技術(shù)編號：37755
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本實用新型涉及一種具有低反向傳輸電容抗閂鎖結(jié)構(gòu)的平面柵IGBT，本實用新型在常規(guī)方法基礎(chǔ)上對P阱注入進(jìn)行改進(jìn)，在P阱總注入劑量和總推阱時間不變的情況下采用P阱多次注入，多次推結(jié)方式，使得N+區(qū)下方P阱濃度更高，更有效的降低空穴電流流經(jīng)路徑的電阻，有效抑制IGBT器件大電流狀態(tài)下的閂鎖現(xiàn)象，電阻的降低同時可以降低通態(tài)壓降。本實用新型在JFET區(qū)上方添加一層厚度1.0-1.5μm的場氧化層，減小IGBT器件的反向傳輸電容，降低器件關(guān)斷時反向傳輸電容的放電時間，減小關(guān)斷損耗；通過減小IGBT器件的反向傳輸電容同樣...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。