被檢測部附近的放大圖。
圖31是說明本發(fā)明的第1實施方式的第6變形例的成膜裝 置的位置校正工序的工序的工序圖。
圖32A-圖32C是示意性地表示本發(fā)明的第l實施方式的第 6變形例的成膜裝置的位置校正工序中的位置檢測部件和被檢 測部的狀態(tài)的包括局部剖的圖。
圖33是用于說明本發(fā)明的第l實施方式的第7變形例的成 膜裝置的圖，是表示第3下表面部的頂板的形狀的其他的例子 的縱剖視圖。
圖34A-圖34C是用于說明本發(fā)明的第1實施方式的第8變 形例的成膜裝置的圖，是表示第3下表面部的頂板的下表面的
18形狀的其他的例子的縱剖視圖。
圖35A-圖35C是用于說明本發(fā)明的第1實施方式的第9變 形例的成膜裝置的圖，是表示第l反應氣體供給部的氣體噴出 孔的形狀的其他的例子的仰一見圖。
圖35D-圖35G是用于說明本發(fā)明的第1實施方式的第9變 形例的成膜裝置的圖，是表示第3下表面部的形狀的其他的例 子的仰視圖。
圖36是示意性地表示本發(fā)明的 的成膜裝置的構成的橫截俯視圖。
圖37是示意性地表示本發(fā)明的 的成膜裝置的構成的橫截俯視圖。
圖38是示意性表示本發(fā)明的第 成膜裝置的構成的立體圖。
圖39是示意性地表示本發(fā)明的 的成膜裝置的構成的橫截俯視圖。
圖40是示意性地表示本發(fā)明的 的成膜裝置的構成的縱剖視圖。
圖41是示意性地表示本發(fā)明的 置的構成的俯視圖。
圖42是示意性地表示以往的成膜裝置的旋轉臺的旋轉位 置的檢測方法的構成的圖。
具體實施例方式
接著，與附圖一起說明用于實施本發(fā)明的實施方式。 參照圖1~圖14，說明本發(fā)明的第l實施方式的成膜裝置和 成膜方法。
首先參照圖1 圖12,說明本實施方式的成膜裝置的構成。
第l實施方式的第IO變形例 第l實施方式的第ll變形例 1實施方式的第12變形例的 第l實施方式的第13變形例 第l實施方式的第14變形例 第2實施方式的基板處理裝如圖1 圖3所示，本實施方式的成膜裝置具有真空容器l、
旋轉臺2、第1反應氣體供給部31、第2反應氣體供給部32、第l 分離氣體供給部41、 42、激光傳感器8 (相當于本發(fā)明的位置 檢測部件)。
如圖1 圖3所示，真空容器l具有俯視形狀為大致圓形且 扁平的形狀。真空容器l具有頂板ll、容器主體12、 O型密封圈 13、底面部14。
頂板ll被"i殳置成能從容器主體12分離。頂々反11利用內部的 減壓狀態(tài)夾著密封構件例如O型密封圏13被壓靠在容器主體12 側，從而保持氣密狀態(tài)。此外，頂板11從容器主體12分離的情 況下，由未圖示的驅動^/L構向上方抬起。
接著，說明真空容器l和收納于真空容器l的各部分中的、 頂板ll、旋轉臺2、設于頂板11的下側且旋轉臺2的上側的部分 和與其相關聯的部分。即，說明旋轉臺2、第l反應氣體供給部 31、第2反應氣體供給部32、第1分離氣體供給部41、 42、頂板 11、第2分離氣體供給部51。
如圖l所示，以在真空容器l的中心具有旋轉中心的方式設 置旋轉臺2。旋轉臺2包括殼體20、 20a、芯部21、旋轉軸22、 驅動體23、凹部24、被:4全測部25。
;旋轉臺2的中心部固定在圓筒形狀的芯部21上，該芯部 2l被固定在沿鉛直方向延伸的旋轉軸22的上端。旋轉軸22貫穿 真空容器1的底面部14，其下端安裝有使該旋轉軸22繞鉛直軸 線向順時針方向旋轉的驅動部2 3 。旋轉軸2 2和驅動部2 3被收納 在上表面開口的筒狀殼體20、 20a內。該殼體20、 20a的設置在 其上表面上的凸緣部分被氣密地安裝在真空容器1的底面部14 的下表面上，殼體20、 20a的內部氣氛與外部氣氛之間的氣密 狀態(tài)被保持。
20如圖2和圖3所示，在旋轉臺2的表面部設有用于沿著旋轉 方向(周向)載置多個例如5個作為基板的晶圓的凹部24。凹 部24具有圓形的形狀。凹部24用于對晶圓W進行定位并使晶圓 W不在隨著旋轉臺2的旋轉而產生的離心力的作用下飛出，是相 當于本發(fā)明的基板載置部，為了方便，圖3中只在1個凹部24上 畫有晶圓W。
如圖4所示，凹部24^皮i殳定成直徑稍大于晶圓W的直徑， 例如大4mm,其深度與晶圓W的厚度為同等的大小。所以將晶 圓W落到凹部24中時，晶圓W表面和旋轉臺2的表面(晶圓W未 被載置的區(qū)域)的高度一致。晶圓W的表面與旋轉臺2的表面之 間的高度差很大時，在該存在高度差的部分產生壓力變動，因 此，為了使膜厚的面內均勻性一致，需要使晶圓W表面和旋轉 臺2表面的高度 一 致。使晶圓W表面和旋轉臺2表面的高度 一 致 是指載置在凹部24 (基板載置部)的晶圓(基板)的表面與旋 轉臺2的表面相同的高度或晶圓(基板)的表面處于低于旋轉 臺2表面的位置，但優(yōu)選根據加工精度等而盡可能使兩面的高 度差趨近零，兩面的高度差在5mm以內為佳。為了支承晶圓的 背面而使該晶圓升降，在凹部24的底面形成有例如后述的結合 圖11所述的供3根升降銷貫穿的通孔。、
另外，該基板載置部不限于凹部，也可以是例如將多個引 導晶圓的周緣的引導構件沿著晶圓的周向排列在旋轉臺2表面 上的構成，或在旋轉臺2側具有靜電卡盤等卡盤機構的構成。 在旋轉臺2側設置卡盤機構來吸附晶圓的情況下，利用吸附晶 圓被載置的區(qū)域成為基板載置部。
如圖l和圖4所示，被檢測部25設于旋轉臺2的上表面的周
測部件)檢測到被檢測部25時的旋轉位置為基準，進行旋轉臺
212的位置校正的構件。被檢測部2 5的形狀只要能由激光傳感器8 檢測即可，沒有特別限定，能由比旋轉臺2表面的高度高的部 位、低的部位等構成。在本實施方式中，是從旋轉臺2的周緣 的 一個部位沿旋轉臺2的徑向形成的劃線。
由于被檢測部25是從旋轉臺2的周緣沿徑向形成的劃線， 所以被檢測部25的與旋轉臺2的徑向垂直的截面的形狀如圖5A 所示那樣是截面呈三角形狀的槽。
另外，為了精度良好地檢測旋轉臺2的旋轉位置，被檢測 部25只要設于旋轉臺2的周緣即可，不 一 定只限于旋轉臺2的上 表面，也能夠設于旋轉臺2的側周面和下表面。
為了檢測旋轉工作臺2的被檢測部25，如圖4、圖5A和圖 5B所示，激光傳感器8設于旋轉工作臺2的上表面的周緣上側的 位置。激光傳感器8包括發(fā)出激光的發(fā)光元件81和接受激光的 受光元件82,用于4全測i殳于旋轉工作臺2的上表面的禎j全測部 2 5隨著旋轉工作臺2的旋轉而通過的情況。激光傳感器8可以不 被設在真空容器l的內部，在本實施方式中，如圖l所示，激光 傳感器8被設于真空容器1的頂板11的上側。此時，在與旋轉臺 2的旋轉軸平行地將激光傳感器8投影到真空容器1的頂板11的 位置上設有入射窗17。入射窗17使由激光傳感器8的發(fā)光元件 81發(fā)出的激光入射到旋轉臺2的上表面，并且使在旋轉臺2的上 表面被反射的激光入射到激光傳感器8的受光元件82。
另外，激光傳感器8只要是能檢測旋轉臺2的被檢測部，不 限定于設在真空容器l的外部，也能設在真空容器l的內部。這 種情況下，能夠省略設置用于進行從設于真空容器l的頂板ll 的激光傳感器8向旋轉臺2導入入射光和導出反射光的入射窗 17。
在此，用圖5A和圖5B說明使用了本實施方式的成膜裝置中的激光傳感器8和被檢測部25的旋轉臺2的旋轉位置的位置 才全測的作用。
圖5A和圖5B是用于說明本實施方式的成膜裝置的圖，是 示意性地表示激光傳感器8檢測被檢測部25的作用的圖。
如圖5A所示，從發(fā)光元件81入射的激光入射到旋轉臺2的 沒有形成^皮;險測部25的部位的情況下，反射光幾乎全部從入射 窗17被導出，調整激光傳感器8和入射窗17的相對位置和相對 角度，使得被導出的反射光入射到受光元件82。此外，這種情 況的受光元件82的受光量為E1。
另一方面，如圖5B所示，旋轉臺2^^轉，在禎^企測部25,皮 移動到從發(fā)光元件81入射的激光入射到旋轉臺2的位置上時， 由于被檢測部25是具有截面呈三角形狀的劃線，所以從激光傳 感器8入射的激光的反射方向發(fā)生變化，入射到激光傳感器8的 受光元件82的光量減少。即，這種情況的受光元件82的受光量 為E2時，E2<E1。
因此，根據檢測受光量E2和E1的差，能檢測到形成在旋 轉臺2的上表面的被檢測部25通過了激光傳感器8和入射窗17 的下側。而且，通過以利用激光傳感器8^r測裙:;險測部25的通 過時的旋轉位置作為基準，能精度良好地校正旋轉臺2的旋轉 位置。具體來說，例如旋轉臺2的直徑是cj) 960mm的情況下， 通過在旋轉臺2的上表面的周緣設有例如旋轉方向的寬度為 lmm、徑向的長度5mm、深度為2mm的劃線，能以土0.3mm的 精度檢測和校正旋轉位置。
如圖2和圖3所示，第1反應氣體供給部31、第2反應氣體供 給部32和2個第l分離氣體供給部41、 42為了供給第l反應氣體 和第2反應氣體，從真空容器l的周緣(旋轉臺2的周緣)的互 相不同的位置朝向旋轉中心地分別設置在與旋轉臺2的凹部24
23的基板載置部分別相對的位置。第1反應氣體供給部31、第2反 應氣體供給部32和2個第l分離氣體供給部41、 42是沿長度方向 隔有間隔地穿設有用于將反應氣體向下方側噴出的噴出孔的噴嘴。
第1反應氣體供給部31、第2反應氣體供給部32和2個第1 分離氣體供應部41、 42例如被安裝在真空容器1的側壁上，作 為其基端部的氣體導入件31a、 32a、 41a、 42a貫穿側壁。在 本實施方式中，如局部圖8所示，氣體導入件31a、 32a、 41a、 4 2 a是從真空容器1的側壁#皮導入的， <旦也可以乂人環(huán)狀的突出部 53(后述)導入。這種情況下，設有在突出部53的外周面和頂 板ll的外表面之間開口的L字型的導管，在真空容器l內將第1 反應氣體供給部31、第2反應氣體供給部32和2個第l分離氣體 供給部41、 42與L字型的導管的一方的開口連接，在真空容器l 的外部將L字型的導管的另 一方的開口與氣體導入件31a、 32a、 41a、 42a連接。
如圖6A和圖6B所示，在第l反應氣體供給部31和第2反應 氣體供給部32上沿噴嘴的長度方向隔開間隔地穿設有用于將 反應氣體向下方側噴出的噴出孔33。在本實施方式中，例如， 沿著構成第l反應氣體供給部31、第2反應氣體供給部32的氣體 噴嘴的長度方向以10mm的間隔穿設有朝向正下方的例如直徑 是0.5mm的噴出孔。
如圖6A和圖6B所示，在第l分離氣體供給部41、 42上沿長 度方向隔開間隔地穿設有用于將分離氣體向下方側噴出的噴出 孔40。在本實施方式中，例如，沿著構成第l分離氣體供給部 41、 42的氣體噴嘴的長度方向以10mm的間隔穿設有朝向正下 方的例如直徑是0.5mm的噴出孔。
第l反應氣體供給部31、第2反應氣體供給部32與配設在真空容器l的外部的第l反應氣體的氣體供給源和第2反應氣體的
氣體供給源連接，第1分離氣體供給部41、 42與配設在真空容 器1的外部的第l分離氣體的氣體供給源連接。在本實施方式 中，第2反應氣體供給部32、第1分離氣體供給部41、第l反應 氣體供給部31和第l分離氣體供給部42以該順序按順時針方向 配置。
在本實施方式中，作為第l反應氣體，例如能用BTBAS(雙 叔丁基氨基硅烷)氣體。此外，作為第2反應氣體，例如能用 03 (臭氧)氣體。而且，作為第l分離氣體，例如能用N2 (氮) 氣體。另外，作為第l分離氣體，不只限于N2氣體，能采用Ar 等惰性氣體，但不只限于惰性氣體，也可以是氫氣等，只要是 不對成膜處理產生影響的氣體，對于氣體的種類沒有特別地限 定。
如圖1 ~圖3和圖6A所示，頂4反11的下表面具有以下3個區(qū) 域和與第l下表面部45、第2下表面部45a的各區(qū)域的旋轉中心 側相鄰的突出部53、與芯部21相對應的^走轉中心側部5，該3 個區(qū)域為作為離開旋轉臺2的上表面的距離為Hl的面的第1 下表面部45 (第l下表面區(qū)域)；作為離開旋轉臺2的上表面的 距離為H2的面的第2下表面部45a (第2下表面區(qū)域)；形成在 第1下表面部45、第2下表面部45a之間并作為離開旋轉臺2的上 表面的距離為H3的面的第3下表面部44 (第3下表面區(qū)域)。
第1下表面部45、第2下表面部45a和第3下表面部44是分 別包括第l反應氣體供給部31、第2反應氣體供給部32和第l分 離氣體供給部41的頂板11的下表面區(qū)域。此外，第3下表面部 44由第l分離氣體供給部41分成2個部分。
此外，如圖l、圖2、圖3和圖6A所示，作為頂板ll的下表 面的第l下表面部45、第2下表面部45a和2個第3下表面部44這4個區(qū)域分別與旋轉臺2之間形成第1空間Pl 、第2空間P2和2個 第3空間D。
如圖6A和圖6B所示，頂板ll的第l下表面部45是包括第1
示，第2下表面部45a是包括第2反應氣體供給部32的頂板ll的 下表面區(qū)域。如圖6A和圖6B所示，第3下表面部44是包括第1 分離氣體供給部41、 42的頂板11的下表面區(qū)域。此外，從第l 分離氣體供給部41 、 42的中心軸到具有扇形的形狀的第3下表 面部44的》走轉臺2的正凝j爭方向和逆》走4爭方向的兩鄉(xiāng)彖的3巨離#皮 設定為相同的長度。
此時，在頂板11的第3下表面部44中，相對于各第l分離氣
臺2的周緣的部位寬度越大。其理由在于，通過旋轉臺2旋轉， 越接近旋轉臺2的周緣的部位，從旋轉方向上游側流向第3下表 面部44的氣流越快。在本實施方式中，直徑300mm的晶圓W作 為被處理基板，第3下表面部44的周向的長度(與旋轉臺2同心 的圓的圓弧的長度)在接近從旋轉中心離開140mm的突出部53 的部位上例如是146mm，在凹部24(基板載置部)的最外側的 位置例如是502mm。此外，如圖6A所示，在該最外側的位置 上，如果以分別位于左右的頂板ll的第3下表面部44距第l分離 氣體供給部41 (42)的兩端的周向的長度L來看，長度L是 246mm。
如圖l、圖2、圖3和圖6A所示，包括第l反應氣體供給部 31的頂板11的第l下表面部45被設置在距旋轉臺2的距離為第1 高度H1的位置。如圖1和圖6A所示，包括第2反應氣體供給部 32的第2下表面部45a被設置在距旋轉臺2的距離為第2高度H2 的位置。如圖6A所示，包括第l分離氣體供給部41的第3下表面
26部44被設置在距旋轉臺2的距離為第3高度H3的位置。第3高度 H3比第1高度H1和第2高度H2低。此外，第1高度H1和第2高 度H2的大小關系沒有特別限定，例如可以為H1二H2。所以， 在本實施方式中，可以為H3〈H1二H2。
即，如圖6A所示，在第l分離氣體供給部41的旋轉方向兩 側存在作為設于距旋轉臺2的距離為第3高度H3的頂板11的下 表面的第3下表面部44，在第3下表面部44的^:轉方向兩側，存 在高于第3下表面部44的第l下表面部45和第2下表面部45a。換 句話說，在第1分離氣體供給部41的旋轉方向兩側存在第3空間 D ，在第3空間D的旋轉方向兩側存在第1空間P1和第2空間P 2 。 同樣，在第1空間P1的相反側和第2空間P2的相反側之間存在第 3空間D。
如圖9所示，與第3空間D相對應的頂板11的周緣部(真空 容器l的外緣側的部位)形成與旋轉臺2的外端面相對地彎曲成 L字型的彎曲部46。頂板11構成為能從容器主體12卸下，所以 在彎曲部46的外周面和容器主體12之間存在微小的間隙。該彎 曲部46也與第3下表面部44相同地以防止因第l反應氣體和第2 反應氣體進入而混合為目的而設置的，彎曲部46的內周面和旋 轉臺2外端面之間的間隙、以及彎曲部46的外周面和容器主體 12之間的間隙被設定為與第3下表面44相對于旋轉臺2表面的 高度H3相同的尺寸。即，在旋轉臺2表面?zhèn)葏^(qū)域，彎曲部46的 內周面具有與真空容器l的內周壁相同的功能。
另外，圖2和圖3表示在比第1下表面部45和第2下表面部 45a低且比第l分離氣體供給部41、 42高的位置水平地切斷真空 容器l的頂板ll。
在此，說明作為第3空間D的作用的第1空間P1的氣氛氣體 和第2空間P2的氣氛氣體的分離作用。第3下表面部44是通過與第l分離氣體供給部41組合來阻 止第1反應氣體和第2反應氣體進入第3空間D、從而阻止第l反 應氣體和第2反應氣體混合的構件。即，在第3空間D中，來自 旋轉臺2的逆旋轉方向側的第2反應氣體的進入一皮阻止，來自凝_ 轉臺2的正旋轉方向側的第l反應氣體的進入也被阻止。所謂 "阻止氣體的進入"是指從第l分離氣體供給部41噴出的第l分 離氣體擴散到第3空間D ，吹到作為相鄰的第2下表面部45a的下 方側空間的第2空間P2，由此來自該相鄰的第1空間P1和第2空 間P2的氣體無法進入。并且，所謂"氣體無法進入"并不是僅 指氣體完全無法從相鄰的第1空間Pl和第2空間P2進入第3空 間D的狀態(tài)，也指雖多少進入一些但從兩側分別進入的第l反應 氣體和第2反應氣體在第3空間D內不互相混合的狀態(tài)。只要能 得到這些狀態(tài)，就能確保作為第3空間D的作用的第1空間Pl的 氣氛氣體和第2空間P2的氣氛氣體之間的分離作用。另外，吸 附在晶圓W上的氣體能通過第3空間D內，因此"氣體的進入" 中的氣體是指氣相中的氣體。
而且如圖6A所示，頂板11的第3下表面部44距旋轉臺2的 高度H3例如可以是大約0.5mm ~大約10mm,優(yōu)選是大約 4mm。這種情況下，旋轉臺2的轉速例如被設定為lrpm ~ 500rpm。為了確保第3下表面部44的分離功能，根據旋轉臺2 的轉速的使用范圍等，例如基于實驗等來設定第3下表面部44 的大小、第3下表面部44距旋轉臺2的高度H3。另外，作為第l 分離氣體，不只限于N2氣體，能采用Ar等惰性氣體，但不只限 于惰性氣體，也可以是氫氣等，只要是不對成膜處理產生影響 的氣體，對于氣體的種類沒有特別地限定。
然后，如圖7A和圖7B置換以第l分離氣體供給部41為代表 所表示的那樣，形成分別位于第l分離氣體供給部41 (42)的
28兩側的狹窄的空間的第3下表面部44在例如300mm直徑的晶圓 W作為被處理基板的情況下，優(yōu)選晶圓W的中心WO通過的部 分的沿著旋轉臺2的旋轉方向的寬度尺寸L為50mm以上。為了 有效地阻止反應氣體從第3下表面部44的兩側進入作為第3下 表面部44的下方的第3空間D (具有比第1高度H1和第2高度H2 低的第3高度H3的狹窄的空間)，在寬度尺寸L較短的情況下， 需要與之相應地也縮小作為第3下表面部4 4和旋轉臺2之間的 距離的第3高度H3。而且，將作為第3下表面部44和旋轉臺2之 間的距離的第3高度H3設置為 一定尺寸時，越離開旋轉臺2的旋 轉中心，旋轉臺2的速度越快，因此為了得到阻止反應氣體的 進入的效果所要求的寬度尺寸L越從旋轉中心離開越長。從這 樣的方面考察的話，晶圓W的中心W 0通過的部位的寬度尺寸L 小于50mm時，需要作為第3下表面部44和旋轉臺2之間的距離 的第3高度H3相當小，使旋轉臺2旋轉時，為了防止旋轉臺2或 晶圓W與第3下表面部4 4的碰撞，要求盡量抑制旋轉臺2的晃 動。而且，旋轉臺2的轉速越快，反應氣體越容易從第3下表面 部44的上游側進入該第3下表面部44的下方側，因此寬度尺寸L 小于50mm時，必須降低旋轉臺2的轉速，在生產率的方面不是 上策。所以優(yōu)選寬度尺寸L是50mm以上。 <旦是，第3下表面部 44的尺寸不限定上述的尺寸，可以根據所使用的工藝參數和晶 圓尺寸進行調整。此外，作為狹窄空間的第3空間D只限于具有 形成分離氣體從第3空間D向第1 (第2)空間P1 (P2)的流動 那樣程度的高度，從上述的說明可知，除了所使用的工藝參數 和晶圓尺寸之外，能夠根據第3下表面部44的面積調整狹窄的 空間(第3空間D )的高度H3 (第3高度)。
如圖l所示，頂板11的突出部53是在第1下表面部45和第2 下表面部45a中位于各區(qū)域的旋轉中心側與芯部21外周側之間并與旋轉臺2相對的區(qū)域。此外，如圖9所示，頂板ll的突出部53在2個第3下表面部44中與各區(qū)域的旋轉中心側連續(xù)而形成一體，突出部53的下表面形成為與第3下表面部44相同的高度。但是，頂板11的突出部53和第3下表面部44未必是一體的，也可以是相互獨立的。
頂4反11的旋轉中心側部5是位于突出部53的i走轉中心側的區(qū)域。在本實施方式中，；旋轉中心側部5和突出部53之間的邊界能設在例如具有距旋轉中心140mm的半徑的圓周上。
如圖1和圖9所示，第2分離氣體供給部51貫穿真空容器1的頂板ll,與真空容器l的中心部連接。第2分離氣體供給部51用于將第2分離氣體供給到作為頂板ll和芯部21之間的空間的中心部區(qū)域C中。作為第2分離氣體，沒有特別限定，例如使用
N2氣體。
被供給到中心部區(qū)域C的第2分離氣體經由突出部53和旋轉臺2之間的狹小的間隙50,沿著旋轉臺2的基板載置部側的表面朝向周緣噴出。在由突出部53圍成的空間中充滿第2分離氣體，所以阻止第1反應氣體和第2反應氣體在第1空間P1、第2空間P2之間經由旋轉臺2的中心部而混合。即，成膜裝置具有中心部區(qū)域C,該中心部區(qū)域C是為了分離第1空間P1、第2空間P2的氣氛而由旋轉臺2的旋轉中心部和真空容器l劃分而成的，該中心部區(qū)域C被供給第2分離氣體，并且沿著旋轉方向形成將分離氣體噴出到旋轉臺2的表面上的噴出孔。此外，噴出孔相當于突出部53和旋轉臺2之間的狹小的間隙50。
接著，說明收納在真空容器l的各部分中的、位于旋轉臺2的外周面?zhèn)群?旋轉臺2的下側且底面部14的上側的構件。即，說明容器主體12、排氣空間6。
如圖9所示，容器主體12的內周壁在第3空間D中形成為與彎曲部46的外周面接近的垂直面。另一方面，如圖l所示，在第3空間D以外的部位例如具有從與旋轉臺2的外端面相對的部位到底面部14縱斷面形狀被呈矩形切掉并向外方側凹陷的構造。該凹陷的部分是排氣空間6。
如圖l和圖3所示，在排氣空間6的底部例如設有2個排氣口61、 62。排氣口61、 62分別經由排氣管63與作為真空排氣部件的例如共用的真空泵64連接。此外，在排氣口61和真空泵64之間，在排氣管63上設有壓力調整部件65。壓力調整部件65既可以i殳在每個排氣口 61、 62上，也可以共用。排氣口61、 62為了可靠地發(fā)揮第3空間D的分離作用，在俯視來看設于第3空間D的旋轉方向兩側，專門用于對第l反應氣體和第2反應氣體進行排氣。在本實施方式中， 一排氣口61設于第1反應氣體供給部31與相鄰于第l反應氣體供給部31的旋轉方向下游側的第3空間D之間，另 一排氣口 62設于第2反應氣體供給部32與相鄰于第2反應氣體供給部32的旋轉方向下游側的第3空間D之間。
排氣口的設置數不限定是2個，例如還可以在包括第l分離氣體供給部42的第3空間D與相鄰于第3空間D的旋轉方向下游側的第2反應氣體供給部32之間設有3個排氣口 ，也可以是4個以上。在該例子中，通過排氣口61、 62設于真空容器1的底面部14且比旋轉臺2低的位置來從真空容器1的內周壁和旋轉臺2的周緣之間的間隙進行排氣，但是排氣口61、 62不限定于設在真空容器1的底面部14,也可以設在真空容器l的側壁。此外，排氣口61、 62設在真空容器的側壁的情況下，也可以設在比旋轉臺2高的位置。通過這樣設有排氣口61、 62，旋轉臺2上的氣體朝向旋轉臺2外側流動，因此，與從與旋轉臺2相對的頂面排氣的情況比，在抑制微粒的巻揚這方面來看是有利的。
接著，說明收納于真空容器l中的各部分中的、旋轉臺2的下側到真空容器1的底面部14的部分。即，說明加熱器單元7(加熱部)、罩構件71、底面部14、第3分離氣體供給部72、第4分離氣體供給部73。
如圖l和圖8所示，加熱器單元7被設在旋轉臺2和真空容器1的底面部14之間的空間內。加熱器單元7是用于隔著旋轉臺2將旋轉臺2上的晶圓加熱到工藝制程程序所決定的溫度的單元。代替加熱器單元7i殳在旋轉臺2的下方側，也可以設在旋轉臺2的上方側，還可以i殳在上下兩側。此外，加熱器單元7不限于使用電阻發(fā)熱體，還可以使用紅外線燈。另外，加熱器單元7的下半部分也可以設有用于將從加熱器單元7產生的熱中的、朝向下側產生的熱反射到上側來提高熱效率的反射器(反射板)。
由加熱器單元7所加熱的旋轉臺2的溫度由埋入真空容器1的底面部14的熱電偶測量。由熱電偶測量的溫度的值被傳送給控制部100,通過控制部100進行控制，由加熱器單元7將溫度旋轉臺2的溫度保持為規(guī)定的溫度。
罩構件71是用于在旋轉臺2的周緣側而且下方側、劃分旋轉臺2的下方空間和排氣空間6設置的。罩構件71形成為在整個全周圍著加熱器單元7。罩構件71的上緣向外側彎曲而形成凸緣狀，減小彎曲面和旋轉臺2的下表面之間的間隙，防止第l反應氣體和第2反應氣體進入罩構件71的內周側而混合。
底面部14在比配置有加熱器單元7的空間更靠近旋轉中心側的部位具有狹小的間隙地接近旋轉臺2的下表面的中心部附近和芯部21。底面部14的貫穿底面部14的旋轉軸22的通孔中，通孔的內周面和^:轉軸22之間的間隙也是狹小的。此外，通孔與殼體20連通。
第3分離氣體供給部72設于殼體20中。第3分離氣體供給部72是用于將第3分離氣體供給到狹小空間內的構件。作為第3分
離氣體，沒有特別地限定，但例如可使用N2氣體。
第4分離氣體供給部73在真空容器1的底面部14設在加熱器單元7的下方側的位置且旋轉方向的多個位置。第4分離氣體供給部73是為了將第4分離氣體供給到配置有加熱器單元7的空間的構件。作為第4分離氣體，沒有特別地限定，但例如能使
用N2氣體。
如圖10中箭頭表示第3分離氣體、第4分離氣體的流動那樣，通過設置第3分離氣體供給部72、第4分離氣體供給部73,例如N 2氣體被供給到從殼體2 0內到加熱器單元7的配置空間的空間內，N2氣體從旋轉臺2與罩構件71之間的間隙經由排氣空間6被排氣口61、 62排出。由此，阻止第l反應氣體和第2反應氣體從第1空間Pl和第2空間P2的 一 方經由旋轉臺2的下方繞到另一方，所以第3分離氣體具有作為分離氣體的作用。此外，能阻止第l反應氣體和第2反應氣體從第1空間Pl和第2空間P2進入位于旋轉臺2的下方的加熱器單元7配置的空間，所以第4分離氣體也具有防止第l反應氣體和第2反應氣體吸附在加熱器單元7的作用。
接著，說明用于設于真空容器l的外部的部分和設于外部的部分之間的輸送的部分。
如圖2、圖3和圖11所示，在真空容器l的側壁形成有用于在外部輸送臂10和旋轉臺2之間進行晶圓交接的輸送口 15,輸送口 15由未圖示的閘閥進行開閉。作為旋轉臺2的基板載置部的凹部24在輸送口 15的位置與輸送臂10之間進行晶圓W的交接，因此，在旋轉臺2下方側的與交接位置相對應的部位設有用于貫穿凹部24而從背面抬起晶圓的交接用的升降銷16的升降機構。
33此外，如圖1和圖3所示，本實施方式的成膜裝置設有由用 于進行裝置整體的動作的控制的由計算機構成的控制部100。 如圖12所示，控制部100設有控制包括CPU的成膜裝置的各部 分的處理控制器100a、用戶接口部100b和存儲部100c。
用戶接口部l00b由工序管理人員管理成膜裝置而進行命 令的輸入操作的鍵盤、將成膜裝置的工作狀況可視化而顯示的 顯示器等構成。
在存儲部10 0 c中存儲有為了通過處理控制器10 0 a的控制 來實現由成膜裝置執(zhí)行的各種處理的控制程序(軟件)和存儲 有處理條件數據等的制程程序。然后，根據需要，通過來自用 戶接口部100b的指示等從存儲部100c調出任意的制程程序，并 使處理控制器1 OOa執(zhí)行該制程程序，在處理控制器100a的控制 下，用成膜裝置進行期望的處理。此外，控制程序和處理條件 數據等制程程序能夠以存儲于計算機可讀取的程序記錄介質 (例如，硬盤、光盤、光磁盤、存儲卡、軟盤等)的狀態(tài)被安 裝在處理控制器100a上來利用，或者也能從其他的裝置經過例 如專用電路隨時傳送、在線利用等。
接著，使用圖ll、圖13和圖14說明使用了本實施方式的成 膜裝置的成膜方法。
圖13是用于說明使用了本實施方式的成膜裝置的成膜方 法的工序的工序圖。此外，圖14是用于說明使用了本實施方式 的成膜裝置的成膜方法的圖，是表示第l反應氣體、第2反應氣 體和第l分離氣體流動的狀態(tài)的圖。圖14與圖3同樣地表示在比 第l下表面部45和第2下表面部45a低且比第l分離氣體供給部 41、 42高的位置，水平地切斷真空容器l的頂板ll。
本實施方式的成膜方法如圖13的步驟S11 ~步驟S21所 示，包括校正旋轉臺的旋轉位置的第l位置校正工序；將基
34板載置在旋轉臺上的載置工序；使旋轉臺旋轉的工序；從下側 加熱旋轉臺，由第l反應氣體供給部和第2反應氣體供給部分別 供給第l反應氣體和第2反應氣體，由第l分離氣體供給部供給 加熱了的第l分離氣體，使基板隨著旋轉臺2的旋轉而移動，反 復進行對基板表面供給第l反應氣體、停止供給第l反應氣體、 供給第2反應氣體和停止供給第2反應氣體，形成薄膜的成膜工 序；停止來自第l反應氣體供給部和第2反應氣體供給部的第1 反應氣體和第2反應氣體的供給、停止加熱基板、停止供給各 分離氣體、停止旋轉臺的旋轉的成膜停止工序；對旋轉臺的旋 轉位置進行校正的第2位置校正工序；由輸送臂將基板輸出的 輸出工序。
首先，進行步驟S11構成的第l位置校正工序。步驟S11是 如下的工序采用設在真空容器外側的位置檢測部件，以檢測 到旋轉臺的被檢測部時的旋轉位置作為基準進行旋轉臺的位置 校正。
具體來說，以小于通常的成膜工序的旋轉臺2的轉速的轉 速使旋轉臺2旋轉，測量激光傳感器8的受光量E1的變化，以受 光量變化為小于E1的值E2的旋轉位置作為新的基準位置(原 點)，進行旋轉臺的位置校正。此外，旋轉位置校正工序的旋轉 臺2的轉速小于通常的成膜工序的旋轉臺的轉速，所以例如能 設為lrpm以下。
接著，進行步驟S12構成的載置工序。步驟S12是用輸送臂 通過輸送口將基板載置到校正了旋轉位置的旋轉臺上的工序。 具體來說，如圖ll所示，打開閘閥，利用輸送臂10將晶圓 W從外部經由輸送口 15交接到旋轉臺2的凹部24。如圖ll所示， 該交接是在凹部24停止在面臨輸送口 15的位置時、升降銷16 從真空容器的底部側經由凹部24的底面的通孔升降來進行的。一邊使旋轉臺2間歇性地旋轉一邊進行這樣的晶圓W的交接，將
晶圓W分別載置到旋轉臺2的5個凹部24內。
接著，進行步驟S13構成的旋轉工序。步驟S13是使旋轉臺 2旋轉的工序。
接著，進行包括步驟S14 步驟S17的成膜工序。步驟S14 是從第l分離氣體供給部、第2分離氣體供給部、第3分離氣體 供給部和第4分離氣體供給部分別供給第l分離氣體、第2分離 氣體、第3分離氣體和第4分離氣體的工序。步驟S15是由加熱 器單元從下方加熱旋轉臺的工序。步驟S16是從第l反應氣體供 給部31和第2反應氣體供給部32分別供給第l反應氣體和第2反 應氣體的工序。步驟S17是使基板隨著旋轉臺2的旋轉而移動， 反復進行對基板表面供給第l反應氣體、停止供給第l反應氣 體、供給第2反應氣體和停止供給第2反應氣體而形成薄膜的工序。
首先，進行步驟S14。由真空泵64將真空容器1內抽真空成 預先設定的壓力，并且從第l分離氣體供給部41、 42、第2分離 氣體供給部51、第3分離氣體供給部72和第4分離氣體供給部73 分別供給第l分離氣體、第2分離氣體、第3分離氣體和第4分離 氣體。
接著，進行步驟S15。由加熱器單元7加熱晶圓W。在該工 序中，晶圓W被載置到旋轉臺2上之后，由加熱器單元7加熱到 例如300。C。另一方面，也可以進行旋轉臺2由加熱器單元7預 先加熱到例如300。C 、通過晶圓W被載置在該旋轉臺2上而被加 熱的工序。
接著，進行步驟S16。從第1反應氣體供給部31和第2反應 氣體供給部32分別供給第l反應氣體和第2反應氣體。從第l反 應氣體供給部31和第2反應氣體供給部32分別噴出BTBAS氣
36體和03氣體。此時， 一邊用溫度傳感器測量一邊使晶圓W的溫 度穩(wěn)定在設定溫度。此外，也能一邊從旋轉臺2的下側用放射 溫度計測量 一 邊使晶圓W的溫度穩(wěn)定在設定溫度。
此外，步驟S14、步驟S15、步驟S16不限定以此順序進行 的方法，既可以更4奐順序開始也可以同時開始。例如，也可以 從第l反應氣體供給部31和第2反應氣體供給部32分別噴出 BTBAS氣體和Os氣體的同時，從第l分離氣體供給部41、 42噴
出作為第l分離氣體的N2氣體這樣的順序進行。
這樣，通過進行步驟S14 步驟S16的工序，能進行步驟 S17的工序。即，使基板隨著旋轉臺2的旋轉而移動，反復進行 對基板表面供給第l反應氣體、停止供給第l反應氣體、供給第 2反應氣體和停止供給第2反應氣體而形成薄膜。
通過旋轉臺2的旋轉，晶圓W交替通過設有第l反應氣體供 給部31的第l空間Pl和設有第2反應氣體供給部32的第2空間 P2，所以吸附BTBAS氣體，隨后吸附03氣體，BTBAS分子被 氧化，形成l層或多層氧化硅的分子層，這樣，氧化硅的分子 層依次層疊，形成規(guī)定的膜厚的氧化硅膜。
此時，也從第2分離氣體供給部51供給作為分離氣體的N2 氣體，由此，從中心部區(qū)域C即突出部53和旋轉臺2的中心部之 間沿著旋轉臺2的表面噴出N2氣體。在該例子中，在沿著配置 有第1反應氣體供給部31和第2反應氣體供給部32的第l下表面 部45和第2下表面部45a的下方側的空間的真空容器l的內周壁 上，就像前文所述那樣，內周壁被切掉一部分而變寬，排氣口 61、 62位于該寬的空間的下方，所以第l下表面部45和第2下表 面部45a的下方側的空間的壓力比第3下表面部44的下方側的 狹窄的空間和上述中心部區(qū)域C的各壓力低。第1下表面部45 和第2下表面部45a的下方側的空間的壓力比第3下表面部44下方側的空間和中心部區(qū)域C的各壓力低的原因在于，第3下表面
部44的下方側的狹窄的空間形成為配置有第1 (第2)反應氣體 供給部31 ( 32 )的空間與狹窄的空間之間的壓力差或第1 (第2 ) 空間P1 ( P2)與狹窄的空間之間的壓力差由第3高度H3保持。
圖14示意性地表示從各部位噴出氣體時的氣體的流動狀 態(tài)。從第2反應氣體供給部32向下方側噴出、碰到旋轉臺2表面 (載置于凹部24的晶圓W的表面、未載置晶圓W的凹部24和凹 部24以外的表面)而沿著旋轉臺2的表面朝向旋轉方向上游側 去的03氣體^皮乂人i走轉方向上游側流來的N2氣體吹回，并且通過 旋轉臺2的周緣與真空容器1的內周壁之間的間隙流入排氣空 間6，由排氣口62排出。
此外，從第2反應氣體供給部32向下方側噴出、碰到旋轉 臺2表面而沿著旋轉臺2表面朝向旋轉方向上游側去的03氣體 由于從中心部區(qū)域C噴出的N2氣體的流動和排氣口 62的吸引作 用而欲流向排氣口62,但一部分朝向與下游側相鄰的第3空間 D,欲流入扇型的第3下表面部44的下方側?？墒?，因為該第3 下表面部44的高度和旋轉方向的長度在包括各氣體流量等運 轉時的工藝參數中被設定為能防止氣體進入第3下表面部44的 下方側的尺寸，如圖6B所示，03氣體幾乎無法流入扇型第3下 表面部4 4的下方側或即使稍微流入 一 些也不能到達第1分離氣 體供給部41附近，被從第l分離氣體供給部41噴出來的N2氣體 吹回到旋轉方向上游側、即、第2空間P2側，與從中心部區(qū)域C 噴出的N2氣體一起通過旋轉臺2的周緣與真空容器1的內周壁 之間的間隙流入排氣空間6 ，由排氣口 62排出。
此外，從第1反應氣體供給部31向下方側噴出而沿著旋轉 臺2的表面分別向旋轉方向上游側和下游側去的BTBAS氣體無 法完全進入到與其旋轉方向上游側和下游側相鄰的扇型的第3從中心部區(qū)域C噴出的N2氣體一起經由排氣空間6被排氣口 61 排出。即，在各第3空間D中，阻止作為在氣氛中流動的反應氣 體的BTBAS氣體或03氣體的進入，但是吸附于晶圓的氣體分子 保持原樣地通過分離區(qū)域即扇型的第3下表面部44的下方，有 助于成膜。
此外，第1空間P1的B T B A S氣體和第2空間P 2的O 3氣體欲 進入中心部區(qū)域C內，如圖10和圖14所示，第2分離氣體從中心 部區(qū)域C向旋轉臺2的周緣噴出，所以進入被第2分離氣體所阻 止，或即-使多少進入一些也凈皮吹回，阻止通過該中心部區(qū)域C 流入到第1空間P1和第2空間P2中。
然后，在第3空間D中，頂板ll的扇型的周緣部向下方彎曲， 彎曲部46和旋轉臺2的外端面之間的間隙像前文所述那樣變窄 而實質上阻止氣體的通過，所以第1空間P1的BTBAS氣體(第 2空間P2的Os氣體)經由旋轉臺2的外側流入第2空間P2 (第l 空間P1)也被阻止。所以利用2個第3空間D,第1空間P1的氣 氛氣體和第2空間P2的氣氛完全被分離，BTBAS氣體由排氣口 61排出，03氣體由排氣口62排出。結果、第1反應氣體BTBAS 氣體和第2反應氣體03氣體無論在氣氛中還在在晶圓上都不會 互相混合。另外，在該例子中，作為第2分離氣體的N2氣體被 供給到旋轉臺2的下方側，因此完全不必擔心流入排氣空間6的 氣體鉆過旋轉臺2的下方側，例如作為第1反應氣體的BTBAS 氣體流入作為第2反應氣體的03氣體的供給區(qū)域。
成膜處理后，進行包括步驟S18和S19的成膜停止工序。步 驟S18是停止從第1反應氣體供給部31和第2反應氣體供給部32 分別供給第l反應氣體和第2反應氣體的工序。步驟S19是停止 由加熱器單元7對旋轉臺和基板進行加熱，停止第l分離氣體、
39第2分離氣體、第3分離氣體和第4分離氣體的供給，停止旋轉 臺2旋轉的工序。
接著，進行步驟S20構成的第2位置校正工序。步驟S20是 用設在真空容器外側的位置檢溯'j部件，以檢測i 'j旋轉臺的被檢 測部時的旋轉位置作為基準進行旋轉臺的位置校正的工序，是 與步驟S11的第l位置校正工序相同的工序。
第2位置校正工序后，進行由步驟S21構成的輸出工序。步 驟S21是用輸送臂IO從旋轉位置被校正了的旋轉臺將基板通過 輸送口 151#出的工序。
在此，預先記載了處理參數的一個例子，在直徑為300mm 的晶圓W作為被處理基板的情況下，旋轉臺2的轉速例如為 lrpm 500rpm,處理壓力例如1067Pa ( 8Torr )、晶圓W的加 熱溫度例如是350°C , BTBAS氣體和O3氣體的流量例如分別是 100sccm和10000sccm、來自分離氣體噴嘴41、 42的N2氣體的 流量是例如20000sccm、真空容器l的中心部的來自第2分離氣 體供給部51的N2氣體的流量是例如5000sccm。而且相對于1張 晶圓W反應氣體供給的循環(huán)數、即晶圓W分別通過第1空間P1 和第2空間P2的次數根據目標膜厚而改變，但為多次例如為600 次。
采用本實施方式，將多個晶圓W配置在旋轉臺2的旋轉方 向上，使旋轉臺2旋轉而按順序通過第1空間P1和第2空間P2， 來進行所謂ALD (或MLD),因此能以高的生產率進行成膜處 理。并且，在旋轉方向設置有在第1空間P1和第2空間P2之間具 有低的頂面的第3空間D,并且從由旋轉臺2的旋轉中心部、真 空容器l劃分而成的中心部區(qū)域C將分離氣體朝著旋轉臺2的周 緣噴出，使上述反應氣體與擴散到第3空間D的兩側的分離氣 體、從中心部區(qū)域C噴出的分離氣體一起經由旋轉臺2的周緣和真空容器的內周壁之間的間隙排出，因此能防止兩反應氣體的 混合，能進行良好的成膜處理，在旋轉臺2上完全不會產生反 應生成物或盡量抑制產生反應生成物，從而抑制樣史粒的發(fā)生。
另外，本發(fā)明也能適用于將l個晶圓W載置在旋轉臺2上的情況。
作為本發(fā)明所適用的處理氣體，除了上述例子之外，能列 舉出DCS ( 二氯硅烷)、HCD (六氯乙硅烷)、TMA (trimethylaluminum:三甲基鋁)、3DMAS (三(二曱氨基) 硅烷)、TEMAZ (四(二乙基氨基)鋯)、TEMHF(四-(乙基 曱基胺基酸)-鉿)、Sr(THD)2[(雙四曱基甲基庚二酮酸)鍶]、 Ti(MPD)(THD)[(曱基庚二酮雙四甲基庚二酮酸)鈦]、單氨 基硅烷等。
以上，根據本實施方式的成膜裝置，能得到高的生產率， 防止在基板上多種反應氣體混合，能進行良好的處理，通過具 有設于旋轉臺的周緣的被檢測部和檢測被檢測部的位置檢測部
件，能位置精度良好地檢測和校正旋轉臺的旋轉位置，在真空 容器與外部之間可靠地進行基板的搬入、輸出。
此外，在本實施方式的成膜裝置中，表示釆用兩種反應氣 體的例子，然而本發(fā)明不限定于采用兩種反應氣體，也可以適 用于將3種以上的反應氣體按順序供給到基板上的情況。例如 第1反應氣體、第2反應氣體和第3反應氣體這3種氣體作為反應 氣體使用的情況下，在真空容器l的周向上以第l反應氣體供給 部、第l分離氣體供給部、第2反應氣體供給部、第l分離氣體 供給部、第3反應氣體供給部和第l分離氣體供給部這樣的順序 配置各氣體供給部，能夠配置成形成包括各氣體供給部的真空 容器l的頂板ll的下表面區(qū)域。
接著，參照圖15和圖16，說明本發(fā)明的第l實施方式的第1變形例的成膜裝置。
圖15是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的縱剖 視圖。圖16是用于說明本變形例的成膜裝置的圖，是用于說明 位置檢測部件和被檢測部的配置關系的立體圖。但是，下文中， 對在先說明的部分標注相同的附圖標記，有時省略說明(以下 的變形例、實施方式也同樣)。
本變形例的成膜裝置在被檢測部形成在旋轉臺的側周面 這一點上與第l實施方式的成膜裝置不同。
參照圖15和圖16，與在第l實施方式中被;險測部被形成在 旋轉臺的上表面的周緣不同，在本變形例中，^^企測部25a被 形成在旋轉臺2a的側周面上，激光傳感器8被配置在真空容器1 的容器主體12的側周面的外側。
如圖15和圖16所示，被檢測部25a被設在旋轉臺2a的側周 面上。被檢測部2 5 a的形狀只要能由激光傳感器8檢測到就沒有 特別限定，在本變形例中，例如是沿旋轉臺2a的旋轉軸方向形 成在4t轉臺2a的側周面的 一個部位的劃線。
被檢測部25a是沿旋轉臺2a的旋轉軸方向形成在旋轉臺2a 的側周面的劃線，因此，被檢測部25a的與旋轉臺2a的旋轉軸 垂直的截面的形狀與第1實施方式同樣是截面呈三角形狀的 槽。
如圖15和圖16所示，為了能^r測4t轉臺2a的^皮^r測部25a, 激光傳感器8被設置在旋轉臺2 a的側周面的徑向外側的位置。 激光傳感器8包括發(fā)光元件81和受光元件82這點與第l實施方 式是相同的。此外，激光傳感器8也可以不設在真空容器1的內 部，這點與第l實施方式相同，在本變形例中，如圖15和圖16 所示，激光傳感器8被設在真空容器1的容器主體12的側周面的 外側。此時，在真空容器1的容器主體12的側周面的朝向旋轉臺2a的旋轉中心投影激光傳感器8的位置上設有入射窗17a。入 射窗17a使從激光傳感器8的發(fā)光元件81發(fā)出的激光入射到旋 轉臺2a的側周面，并且使在旋轉臺2a的側周面被反射的激光入 射到激光傳感器8的受光元件82上。
另外，激光傳感器8也可以設在真空容器1的內部。這種情 況，與第l實施方式同樣能省略入射窗17a。
此外，在本變形例中，使用了激光傳感器8和被檢測部25a 的旋轉臺2a的旋轉位置的位置檢測的作用與第l實施方式相 同，例如旋轉臺2a的直徑是4) 960mm的情況下，通過在旋轉臺 2 a的側周面設有例如旋轉方向的寬度為1 m m 、旋轉軸方向的長 度5mm、深度2mm的劃線，能以士0.3mm的精度檢測和校正旋 轉位置。所以，即使將被檢測部25a設在旋轉臺2a的側周面的 情況下，也能得到與第l實施方式相同的效果。
接著，參照圖17和圖18,說明本發(fā)明的第l實施方式的第2 變形例的成膜裝置。
圖17是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的縱剖 視圖。圖18是用于說明本變形例的成膜裝置的圖，用于說明位 置檢測部件和被檢測部的配置關系的立體圖。
本變形例的成膜裝置在被檢測部被形成在旋轉臺的下表 面這一點上與第l實施方式的成膜裝置不同。
參照圖17和圖18,與在第l實施方式中輛:才全測部被形成在 旋轉臺的上表面的周緣不同，在本變形例中，^皮才全測部25b被 形成在旋轉臺2b的下表面上，激光傳感器8被配置在真空容器1 的底面部14的下側。
如圖17和圖18所示，被檢測部25b被設在旋轉臺2b的下表 面上。被檢測部25b的形狀只要能由激光傳感器8檢測到就沒有 特別限定，在本變形例中，例如是沿旋轉臺2b的徑向形成在旋轉臺2 b的下表面的周緣的 一 個部位的劃線。被檢測部25b是沿旋轉臺2b的旋轉軸方向形成在旋轉臺2b 下表面的劃線，因此，被檢測部25b的與旋轉臺2b的徑向垂直 的截面的形狀與第l實施方式同樣是截面呈三角形狀的槽。如圖17和圖18所示，為了能檢測旋轉臺2b的被檢測部25b, 激光傳感器8被設置在旋轉臺2 b的下表面的周緣的下側的位 置。激光傳感器8包括發(fā)光元件81和受光元件82這點與第l實施 方式是相同的。此外，激光傳感器8也可以不設在真空容器1的 內部這點與第l實施方式相同，在本變形例中，如圖17和圖18 所示，激光傳感器8被設在真空容器1的底面部14的下側。此時， 在真空容器1的底面部14的與旋轉臺2b的旋轉軸平行地投影激 光傳感器8的位置上設有入射窗17b。入射窗17b使由激光傳感 器8的發(fā)光元件81發(fā)出的激光入射到旋轉臺2b的下表面，并且 使在旋轉臺2b的下表面被反射的激光入射到激光傳感器8的受 光元件82上。另外，激光傳感器8也可以設在真空容器1的內部。這種情 況，與第l實施方式同樣地能夠省略入射窗17b。此外，在本變形例中，使用了激光傳感器8和被檢測部25b 的旋轉臺2b的旋轉位置的位置檢測的作用與第l實施方式相 同，例如旋轉臺2b的直徑是cJ)960mm的情況下，通過在旋轉臺 2b的下表面的周緣設有例如旋轉方向的寬度為lmm、徑向的長 度5mm、深度2mm的劃線，能以士0.3mm的精度檢測和校正旋 轉位置。所以，即使將被檢測部25b設在旋轉臺2b下表面的情 況下，也能得到與第l實施方式相同的效果。接著，參照圖19~圖21B,說明本發(fā)明的第l實施方式的第 3變形例的成膜裝置。圖19是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的縱剖44視圖。圖20是用于說明本變形例的成膜裝置的圖，是用于說明位置檢測部件和被檢測部的配置關系的立體圖。圖21A和圖 21B是示意性地表示在本變形例的成膜裝置中的位置檢測部件 的動作的剖視圖。圖21A表示未檢測到被^r測部的狀態(tài)，圖21B 表示4全測到祐:4企測部的狀態(tài)。本變形例的成膜裝置在被檢測部是通孔這一點上與第l實 施方式的成膜裝置不同。參照圖19 ~圖21B,與在第l實施方式中被檢測部是旋轉臺 的徑向的劃線不同，在本變形例中，^皮^r測部25c是通孔。如圖19和圖20所示，被4企測部25c一皮設于旋轉臺2c的上表 面的周緣。被檢測部25c是貫穿上表面和下表面的通孔，具有 圓筒狀的形狀。被檢測部25c由于是被設于旋轉臺2c的上表面的周緣的通 孔，所以如圖21A和圖21B所示，被檢測部25c的與旋轉臺2c的 徑向垂直的截面的形狀具有切成矩形形狀的空間。如圖19所示，激光傳感器8被設在真空容器1的頂板11的上 側和入射窗17被設在頂板11的與旋轉臺2 c的旋轉軸平行地投 影激光傳感器8的位置，與第l實施方式相同。在此，用圖21A和圖21B說明本變形例的成膜裝置中的使 用了激光傳感器8和被檢測部25c的旋轉臺2c的旋轉位置的位 置檢測的作用。如圖21A所示，與第l實施方式同樣，激光傳感器8在激光 被入射到不是被檢測部25c的位置的情況下，位置被調整成幾 乎所有的反射光被受光元件82反射。將這種情況下的受光元件 82的受光量為E3。另一方面，如圖21B所示，旋轉臺2c旋轉移動，激光入射 到被檢測部25c時，因為被檢測部25c是通孔，所以從激光傳感器8入射來的激光無法被反射，入射到激光傳感器8的受光元件 82的光量減少。這種情況的受光元件82的受光量為E4 , E4<E3。因此，通過檢測受光量E4和E3的差，能檢測形成在旋轉 臺2c的上表面的被檢測部25c是否已通過。而且，通過以由激 光傳感器8檢測到被檢測部25c的通過時的旋轉位置作為基準， 能精度良好地校正旋轉臺2c的旋轉位置。具體來說，例如旋轉 臺2c的直徑是cj) 960mm的情況下，通過在旋轉臺2c的上表面的 周緣設有直徑為2mm的通孔，能以土0.3mm的精度檢測和校正 旋轉位置。所以，即使將通孔作為被;險測部25c而設在旋轉臺 2 c的上表面的周緣的情況下，也能得到與第1實施方式相同的 效果。另外，只要與未形成有被檢測部25c的旋轉臺2c的上表面 的部分相比，形成有被檢測部25c的旋轉臺2c的上表面的部分 所反射的反射光的量能減少即可，被檢測部25c不一定非要是 通孔，例如也可以-沒置直徑c]) 2mm、深度l 2mm的盲孔作為 被檢測部25c。接著，參照圖22，說明本發(fā)明的第l實施方式的第4變形例 的成膜裝置。圖2 2是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的縱剖視圖。本變形例的成膜裝置在位置檢測部件是攝像機這 一 點上與 第l實施方式的成膜裝置不同。參照圖22,與在第l實施方式中的位置檢測部件是激光傳 感器不同，在本變形例中，位置檢測部件是攝像機8a。與第l實施方式相同點在于，被檢測部25是設于被旋轉臺2 的上表面的周緣的徑向的劃線。但是，與第l實施方式不同，作為位置檢測部件而使用攝像機8a。作為攝像機，能夠使用公知的攝像機，例如CCD (ChargeCoupled Device )攝像機、CMOS ( Complementary Metal Oxide Semiconductor)攝像機。如圖22所示，為了能觀察旋轉臺2的被檢測部25,攝像機 8a設在旋轉臺2的上表面的周緣的上側的位置。此外，在真空 容器1的頂板11上，在由攝像機8 a能觀察旋轉臺2的被檢測部2 5 的位置上設有觀察窗17d。在此，說明本變形例的成膜裝置中的使用了攝像機8a和被 檢測部2 5的旋轉臺2的旋轉位置的檢測作用。例如，被^r測部25通過攝像機8a的觀察位置時，利用攝像 機8a接受的受光量變化，能進行旋轉位置的檢測。此外，通過 對形成有被檢測部2 5的旋轉臺2的上表面的部分的拍攝圖像與 預先記錄被檢測部25以外的旋轉臺2的上表面的部分的拍攝圖 像并記錄了旋轉臺2旋轉時的攝像機的拍攝圖像的圖像進行比 較，也能進行旋轉位置的檢測。另外，只要能利用攝像機8a所拍攝到的圖像識別即可，被 檢測部25的構成沒有特別限定，也可以是具有與其他的旋轉臺 2的部分不同形狀的構成，還可以是具有與其他的旋轉臺2的部 分不同的色彩的構成。具體來說，使用了 IOO萬像素的CCD攝像機的情況下，通 過在旋轉臺2的上表面的周緣設置例如旋轉方向的寬度lmm、 旋轉軸方向的長度5mm、深度2mm的劃線，能以士0.1mm的精 度檢測和校正旋轉位置。以上，通過使位置檢測部件為攝像機，能得到比第l實施 方式更高的位置檢測的精度的效果。接著，參照圖13、圖23 圖27C,說明本發(fā)明的第l實施方式的第5變形例的成膜裝置。首先，參照圖23 圖25B,說明本變形例的成膜裝置。圖 23是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的縱剖視圖。圖 24是用于說明本變形例的成膜裝置的圖，是用于說明位置檢測 部件和被j全測部的配置關系的立體圖。圖25A和圖25B是本變 形例的成膜裝置的旋轉臺的被檢測部附近的放大圖。圖25A是 俯視圖，圖25B是沿著旋轉臺的旋轉方向的剖視圖。本變形例的成膜裝置的作為位置檢領'J部件的激光傳感器， 在利用激光傳感器和旋轉臺的表面之間的距離的變化檢測被檢 測部這一點上與第l實施方式的成膜裝置不同。參照圖23和圖24,在第l實施方式中，測量來自激光傳感 器的發(fā)光元件的激光被旋轉臺反射而入射到激光傳感器的受光 元件的受光量，利用受光量的變化檢測被檢測部，與此不同， 在本變形例中，測量激光傳感器8b和旋轉臺2d表面之間的距 離，利用距離的變化檢測被檢測部25d。本變形例的成膜裝置的位置檢測部件和被檢測部以夕卜的 構成與第l實施形態(tài)成膜裝置相同。即，如圖23和圖24所示， 在本變形例子的成膜裝置中，真空容器l、第l反應氣體供給部 31、第2反應氣體供給部32、第1分離氣體供給部41、 42等其他 旋轉臺2d、激光傳感器8b以外的部分與第l實施方式相同，省 略說明。另一方面，在本變形例的成膜裝置中，旋轉臺2d、激 光傳感器8b與第l實施方式不同。關于旋轉臺2d,與第l實施方式相同地被設置成在真空容 器l的中心具有旋轉中心，包括殼體20、 20a、芯部21、旋轉軸 22、驅動體23、凹部24。另 一 方面，除被檢測部25d設于被旋轉臺2d的上表面的周 緣以外，與第l實施方式不同。如后所述，被檢測部25d是為了48測量激光傳感器8b和旋轉臺2d之間的距離的部分。所以，被檢 測部25d不是如第1實施方式那樣的劃線，如圖25A和圖25B所 示，包括具有距旋轉臺2d表面互不相同的高度差的第l和第2臺 階部25e、 25f。在本變形例中，如圖25A和圖25B所示，第l和 第2臺階部25e、 25f是距旋轉臺2d的上表面以各自的規(guī)定的高 度差T1、 T2形成的具有平坦底面的凹部。
此外，第l和第2臺階部25e、 25f沿著旋轉臺2d的旋轉方向， 互相前后相接地設置。此外，第2臺階部25f沿著旋轉臺2d的旋 轉方向與第l臺階部25e的后方相接地設置的情況下，第2臺階 部25f距旋轉臺2d的上表面的高度差T2比第l臺階部25e距旋轉 臺2d的上表面的高度差Tl大，即能設置成T2〉T1。高度差T1、 T2的值沒有特別地限定，然而，作為一個例子，能夠分別設為 3mm左右、6mm左右。
另外，第l和第2臺階部25e、 25f也可以沿著旋轉臺2d的旋 轉方向設在互相前后接近的部位。此外，第l和第2臺階部25e、 25f也可以以臺階T1、 T2從旋轉臺2d的上表面向上方突出的凸 部。此外，第l和第2臺階部25e、 25f無所謂是凹部、凸部，只 要高度差T1、 T2之間有大小關系就好，也能是T2〈T1。
如圖23和圖24所示，與第l實施方式相同點在于，為了能 檢測旋轉臺2d的被檢測部25d，激光傳感器8b被設在旋轉臺2d 的上表面的周緣上側的位置。如圖23和圖24所示，激光傳感器 8 b與第1實施方式同樣地被設在真空容器1的頂板11的上側，在 真空容器1的頂板ll上的與旋轉臺2d的旋轉軸平行地投影激光 傳感器8b的位置上設有入射窗17。此外，激光傳感器8b不限定 于被設在真空容器l的外部，也能被設在真空容器l的內部。
此外，激光傳感器8b內置有未圖示的發(fā)出激光的發(fā)光元件 和未圖示的接受激光的受光元件，但與第l實施方式不同，具有測量與被測量物之間的距離的功能。關于測量激光傳感器8b
的距離的方式，沒有特別的限定，例如，能采用通過測量入射 光和反射光的相位差來測量距離的方式等。另外，只要能測量
距離，作為激光傳感器8b也可以采用任何方式。
接著，參照圖13、圖26 圖27C，說明使用了本變形例的 成膜裝置的成膜方法。圖26是說明本變形例的成膜裝置的位置 校正工序的過程的工序圖。圖27A 圖27C是示意性地表示本 變形例的成膜裝置的位置校正工序中的激光傳感器和旋轉臺的 狀態(tài)的剖視圖。
使用了本變形例的成膜裝置的成膜方法當中的、位置校正 工序以外的工序與第l實施方式的成膜裝置相同，能以與圖13 表示的成膜方法相同的工序來進行。即，關于如圖13所示的步 驟S11 步驟S21的工序中的、步驟S12 步驟S19和步驟S21, 能與第l實施方式同樣地進行。步驟S12是將基板載置在旋轉臺 2d上的載置工序。步驟S13是使旋轉臺2d旋轉的旋轉工序。步 驟S14 步驟S17是如下的工序從下側加熱旋轉臺2d,從第l 反應氣體供給部31和第2反應氣體供給部32分別供給第l反應 氣體和第2反應氣體，從第l分離氣體供給部41、 42供給被加熱 了的第l分離氣體，使基板隨著旋轉臺2d的旋轉而移動，反復 進行對基板表面供給第l反應氣體、停止供給第l反應氣體、供 給第2反應氣體和停止供給第2反應氣體而形成薄膜的成膜工 序。步驟S18和步驟S19是停止從第l反應氣體供給部31和第2 反應氣體供給部32供給第l反應氣體和第2反應氣體，停止加熱 基板，停止供給各分離氣體，停止旋轉臺2d的旋轉的成膜停止 工序。步驟S21是利用輸送臂輸出基板的輸出工序。
另 一方面，在本變形例中，作為圖13的步驟S11和步驟S20 的第l和第2位置4交正工序與第l實施方式的位置校正工序和方
50法不同。即，如圖26所示，本變形例的位置校正工序具有步驟 S31 ~步驟S36的工序。此外，本變形例的位置校正工序是如下 的工序在使旋轉臺2d以高速旋轉的狀態(tài)下使用第l臺階部25e 大致定位旋轉位置，接著在使旋轉臺2d以低速旋轉的狀態(tài)下使 用第2臺階部25f精密地定位旋轉位置。
首先，進行步驟S31。步驟S31是以規(guī)定的轉速V使旋轉工 作臺2d旋轉的工序。步驟S31的旋轉臺2d的轉速V為第l轉速 VI。作為V1的值，沒有特別的限定，但是例如能設為lrpm左 右。并且，Vl的值為lrpm左右的情況下、第l臺階部25e的旋 轉方向的長度例如為30mm左右。
接著，進行步驟S32。步驟S32是判斷利用激光傳感器8b 是否檢測到旋轉臺2d的第l臺階部25e的工序。具體來說，由激 光傳感器8b測量激光傳感器8b和旋轉臺2d的表面之間的距離， 判斷測量的距離是否從旋轉臺2d的上表面的規(guī)定的值變化為 超過了與高度差T1相對應地預先設定的臨界值。判斷結果，若 未檢測到旋轉臺2d的第1臺階部25e,則再次重復進行由激光傳 感器8 b測量激光傳感器8 b和旋轉臺2 d表面之間的距離和判斷。
圖27A表示如下狀態(tài)旋轉臺2d以轉速V二Vl旋轉，來自激 光傳感器8b的入射光入射到第l臺階部25e的跟前的旋轉臺2d 的上表面上，步驟S32的判斷結果判斷為未檢測到旋轉臺2d的 第l臺階部25e。
步驟S32的判斷結果在判斷為檢測到旋轉臺2d的第1臺階 部25e的情況下，進入到步驟S33。步驟S33是使旋轉臺2d從第 1轉速V1減速的工序。減速后的轉速為第2轉速V2，步驟S33 是使旋轉臺2d以比第1轉速V1慢的第2轉速V2旋轉的工序。即， V2<V1。作為V2的值，沒有特別的限定，例如能設為0.1rpm 左右。而且，在V2的值為0.1rpm左右的情況下、第2臺階部25f的旋轉方向的長度例如能設為10mm左右。
接著，進行步驟S34。步驟S34是判斷利用激光傳感器8b 是否檢測到旋轉臺2d的第2臺階部25f的工序。具體來說，由激 光傳感器8b測量激光傳感器8b和旋轉臺2d表面之間的距離，判 斷測量的距離是否從旋轉臺2d的上表面的*見定的值變化為超 過了與高度差T2相對應地預先設定的臨界值。或者也可以判斷 測量的距離是否從4全測到第l臺階部25e時的值變化為超過了 與高度差T2-T1相對應地預先設定的臨界值。判斷結果，若未 檢測到旋轉臺2d的第2臺階部25f，則再次重復進行由激光傳感 器8 b測量激光傳感器8 b和旋轉臺2 d表面之間的距離和判斷。
圖27B表示如下狀態(tài)旋轉臺2d以轉速V二V2旋轉，來自激 光傳感器8b的入射光入射到第2臺階部25f的跟前的第l臺階部 25e,步驟S34的判斷結果判斷為檢測到旋轉臺2d的第2臺階部 25f。
步驟S34的判斷結果判斷為檢測到旋轉臺2d的第2臺階部 25f的情況下，進入到步驟S35。步驟S35是停止旋轉臺2d的工 序。旋轉臺2d的轉速V是V^0。
圖27C表示旋轉臺2d停止(V=0)、來自激光傳感器8b的入 射光被入射到第2臺階部25f的狀態(tài)。
接著，進行步驟S36。步驟S36是以停止時的旋轉位置為基 準進行旋轉臺2d的位置校正的工序。通過從步驟S31進行到步 驟S35,旋轉臺2d再現性良好，在規(guī)定的位置停止。所以，例 如通過將該角度位置設為O度，能再現性良好地校正旋轉臺2d 的旋轉角。
另外，步驟S34的判斷結果只要與判斷檢測到旋轉臺2d的 第2臺階部25f大致同時完成步驟S36的位置校正即可，在步驟 S 3 5中也可以不使旋轉臺2 d的旋轉停止。采用本變形例的成膜裝置，不管真空容器內的狀態(tài)都能夠 從外部監(jiān)視旋轉角度來進行定位。此外， 一邊使旋轉臺以高速 (V=V1 )旋轉一邊用第l臺階部大致定位旋轉臺的旋轉位置
后， 一邊使旋轉臺以低速(V=V2<V1)旋轉一邊用第2臺階部 精密地定位旋轉臺的旋轉位置。所以，能縮短位置校正工序所 需時間，且能精密地進行定位。
此外，作為被4全測部的第1和第2臺階部，與第l實施方式 的第l變形例同樣地可以設在旋轉臺的側周面。這種情況下， 激光傳感器能設在真空容器的容器主體的側周面的外側。此外， 在真空容器的容器主體的側周面的朝向旋轉臺的旋轉中心投影
激光傳感器的位置設有入射窗。入射窗的位置例如能處于第1 實施方式的第l變形例中的用圖15和圖16說明的位置。
此外，作為被檢測部的第l和第2臺階部與第1實施方式的 第2變形例同樣地可以設在旋轉臺的下表面上。這種情況下， 激光傳感器能設在真空容器的底面部的下側。此外，在真空容 器的底面部的與旋轉臺的旋轉軸平行地投影激光傳感器的位置 能設有入射窗。入射窗的位置例如能處于第l實施方式的第2變 形例中的用圖17和圖18說明的位置。
此外，除了具有第l和第2臺階部之外，還可以進一步設有 用接下來的第l實施方式的第6變形例說明那樣的、檢測旋轉臺 的旋轉軸的旋轉的遮光件和光電傳感器。此時，遮光件和光電 傳感器能設置成在激光傳感器檢測第l臺階部前進行預先檢 測。通過預先并用遮光件和光電傳感器，能在位置校正工序中 使旋轉臺首先以作為比第1轉速V1快的轉速的預備轉速V0旋 轉。由此，還能夠進一步縮短位置校正工序所需的時間。
第l實施方式的第6變形例
接著，參照圖13、圖28 圖32C,說明本發(fā)明的第l實施方式的第6變形例子的成膜裝置。
首先，參照圖28 圖30B,說明本變形例的成膜裝置。圖28是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的縱剖視圖。圖29是用于說明本變形例的成膜裝置的圖，是用于說明位置檢測部件和被檢測部的配置關系的立體圖。圖30A和圖30B是本變形例的成膜裝置的旋轉臺的被檢測部附近的放大圖。圖30A是俯視圖，圖30B是沿著旋轉臺的旋轉方向的剖視圖。
本變形例的成膜裝置除了設于旋轉臺的周緣的被檢測部和與被檢測部相對應地設置的位置檢測部件之外，在具有設于旋轉臺的旋轉軸的遮光件和與遮光件相對應地設于真空容器內的光電傳感器這一點上，與第l實施方式的第5變形例的成膜裝置不同。
參照圖28，在第l實施方式的第5變形例中，與包括設于旋轉臺的周緣部的2個祐^全測部和與纟皮4全測部相對應地設置的位置4企測部件不同，在本變形例中，作為1個#皮才全測部而在旋轉臺2e的周緣設有臺階部25g,作為另 一個被檢測部而在旋轉臺2e的旋轉軸22上設有遮光件25h,與遮光件25h相對應地在真空容器l內設有光電傳感器8c。
如圖28和圖29所示，本變形例的成膜裝置的被檢測部和位置檢測部件以外的構成與第l實施方式的第5變形例的成膜裝置相同。另一方面，在本變形例的成膜裝置中，被才全測部和位置檢測部件的構成與第1實施方式的第5變形例不同。
關于旋轉臺2e，設置成在真空容器l的中心具有旋轉中心，包括殼體20、 20a、芯部21、旋轉軸22、驅動體23、凹部24,這點與第l實施方式的第5變形例相同。
另一方面，關于被檢測部，與在第l實施方式的第5變形例中的旋轉臺包括具有互不相同的高度差的2個臺階部不同，在
54本變形例中，旋轉臺2e的周緣僅設置有l(wèi)個臺階部25g。此外，替代在第l實施方式的第5變形例中設于旋轉臺的周緣的另一個臺階部，在本變形例中，如圖28所示，在旋轉臺2e的旋轉軸22設有遮光件25h,與遮光件25h相對應地設有光電傳感器8c。
臺階部25g與第l實施方式的第5變形例同樣地是為了測量激光傳感器8b和旋轉臺2e之間的距離的部分。所以，如圖30A和圖30B所示，臺階部25g是距旋轉臺2e的上表面以規(guī)定的高度差T3形成的具有平坦的底面的凹部。
如圖28和圖29所示，與第1實施方式的第5變形例同樣為了能檢測旋轉臺2e的被檢測部25e，激光傳感器8b設在旋轉臺2e的上表面的周緣的上側的位置。此外，激光傳感器8b也與第l實施方式的第5變形例同樣地具有測量與被測量物之間的距離的功能。
另一方面，遮光件25h和光電傳感器8c如下那樣設置。在自安裝于旋轉臺2e的下方的旋轉軸22離開、作為固定的位置的真空容器1的容器主體12的內壁上，設有分別能發(fā)出和接受與旋轉軸22平行的光的一組LED81a和光電二極管82a來作為光電傳感器8c。此外，以旋轉軸22轉一圏的期間內能遮擋一次由LED81 a發(fā)出的光被光電二極管82a接受的方式在旋轉軸22側周面i殳有遮光件25h。而且，遮光件25h能以在光電傳感器8c檢測到遮光件2 5 h之后激光傳感器8 b檢測臺階部2 5 g的方式沿著旋轉臺2 e的旋轉方向設置。
另外，LED81a、光電二極管82a和遮光件25h分別相當于本發(fā)明的發(fā)光元件、受光元件和遮光部。
接著，參照圖13、圖31 圖32C，說明使用了本變形例的成膜裝置的成膜方法。圖31是說明本變形例的成膜裝置的位置校正工序的工序的工序圖。此外，圖32A~圖32C是示意性地
55表示本變形例的成膜裝置的位置校正工序中的位置檢測部件和
被檢測部的狀態(tài)的包括一部分截面的圖。在圖32A 圖32C是左側表示激光傳感器8 b和旋轉臺2 e的狀態(tài)，右側表示遮光件25h和光電傳感器8c的狀態(tài)。
使用了本變形例的成膜裝置的成膜方法當中，位置校正工序以外的工序與第l實施方式的成膜裝置相同，能以與圖13所示的成膜方法相同的工序進行。
另 一方面，在本變形例中，作為圖13的步驟S11和步驟S20的第l和第2位置校正工序與第l實施方式的位置校正工序和方法不同。即，如圖31所示，本變形例的位置校正工序具有步驟S41 ~步驟S46的工序。此外，本變形例的位置校正工序在使旋轉臺2e以高速旋轉的狀態(tài)下，采用遮光件25h和光電傳感器8c大致定位旋轉臺的旋轉位置，接著在使旋轉臺2e以低速旋轉的狀態(tài)下，采用臺階部25g和激光傳感器8b精密地定位旋轉臺的旋轉位置。
首先，進行步驟S41。步驟S41是以規(guī)定的轉速V使旋轉臺2e旋轉的工序。步驟S41的旋轉臺2e的轉速V為第l轉速Vl。作為VI的值沒有特別的限定，例如能為lrpm左右。
接著，進行步驟S42。步驟S42是利用光電傳感器判斷是否檢測到遮光件25h的工序。具體來說，測量光電傳感器8c的光電二極管82a的受光量，判斷受光量是否從LED81a和光電二極管82a之間未被遮光件25h遮擋的狀態(tài)的光電傳感器8c的受光量的值變化為超過了與LED81a和光電二極管82a之間被遮光件25h遮擋的狀態(tài)相對應地預先設定的臨界值。判斷結果，若由光電傳感器8c未檢測到遮光件25h,則再次重復進行光電傳感器8c的光電二極管82a的受光量的測量和判斷。
圖32A表示旋轉臺2e以轉速V^Vl旋轉的狀態(tài)。來自激光傳
56感器8b的入射光入射到臺階部25g的跟前的旋轉臺2e的上表面。遮光件25h未遮擋光電傳感器8c的LED81a和光電二極管82a之間。步驟S42判斷為光電傳感器8c還未檢測到遮光件25h。
步驟S42的判斷結果在判斷為光電傳感器8c檢測到了遮光件25h的情況下，進入到步驟S43。步驟S43是使旋轉臺2e從第1轉速V1減速到第2轉速V2 (<V1)的工序。
接著，進行步驟S44。步驟S44是判斷利用激光傳感器8b是否檢測到旋轉臺2e的臺階部25g的工序。具體來說，由激光傳感器8b測量激光傳感器8b和旋轉臺2e的表面之間的距離，判斷測量的距離是否從旋轉臺2e的上表面的規(guī)定的值變化為超過了與高度差T3相對應地預先設定的臨界值。判斷結果，若未檢測到旋轉臺2e的臺階部25g，則再次重復進行由激光傳感器8b測量激光傳感器8b和旋轉臺2e的表面之間的距離和判斷。
圖32B表示旋轉臺2e以轉速V二V2旋轉的狀態(tài)。來自激光傳感器8b的入射光入射到臺階部25g的跟前的旋轉臺2e的上表面。遮光件25h遮擋在光電傳感器8c的LED81a和光電二極管82a之間。步驟S44判斷為還未檢測到旋轉臺2e的臺階部25g。
步驟S44的判斷結果判斷為檢測到旋轉臺2e的臺階部25g的情況下，進入到步驟S45。步驟S45是停止旋轉臺2e的工序。旋轉臺2e的轉速V是V二0。
圖32C表示旋轉臺2e停止(V=0)的狀態(tài)。來自激光傳感器8b的入射光被入射到臺階部25g。遮光件25h遮擋在光電傳感器8c的LED81a和光電二極管82a之間。
接著，進行步驟S46。步驟S46是以停止時的旋轉位置為基準進行旋轉臺2e的位置校正的工序。通過從步驟S41進行到步驟S45,旋轉臺2e再現性良好，在規(guī)定的位置停止。例如該角度位置為O度，能再現性良好地校正旋轉臺2e的旋轉角。
另外，步驟S44的判斷結果，在判斷為檢測到旋轉臺2e的 臺階部25g的同時能進行步驟S46的位置校正的情況下，在步驟 S45中也可以不4吏旋轉臺2e的旋轉停止。
采用本變形例的成膜裝置， 一邊使旋轉臺以高速(V=V1) 旋轉一邊采用設于旋轉臺的旋轉軸上的遮光件和光電傳感器大 致定位旋轉臺的旋轉位置后， 一邊使旋轉臺以低速(V=V2<V1 ) 旋轉一邊用臺階部和激光傳感器精密地定位旋轉臺的旋轉位 置。所以，能縮短位置校正工序所需時間，且能精密地進行定 位。
此外，作為被;險測部的臺階部與第l實施方式的第5變形例 同樣地可以設在旋轉臺的側周面或下表面。這種情況下，激光 傳感器能設在真空容器的容器主體的側周面的外側或底面部的 下側。此外，在真空容器的容器主體的側周面或底面部能設有 入射窗。
此外，在本變形例中，遮光件和光電傳感器被設在與真空 容器1的容器主體12連通的殼體20、 20a內。但是，收納旋轉軸 22的下方側的殼體20、20a既可以不與真空容器1的容器主體12 能氣密地連通，也可以將遮光件和光電傳感器設于不與真空容 器1的容器主體12能氣密地連通的殼體20、 20a內?；蛘撸€可 以將旋轉軸22設于殼體20, 20a的更下方側且延長到真空容器l 的外側，遮光件和光電傳感器設在被延長到旋轉軸22的真空容 器l的外側的部分。
接著，參照圖33,說明本發(fā)明的第1實施方式的第7變形例 的成膜裝置。
圖33是用于說明本變形例的成膜裝置的圖，是表示第3下 表面部的頂板的形狀的另 一例子的縱剖視圖。本變形例的成膜裝置與第l實施方式的成膜裝置不同點在
于，在第3空間D的頂板ll的內部沿旋轉臺2的徑向形成有第1 分離氣體的流通室47。
參照圖33,在第l實施方式中，第3下表面部配設在第1分 離氣體供給部的兩側，在與第l分離氣體供給部相對應的部分 形成槽，與此不同，在本變形例中，在第3空間D的真空容器1 的頂板ll的內部沿旋轉臺2的徑向形成有第l分離氣體的流通 室47，在流通室47的底部沿長度方向穿設有多個氣體噴出孔 40。
所以，除了流通室47之外，不需要新設置第l分離氣體供 給部，能夠得到與第l實施方式同樣的效果，并且能夠減少零 件數。
接著，參照圖34A 圖34C,說明本發(fā)明的第l實施方式的 第8變形例的成膜裝置。
圖34A 圖34C是用于說明本變形例的成膜裝置的圖，是 表示第32下表面部的頂板的下表面的形狀的另 一例子的縱剖視圖。
本變形例的成膜裝置與第1實施方式的成膜裝置不同點在 于，第3空間D的第3下表面部是曲面。
參照圖34A 圖34C，在第l實施方式中，第l分離氣體供 給的兩側的第3下表面部是平面，與此不同，在本變形例中， 第1分離氣體供給部41 (42)的兩側的第3下表面部44是曲面。
第3下表面部44只要能分離第l反應氣體和第2反應氣體， 就不限定于像第l實施方式那樣呈平面的形狀。第3下表面部44 也可以如圖34A所示那樣是凹面，也可以如圖34B所示那樣是 凸面，還可以如圖34C所示那樣是波浪型形狀。例如，為如圖 34A所示的凹面的情況下，在第3下表面部44與第1下表面部45
59或第2下表面部45a相鄰的端部能降低從旋轉臺2到第3下表面 部44的高度。因此，能更效率良好地阻止第1反應氣體和第2反 應氣體進入第3下表面部44。此外，為如圖34B所示的凸面的情 況下，在與凸面的頂點相對應的第3下表面部44能降低從旋轉 臺2到第3下表面部44的高度。因此，能更效率良好地阻止第l 反應氣體和第2反應氣體進入第3下表面部44。此外，為如圖34C 所示的波浪型形狀的情況下，能設有多個如圖34B所示那樣的 凸面的頂點。因此，能更效率良好地阻止第l反應氣體和第2反 應氣體進入第3下表面部44。
另外，第3下表面部44被形成在頂板11的下表面。但是， 也可以具有在與頂板11不同的構件的下表面形成與第3下表面 44相同的形狀，而在頂板ll上安裝該不同的構件的構成。
接著，參照圖35A 圖35C，說明本發(fā)明的第l實施方式的 第9變形例的成膜裝置。
圖35A 圖35C是用于說明本變形例的成膜裝置的圖，是
視圖。此外，圖35D 圖35G是用于說明本變形例的成膜裝置 的圖，是表示第3下表面部的形狀的另 一例子的仰視圖。另夕卜， 在圖35A 圖35C中，表示第3下表面部44和噴出孔33的配置位置。
本變形例的成膜裝置與第1實施方式的成膜裝置不同點在 于，形成在第l分離氣體供給部的噴出孔未自旋轉臺2的周緣向 旋轉中心呈直線狀排列。
參照圖35A 圖35C,在本變形例中，將形成在第l分離氣 體供給部的噴出孔33構成為與配置成從旋轉臺2的周緣向旋轉 中心呈直線狀排列的構成不同。只要噴出孔33能均勻地將第1 分離氣體供給到基板上，就不限定于像第l實施方式那樣從旋轉臺2的周緣向旋轉中心呈直線狀排列配置的構成。能將噴出
孔33構成為像以下那樣配置。
在如圖35A所示的構成中，由具有相對于旋轉臺2的直徑傾 斜的長方形形狀的多個狹縫構成的噴出孔3 3沿旋轉臺2的徑向 隔有規(guī)定間隔地配置。此外，在如圖35B所示的構成中，具有 圓形形狀的多個噴出孔33被蜿蜒配置。此外，在如圖35C所示 的構成中，由具有圓弧形狀的多個狹縫構成的噴出孔33相對于 旋轉臺2的旋轉中心同心配置。
第3下表面部44也可以是空心的，也可以是在空心內導入 第l分離氣體的構成。即使在該構成的情況下，也能夠將多個 噴出孔33如圖35A 圖35C所示那樣配置。
此外，在本變形例中，第3下表面部44具有大致扇形的上 表面形狀。但是，如圖35D所示，也能設為具有長方形或正方 形的上表面形狀的構成。此外、如圖35E所示，第3下表面部44 也能設為其上表面的整體是扇形，具有彎曲成凹狀的側面4 4 S c 的構成。此外，如圖35F所示，第3下表面部44也能設為其上表 面的整體是扇形，具有彎曲成凸狀的側面44Sv的構成。此外， 如圖35G所示，也可以是如下構成第3下表面部44的旋轉臺2 (圖1 )的;^走轉方向的上游側的部分也能具有凹狀的側面44Sc, 第3下表面部44的旋轉臺2 (圖l)的旋轉方向的下游側的部分 也能具有平面狀的側面44Sf。另外，在圖35D 圖35G中，虛 線表示形成于第3下表面部44的槽部43。在這些構成中，收納 于槽部43的第l分離氣體供給部41、 42 (圖2)從真空容器l的 中央部、例如突出部53 (圖l)伸出。
通過這樣配置噴出孔33,第l分離氣體更加均勻地被供給 到第3下表面部44，因此能更加效率良好地阻止第l反應氣體和 第2反應氣體進入第3下表面部44。
61接著，參照圖36,說明本發(fā)明的第l實施方式的第IO變形 例的成膜裝置。
圖3 6是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的橫截 俯視圖。此外，圖36是真空容器1的頂板11被分離的狀態(tài)的俯 視圖。
本變形例的成膜裝置與第1實施方式的成膜裝置不同點在 于，第2反應氣體供給部設置在輸送口的旋轉臺的旋轉方向上 ;摔側。
參照圖36,與在第1實施方式中第2反應氣體供給部設置在 輸送口的旋轉臺的旋轉方向下游側不同，在本變形例中，第2 反應氣體供給部32設置在輸送口 15的旋轉臺2的旋轉方向上游側。
即使這樣的布局也能更加效率良好地分離第l反應氣體和 第2反應氣體，并且能阻止第l分離氣體進入第l下表面部45和 第2下表面部45a,因此，在第l下表面部45和第2下表面部45a 中，能更加效率良好地分別將第l反應氣體和第2反應氣體供給 到晶圓上。
接著，參照圖37，說明本發(fā)明的第l實施方式的第ll變形 例的成膜裝置。
圖3 7是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的橫截 俯視圖。圖37表示在比第l下表面部45和第2下表面部低且比第 l分離氣體供給部41、 42高的位置水平地切斷真空容器1的頂板 11。
本變形例的成膜裝置與第l實施方式的成膜裝置不同點在 于，第3下表面部沿周向分割成兩個部分，在兩個部分之間設 有第l分離氣體供給部。
參照圖37,與在第l實施方式中的第3下表面部的所有的部分從旋轉臺到頂板的下表面的高度相同這一點不同，在本變形
例中，包括包含第l分離氣體供給部41、 42并設在高于距旋 轉臺2的距離為第3高度H3的位置的第3下表面部44a;以及與 第3下表面部44a相鄰并設在距旋轉臺2的距離為第3高度H3的 位置的第3下表面部44b。
通過設置這樣的區(qū)域，能更加效率良好地分離第l反應氣 體和第2反應氣體，并且能阻止第l分離氣體進入第l下表面部 45和第2下表面部45a，因此，在第l下表面部45和第2下表面部 45a中，能更加效率良好地分別將第l反應氣體和第2反應氣體 供給到晶圓上。
此外，能通過考慮第l反應氣體、第2反應氣體和第1分離 氣體的噴出流量等來最佳地設計第3下表面部44b和第l分離氣 體供給部41、 42之間的距離、第3下表面部44b的形狀和大小。
接著，參照圖38,說明本發(fā)明的第l實施方式的第12變形 例的成膜裝置。
圖3 8是示意性地表示本變形例的成膜裝置的立體圖。
本變形例的成膜裝置與第1實施方式的成膜裝置不同點在 于，替代第2下表面部，包括第6下表面部和第7下表面部。
參照圖38，與在第l實施方式中的第2下表面部的所有的部 分的從旋轉臺到真空容器的頂板的下表面的高度相同這一點不 同，在本變形例中，替代第2下表面部，包括包含第2反應氣 體供給部32并設在距旋轉臺2低于第2高度H2的位置的第6下 表面部45b;以及與第6下表面部45b相鄰并設在距旋轉臺2的距 離為第2高度H2的位置的第7下表面部45a。
所以，第6下表面部45b除了替代第l分離氣體供給部41或 42而設有第2反應氣體供給部32以外，與第3下表面部44完全相 同。
63這樣，通過設置第6下表面部45b,能更加效率良好地分離 第1反應氣體和第2反應氣體，并且能阻止第l分離氣體和第l反 應氣體進入第6下表面部45b,因此，在第6下表面部45b中，能 更加效率好地將第2反應氣體供給到晶圓上。
另外，第6下表面部45b也可以與如圖35A 圖35C所示的 空心的第3下表面部44同樣地構成。
此外、在本變形例中，替代第2下表面部而包括第6下表面 部和第7下表面部，但是也可以替代第l下表面部而包括包含第 l反應氣體供給部并設在距旋轉臺低于第1高度H1的位置的第4 下表面部；以及與第4下表面部相鄰并設在距旋轉臺的距離為 第1高度H1的位置的第5下表面部。通過設有第4下表面部，也 能更加效率良好地分離第l反應氣體和第2反應氣體，并且阻止 第1分離氣體和第1反應氣體進入第4下表面部，因此，在第4下 表面部中能夠更加效率良好地將第l反應氣體供給到晶圓上。
接著，參照圖39,說明本發(fā)明的第l實施方式的第13變形 例的成膜裝置。
圖39是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的橫截 俯視圖。此外，圖39是真空容器的頂板被分離的狀態(tài)的俯視圖。
本變形例的成膜裝置與第l實施方式的成膜裝置不同點在 于，在第l反應氣體供給部和第2反應氣體供給部的兩側還設置 較低的頂部。
參照圖39,與在第l實施方式中為了在第l分離氣體供給部 的兩側形成狹窄的空間而設有作為低于第l下表面部和第2下 表面部的頂面的第3下表面這一點不同，在本變形例中，第l反 應氣體供給部31和第2反應氣體供給部32的兩側還設有作為與 第3下表面部同樣低的頂面的第3下表面部44c 44f，這些第3 下表面部44c 44f連續(xù)地構成。如圖39所示，設有第l分離氣體供給部41 ( 42 )、第l反應 氣體供給部31和第2反應氣體供給部32的區(qū)域以外，具有在與 旋轉臺2相對的區(qū)域整個面設有第3下表面部的構成。該構成的 另一種解釋為，是第1分離氣體供給部41 (42)的兩側的第3 下表面部44擴大到第l和第2反應氣體供給部31、 32的例子。在 這種情況下，第1分離氣體擴散到第1分離氣體供給部41 (42) 的兩側，第l反應氣體和第2反應氣體擴散到第l反應氣體供給 部31和第2反應氣體供給部32的兩側，兩氣體在第3下表面部 44c ~ 44f的下方側JL第3下*面部44c ~ 44f禾口S走專爭臺2《間的 空間(狹窄的空間)合流，但是這些氣體從位于第l (第2)反 應氣體供給部31 ( 32 )和第l分離氣體供給部42 ( 41 )之間的 排氣口61(62)排出。這樣，在本變形例中也能夠獲得與第l實 施方式相同的效果。
另外，通過組合如圖35A 圖35C所示的空心的下表面部 來構成第3下表面部44c 44f,也可以不用第l反應氣體供給部 31、第2反應氣體供給部32、第1分離氣體供給部41、 42而將第 l反應氣體、第2反應氣體和分離氣體從相對應的空心的第3下 表面部44c 44f的噴出孑L33分另'J噴出。
接著，參照圖40,說明本發(fā)明的第l實施方式的第14變形 例的成膜裝置。
圖40是示意性地表示本變形例的成膜裝置的構成的縱剖 視圖。
本變形例的成膜裝置與第l實施方式的成膜裝置不同點在 于，在真空容器的中心部使支柱介于真空容器的底面部和頂板
之間來防止反應氣體混合。
參照圖40，與在第l實施方式中的旋轉臺的旋轉軸被設在 真空容器的中心部而分離氣體被供給到旋轉臺的中心部和頂板之間的空間這一點不同，在本變形例中，凹部80a^l形成在真 空容器l的中央區(qū)域的上表面上，在真空容器l的中心部，支柱 8lb設在收納空間80的底部和凹部80a的上表面之間。
如圖40所示，真空容器1的中央區(qū)域的底面部14向下方側 突出，形成驅動部的收納空間80,并且在真空容器l的中央區(qū) 域的上表面形成有凹部80a,通過在真空容器l的中心部使支柱 81b介于收納空間80的底部和凹部80a的上表面之間，防止來自 第1反應氣體供給部31的BTBAS氣體和來自第2反應氣體供給 部32的03氣體經由中心部互相混合。
關于使旋轉臺2旋轉的機構，以圍著支柱80b地設有旋轉套 筒82b，沿著該旋轉套筒82b設有環(huán)狀的旋轉臺2。然后，在收 納空間80中設置由電動機83驅動的驅動齒輪部84、 85,利用該 驅動齒輪部84、 85使旋轉套筒82b旋轉。86、 87、 88是軸承部。 而且，在收納空間80的底部上連接有供給第3分離氣體的第3分 離氣體供給部72，并且在真空容器l的上部連接有用于將第2分 離氣體供給到凹部80a的側面和旋轉套筒82b的上端部之間的 空間的第2分離氣體供給部51。在圖40中，用于將第2分離氣體 供給到凹部80a的側面和旋轉套筒82b的上端部之間的空間的 開口部51a記載有左右2處，但為了使BTBAS氣體和03氣體不 經由旋轉套筒8 2 b的附近區(qū)域而相互混合，所以優(yōu)選對開口部 51a (第2分離氣體供給部51)的排列數進行設計。
此外，在圖40的變形例中，乂人旋轉臺2 —側來看，凹部80a 的側面和旋轉套筒82b的上端部之間的空間相當于分離氣體噴 出孔，而且由該分離氣體噴出孔、旋轉套筒82b和支柱81b構成 位于真空容器l的中心部的中心部區(qū)域C。
接著，參照圖41,說明本發(fā)明的第2實施方式的基板處理 裝置。
66圖41是示意性地表示本實施方式的基板處理裝置的構成 的俯視圖。
如圖41所示，本實施方式的基板處理裝置包括輸送容器 101、大氣輸送室102、輸送臂103、加載互鎖真空室104、 105 (相當于本發(fā)明的預備真空室)、真空輸送室106、輸送臂107、 成膜裝置108、 109。
輸送容器IOI是例如被稱為收納25張晶圓的前開式晶圓傳 送盒的封閉型的輸送容器。大氣輸送室102是配置有輸送臂103 的大氣輸送室。加載互鎖真空室104、 105能在大氣氣氛和真空 氣氛之間切換氣氛。真空輸送室106是配置有2個輸送臂107的 真空輸送室。成膜裝置108, 109是本發(fā)明的第1實施方式的成 膜裝置。
輸送容器101是被從外部輸送到包括未圖示的載置臺的搬 入輸出部而設置的。輸送容器101被設置后，由未圖示的開閉 機構打開大氣輸送室102的蓋，由輸送臂103從輸送容器101內 取出晶圓。從輸送容器101內取出的晶圓被搬進加載互鎖真空 室104或105內。接著，加載互鎖真空室104或105的內部從大 氣氣氛被切換成真空氣氛。接著，晶圓由輸送臂107自加載互 鎖真空室104或105取出，搬入成膜裝置108或109中。之后， 在成膜裝置108或109中通過進行前文所述的成膜方法來實施 成膜處理。
在本實施方式中，通過具有多個例如2個本發(fā)明的第1實施 方式的例如5張?zhí)幚碛玫某赡ぱb置，能以高的生產率實施ALD 或MLD的成膜處理。
此外，在本實施方式中，使用了本發(fā)明的第l實施方式的 成膜裝置108、 109,所以通過在成膜裝置中設有設于旋轉臺的 周緣的祐:#r測部和用于#r測被檢測部的位置#r測部件，能位置精度良好地檢測和校正旋轉臺的旋轉位置，能夠在真空容器與 外部之間可靠地進行基板的搬入、輸出。
以上，記述了本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，但是本發(fā)明并不限 定于該特定的實施方式，在權利要求書記載的本發(fā)明要旨的范 圍內可以進行各種的變形、變更。
權利要求
1.一種成膜裝置，其在真空容器內將包括第1反應氣體和第2反應氣體的至少兩種原料氣體按順序供給并且進行上述至少兩種上述原料氣體按順序供給的供給循環(huán)，從而形成薄膜，其特征在于，包括旋轉臺，能旋轉地設于上述真空容器內，具有載置基板的基板載置部；第1反應氣體供給部和第2反應氣體供給部，為了供給上述第1反應氣體和上述第2反應氣體，分別從上述旋轉臺的周緣的互相不同的位置朝向旋轉中心設置；第1分離氣體供給部，為了供給分離上述第1反應氣體和上述第2反應氣體的第1分離氣體，從上述第1反應氣體供給部和上述第2反應氣體供給部之間的上述旋轉臺的周緣位置朝向旋轉中心設置；第1下表面區(qū)域，其是包括上述第1反應氣體供給部的上述真空容器的頂板的下表面，設于距上述旋轉臺的距離為第1高度的位置；第1空間，其形成在上述第1下表面區(qū)域和上述旋轉臺之間；第2下表面區(qū)域，其是包括上述第2反應氣體供給部的上述頂板的下表面，設于距上述旋轉臺的距離為第2高度的離開上述第1下表面區(qū)域的位置；第2空間，其形成在上述第2下表面區(qū)域和上述旋轉臺之間；第3下表面區(qū)域，其是包括上述第1分離氣體供給部并沿著上述旋轉臺的旋轉方向位于上述第1分離氣體供給部的兩側的上述頂板的下表面，設于距上述旋轉臺低于上述第1高度和上述第2高度的第3高度的位置；狹窄的第3空間，其形成在上述第3下表面區(qū)域和上述旋轉臺之間，具有供從上述第1分離氣體供給部供給來的上述第1分離氣體在上述第1空間和上述第2空間中流動的上述第3高度；位置檢測部件，用于檢測上述旋轉臺的旋轉位置；被檢測部，其設于上述旋轉臺的周緣，被上述位置檢測部件檢測；中心部區(qū)域，其是上述頂板的下表面，設有第2分離氣體供給部，該第2分離氣體供給部用于將分離上述第1反應氣體和上述第2反應氣體的第2分離氣體供給到上述旋轉臺的旋轉中心的上述基板載置部側；排出口，用于將上述第1反應氣體和上述第2反應氣體與噴出到上述第3空間的兩側的上述第1分離氣體和自上述中心部區(qū)域噴出的上述第2分離氣體一起排出。
2. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，上述位置檢測部件是激光傳感器。
3. 根據權利要求2所述的成膜裝置，其特征在于，上述激光傳感器通過該激光傳感器和上述旋轉臺的表面之間的距離的變化來4全測上述#皮檢測部。
4. 根據權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于，上述被檢測部包括設于上述旋轉臺的表面、距該表面具有互相不同的高度差的第l和第2臺階部，上述第2臺階部沿著上述旋轉臺的上述旋轉方向而與上述第l臺階部的后方相接地設置。
5. 根據權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于，上述位置;f企測部件還包括具有發(fā)光元件和受光元件、檢測上述旋轉臺的旋轉軸的旋轉位置的光電傳感器；設在上述旋轉軸的側周面、通過在上述發(fā)光元件和上述受光元件之間進行遮光而被上述光電傳感器4全測的遮光部。
6. 根據權利要求5所述的成膜裝置，其特征在于，上述祐:檢測部設于上述旋轉臺的表面、包括距該表面具有高度差的臺階部。
7. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，上述被檢測部是被設在上述旋轉臺的上表面的周緣側的徑向的劃線。
8. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，在上述旋轉臺的旋轉中心的下側具有用于供給將上述第1反應氣體和上述第2反應氣體分離的第3分離氣體的第3分離氣體供給部。
9. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，在上述真空容器的底面和上述旋轉臺之間具有供給將上述第l反應氣體和上述第2反應氣體分離的第4分離氣體的第4分離氣體供給部。
10. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，替代上述第l下表面區(qū)域，包括包含上述第l反應氣體供給部并設在距上述旋轉臺低于上述第l高度的位置的第4下表面區(qū)域；與上述第4下表面區(qū)域相鄰并設在距上述旋轉臺的距離為上述第l高度的位置的第5下表面區(qū)域。
11. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，替代上述第2下表面區(qū)域，包括包含上述第2反應氣體供給部并設在距上述旋轉臺低于上述第2高度的位置的第6下表面區(qū)域；與上述第6下表面區(qū)域相鄰并設在距上述旋轉臺的距離為上述第2高度的位置的第7下表面區(qū)域。
12. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，載置于上述基板載置部的上述基板表面是與上述旋轉臺的表面相同的高度，或上述基板的上述表面位于低于上述旋轉臺的上述表面的位置。
13. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，為了分別向上述第l反應氣體供給部、上述第2反應氣體供給部和上述第l分離氣體供給部導入氣體的氣體導入件設于上述旋轉臺的旋轉中心側或周緣側。
14. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，在上述第l分離氣體供給部從上述旋轉臺的旋轉中心側朝向周緣地排列有噴出孔。
15. 根據權利要求14所述的成膜裝置，其特征在于，作為上述第3下表面區(qū)域的、由該第3下表面區(qū)域所包括的上述第l分離氣體供給部的上述噴出孔劃分出的兩個區(qū)域中，載置在上述基板載置部的上述基板的中心通過的部分的沿著上述旋轉臺的旋轉方向的寬度尺寸分別為5 0 m m以上。
16. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，上述第3下表面區(qū)域的上述頂板的下表面是平面或曲面。
17. 根據權利要求l所述的成膜裝置，其特征在于，包括分別設置的上述真空容器的底面的周緣且在上述第1空間和上述第2空間的附近的第l排氣口和第2排氣口 。
18. —種基板處理裝置，其特征在于，包括權利要求l所述的成膜裝置；氣密地與上述成膜裝置連接，在內部設有基板輸送部的真空輸送室；氣密地與上述真空輸送室連接，能在真空氣氛和大氣氣氛之間切換氣氛的預備真空室。
19. 一種成膜方法，其是如下的成膜方法在真空容器中將包括第l反應氣體和第2反應氣體的至少兩種原料氣體按順序供給并執(zhí)行按順序供給上述至少兩種原料氣體的供給循環(huán)而在基板上形成薄膜時，通過使供給用于分離載置有上述基板的旋轉臺上側的上述第l反應氣體和上述第2反應氣體的第l分離的高度低于供給上述第l反應氣體和上述第2反應氣體的區(qū)域中的從上述旋轉臺的上表面到上述頂板的高度，將上述第l分離氣體供給到形成在上述旋轉臺上表面和上述頂板之間的狹窄的空間，將分離上述第1反應氣體和上述第2反應氣體的第2分離氣體供給到作為上述頂板的下表面的上述旋轉臺的旋轉中心上側的中心部區(qū)域，通過將上述第l反應氣體和上述第2反應氣體與上述第1分離氣體和上述第2分離氣體一起排出， 一邊分離并供給上述第l反應氣體和上述第2反應氣體， 一邊形成薄膜，其特征在于，包括-.校正上述旋轉臺的旋轉位置的位置校正工序；將基板載置到旋轉位置被校正了的上述旋轉臺上的載置工序；使上述旋轉臺旋轉的旋轉工序；從下側加熱上述旋轉臺，由設于上述旋轉臺的互相不同的位置的第l反應氣體供給部和第2反應氣體供給部分別供給上述第l反應氣體和上述第2反應氣體，由設于上述第l反應氣體供給部和上述第2反應氣體供給部之間的第l分離氣體供給部供給上述第l分離氣體，使上述基板隨著上述旋轉臺的旋轉而 移動，反復進行對上述基板表面供給上述第l反應氣體、停止 供給上述第l反應氣體、供給上述第2反應氣體和停止供給上述第2反應氣體，形成薄膜的成膜工序；從旋轉位置被校正了的上述旋轉臺輸出上述基板的輸出工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成膜裝置、基板處理裝置、成膜方法。該成膜裝置是在真空容器(1)內供給第1和第2反應氣體來形成薄膜的成膜裝置，包括旋轉臺；從旋轉臺的周緣朝向旋轉中心設置的第1反應氣體供給部和第2反應氣體供給部；設于第1反應氣體供給部和第2反應氣體供給部之間的第1分離氣體供給部；包括第1反應氣體供給部并具有第1高度的第1空間；包括第2反應氣體供給部并具有第2高度的第2空間；包括第1分離氣體供給部并具有比第1高度和第2高度低的高度的第3空間；檢測旋轉臺的旋轉位置的位置檢測部件；設于旋轉臺的周緣、被位置檢測部件檢測的被檢測部。
文檔編號C23C16/455GK101665919SQ20091017211
公開日2010年3月10日 申請日期2009年9月4日 優(yōu)先權日2008年9月4日
發(fā)明者加藤壽, 本間學, 相川勝芳, 羽石朋來 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社