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      晶硅太陽能電池及其制備方法、光伏組件和光伏系統(tǒng)與流程

      文檔序號(hào):39608341發(fā)布日期:2024-10-11 13:17閱讀:29來源:國知局
      晶硅太陽能電池及其制備方法、光伏組件和光伏系統(tǒng)與流程

      本申請(qǐng)涉及太陽能電池,尤其涉及一種晶硅太陽能電池及其制備方法、光伏組件和光伏系統(tǒng)。


      背景技術(shù):

      1、傳統(tǒng)的晶硅太陽電池采用原子層沉積法在硅片的背面形成全覆蓋氧化鋁膜鈍化層,但由于氧化鋁膜的介電特性,需在后續(xù)工藝中通過激光開槽去除部分鈍化層,以形成部分金屬化的結(jié)構(gòu),用于與電極導(dǎo)通。

      2、上述的工藝過程稍顯復(fù)雜,且限制了電池光電轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)一步提高。

      3、需要說明的是,上述內(nèi)容并不必然是現(xiàn)有技術(shù),也不用于限制本申請(qǐng)的專利保護(hù)范圍。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶硅太陽能電池及其制備方法、光伏組件和光伏系統(tǒng),以解決或緩解上面提出的一項(xiàng)或更多項(xiàng)技術(shù)問題。

      2、作為本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶硅太陽能電池,包括:

      3、硅片,硅片包括第一絨面;第一絨面的塔結(jié)構(gòu)包括側(cè)面和頂面,頂面為第一絨面的塔結(jié)構(gòu)的位于硅片的外側(cè)的一面;

      4、多個(gè)第一功能層,多個(gè)第一功能層依照預(yù)設(shè)的順序疊設(shè)于側(cè)面,且至少裸露頂面。

      5、在一種實(shí)施方式中,還包括第一電極,第一電極與第一絨面的頂面固定連接。

      6、在一種實(shí)施方式中,頂面的直徑大于0.5um,且小于第一電極的直徑。

      7、在一種實(shí)施方式中,多個(gè)第一功能層的高度均低于側(cè)面的高度,其高度差為0-3um。

      8、在一種實(shí)施方式中,硅片還包括第二絨面,第二絨面與第一絨面為硅片的相對(duì)的兩個(gè)面;第二絨面的表面依順序疊設(shè)有多個(gè)第二功能層。

      9、在一種實(shí)施方式中,第一絨面的塔結(jié)構(gòu)高度為第二絨面的塔結(jié)構(gòu)高度的1/10~1/3。

      10、在一種實(shí)施方式中,第一絨面的塔結(jié)構(gòu)還包括底面;底面為第一絨面的塔結(jié)構(gòu)的背離硅片的外側(cè)的一面;第一絨面的塔結(jié)構(gòu)高度與底面的直徑之比為55%~75%。

      11、在一種實(shí)施方式中,多個(gè)第一功能層包括氧化鋁膜層,氧化鋁膜層的厚度小于第一絨面的塔結(jié)構(gòu)高度的1.5%;氧化鋁膜層的折射率為1.500-1.800。

      12、作為本申請(qǐng)實(shí)施例的第二方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種硅片的制備方法,包括:

      13、獲得單晶硅片;

      14、對(duì)單晶硅片進(jìn)行雙面制絨,獲得第一絨面和第二絨面;

      15、采用激光削平第一絨面的塔尖。

      16、作為本申請(qǐng)實(shí)施例的第三方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶硅太陽能電池的制備方法,包括:

      17、獲得硅片,硅片采用上述實(shí)施例任一實(shí)施方面的制備方法制得;

      18、采用溶膠凝膠法在第一絨面的塔結(jié)構(gòu)的側(cè)面涂布氧化鋁膜的前驅(qū)體溶液,并在預(yù)設(shè)溫度下加熱,使得溶劑揮發(fā)形成氧化鋁膜層。

      19、作為本申請(qǐng)實(shí)施例的第四方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶硅太陽能電池的制備方法,包括:

      20、獲得單晶硅片;

      21、對(duì)單晶硅片進(jìn)行雙面制絨,獲得兩個(gè)絨面;

      22、將其中一個(gè)絨面作為目標(biāo)絨面,采用pecvd工藝在目標(biāo)絨面上依順序涂覆多個(gè)第一功能層;

      23、采用激光削平目標(biāo)絨面的塔尖。

      24、作為本申請(qǐng)實(shí)施例的第五方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光伏組件,光伏組件包括多個(gè)串聯(lián)和/或并聯(lián)連接的太陽能電池;其中,至少一個(gè)太陽能電池為上述實(shí)施例任一實(shí)施方面的晶硅太陽能電池;晶硅太陽能電池采用上述實(shí)施例任一實(shí)施方面的制備方法制得。

      25、作為本申請(qǐng)實(shí)施例的第六方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光伏系統(tǒng),光伏系統(tǒng)包括上述實(shí)施例任一實(shí)施方面的光伏組件。

      26、本申請(qǐng)實(shí)施例通過將第一絨面的塔結(jié)構(gòu)的頂面設(shè)置成平面,并且將多個(gè)第一功能層均涂覆于第一絨面的塔結(jié)構(gòu)的側(cè)面,保持頂面裸露,以便于與第一電極固定連接,可以增大與第一電極連接的接觸面,使得連接牢固,不易斷線,可以提高晶硅太陽能電池的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。



      技術(shù)特征:

      1.一種晶硅太陽能電池,其特征在于,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽能電池,其特征在于,還包括第一電極,所述第一電極與所述第一絨面的所述頂面固定連接。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶硅太陽能電池,其特征在于,所述頂面的直徑大于0.5um,且小于所述第一電極的直徑。

      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶硅太陽能電池,其特征在于,所述多個(gè)第一功能層的高度均低于所述側(cè)面的高度,其高度差為0-3um。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽能電池,其特征在于,所述硅片還包括第二絨面,所述第二絨面與所述第一絨面為所述硅片的相對(duì)的兩個(gè)面;所述第二絨面的表面依順序疊設(shè)有多個(gè)第二功能層。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶硅太陽能電池,其特征在于,所述第一絨面的塔結(jié)構(gòu)高度為所述第二絨面的塔結(jié)構(gòu)高度的1/10~1/3。

      7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶硅太陽能電池,其特征在于,所述第一絨面的塔結(jié)構(gòu)還包括底面;所述底面為所述第一絨面的塔結(jié)構(gòu)的背離所述硅片的外側(cè)的一面;所述第一絨面的塔結(jié)構(gòu)高度與所述底面的直徑之比為55%~75%。

      8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶硅太陽能電池,其特征在于,所述多個(gè)第一功能層包括氧化鋁層,所述氧化鋁層的厚度小于所述第一絨面的塔結(jié)構(gòu)高度的1.5%;所述氧化鋁層的折射率為1.500-1.800。

      9.一種硅片的制備方法,其特征在于,包括:

      10.一種晶硅太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括:

      11.一種晶硅太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括:

      12.一種光伏組件,其特征在于,所述光伏組件包括多個(gè)串聯(lián)和/或并聯(lián)連接的太陽能電池;其中,至少一個(gè)太陽能電池為權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的晶硅太陽能電池;所述晶硅太陽能電池采用權(quán)利要求10或11所述的制備方法制得。

      13.一種光伏系統(tǒng),其特征在于,所述光伏系統(tǒng)包括如權(quán)利要求12任所述的光伏組件。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶硅太陽能電池及其制備方法、光伏組件和光伏系統(tǒng)。其中,晶硅太陽能電池包括:硅片,硅片包括第一絨面;第一絨面的塔結(jié)構(gòu)包括側(cè)面和頂面,頂面為第一絨面的塔結(jié)構(gòu)的位于硅片的外側(cè)的一面;多個(gè)第一功能層,多個(gè)第一功能層依照預(yù)設(shè)的順序疊設(shè)于側(cè)面,且至少裸露頂面。本申請(qǐng)實(shí)施例通過將第一絨面的塔結(jié)構(gòu)的頂面設(shè)置成平面,并且將多個(gè)第一功能層均涂覆于第一絨面的塔結(jié)構(gòu)的側(cè)面,保持頂面裸露,以便于與第一電極固定連接,可以增大與第一電極連接的接觸面,使得連接牢固,不易斷線,可以提高晶硅太陽能電池的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。

      技術(shù)研發(fā)人員:李松江,夏斯陽,王榕,孟承啟,黃劍,簡磊,黃海濤,潘聞景,董龍輝,辛體偉
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:天合光能股份有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/10/10
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