技術編號：3467057
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種快速循環(huán)流化床化學氣相沉積(CVD)制備多晶硅的設備及方法， 屬于化工。背景技術太陽能因其來源廣泛以及無污染等優(yōu)點得到廣泛的重視，被視為未來二十年人類可資利用的重要一次能源。硅材料因其原料來源豐富、性價比高，成為目前最重要的太陽能光電轉換材料，晶體硅(單晶硅/多晶硅)太陽能電池以其穩(wěn)定性高、資源豐富和無毒性成為市場的主導產品，在德、日、美等國家獲得快速推廣使用；太陽能級多晶硅材料在我國也已大規(guī)模生產。但是，隨著太陽能級多晶硅材料在我國的大規(guī)模...
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