技術(shù)編號：39979836
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本技術(shù)涉及電子電路領(lǐng)域，更具體地，涉及一種快速復(fù)位的mosfet緩啟電路。背景技術(shù)、mosfet管米勒效應(yīng)平臺形成的基本原理主要是mosfet管的柵極驅(qū)動過程，即驅(qū)動源對mosfet管的輸入電容(主要是柵源極電容cgs)的充放電過程；當(dāng)cgs達到門檻電壓之后，mosfet就會開始進入開通狀態(tài)；當(dāng)mosfet開通后，vds開始下降，id開始上升，此時mosfet管進入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，vgs會持續(xù)一段時間不再上升，此時id已經(jīng)達到最大，而vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，vgs又開始...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。