技術(shù)編號(hào)：39608341
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及太陽能電池，尤其涉及一種晶硅太陽能電池及其制備方法、光伏組件和光伏系統(tǒng)。背景技術(shù)、傳統(tǒng)的晶硅太陽電池采用原子層沉積法在硅片的背面形成全覆蓋氧化鋁膜鈍化層，但由于氧化鋁膜的介電特性，需在后續(xù)工藝中通過激光開槽去除部分鈍化層，以形成部分金屬化的結(jié)構(gòu)，用于與電極導(dǎo)通。、上述的工藝過程稍顯復(fù)雜，且限制了電池光電轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)一步提高。、需要說明的是，上述內(nèi)容并不必然是現(xiàn)有技術(shù)，也不用于限制本申請(qǐng)的專利保護(hù)范圍。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶硅太陽能電池及其制備方法、光伏組件和光伏系...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。