技術(shù)編號：3817587
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種含硅偶聯(lián)劑的共聚物成膜樹脂(亦稱“成膜劑”)以及利用這種成膜樹脂配制而成的用于以KrF激光(248nm)、ArF激光(193nm)或者F2激光(157nm)為曝光光源的微電子光刻工藝中的有機底部防反射涂層(涂膜)(BARC)組合物。背景技術(shù) 大規(guī)模集成電路的制作需要通過光刻工藝來實現(xiàn)。在高分辨率的光刻工藝中，由于光刻膠的膜厚越來越薄，曝光過程中光線在光刻膠底層與硅片之間的衍射與反射情況越來越影響光刻圖形的質(zhì)量，導(dǎo)致光刻線條不垂直或不平整，以至...
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