技術(shù)編號：3435565
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明主要涉及以選擇性方式進(jìn)行的碳納米管的生長。 背景技術(shù)碳納米管(CNT)已因其較高的熱導(dǎo)率、較大的載流容量和優(yōu)異的物化 穩(wěn)定性而被提議作為新一代計(jì)算機(jī)芯片的構(gòu)件塊。不過，為了與基于硅 技術(shù)的傳統(tǒng)芯片相結(jié)合，需要高度密集(dense)且有序排列的CNT。雖 然已通過多種不同的方法制造了 CNT，但大多數(shù)的這些控制CNT生長的 努力已經(jīng)通過調(diào)節(jié)前體氣體以及它們的流速、合成壓力和溫度、外加偏 壓以及催化劑組成和尺寸而實(shí)現(xiàn)。CNT在產(chǎn)率、膜覆蓋率、密度、排列、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。