本技術涉及電子電路領域，更具體地，涉及一種快速復位的mosfet緩啟電路。

背景技術：

1、mosfet管米勒效應平臺形成的基本原理主要是mosfet管的柵極驅(qū)動過程，即驅(qū)動源對mosfet管的輸入電容(主要是柵源極電容cgs)的充放電過程；當cgs達到門檻電壓之后，mosfet就會開始進入開通狀態(tài)；當mosfet開通后，vds開始下降，id開始上升，此時mosfet管進入飽和區(qū)；但由于米勒效應，vgs會持續(xù)一段時間不再上升，此時id已經(jīng)達到最大，而vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，vgs又開始上升到驅(qū)動電壓的值，此時mosfet管進入電阻區(qū)，此時vds徹底降下來，開通結(jié)束。由于米勒電容的存在阻止了vgs的上升，所以在米勒平臺的這段時間里，mosfet管的損耗時間會大大增長。

2、在開關電源系統(tǒng)中，橋式類拓撲的電路結(jié)構往往會被高壓接入瞬間的高壓所以擊穿，所以需要利用到mosfet管米勒平臺的特性去延遲時間，提高米勒電容的容量。常用的緩啟動電路可以用金屬氧化物半導體場效應管為核心部件。當負載設備接入供電回路瞬間，負載設備與mosfet管串聯(lián)。mosfet管源極和漏級兩端壓降較高，導通電流的能力較低，可以抑制供電回路中電流升高過快。隨著mosfet管源極和漏級兩端壓降下降，導通電流的能力變強。當緩啟動完成之后，該mosfet管可以飽和導通，以降低mosfet管的功耗?？傊?，mos管緩啟動電路的研究背景源于電路設計中的實際需求，其應用廣泛并且不斷發(fā)展。隨著電子技術的不斷進步和應用領域的拓展，mos管緩啟動電路的研究也將繼續(xù)深入，并為電子領域的發(fā)展做出更大的貢獻。

3、在一些大功率設備上電時mosfet管的米勒平臺時間過短，不能在上電過程中起到保護作用，另外采用mosfet管緩啟動電路時，由于在電源工作時mosfet管需要重復的開關，在這樣的動作下會導致mosfet管的米勒效應大大降低，mosfet管緩啟動電路不在起作用。針對此問題，目前主要方法是人為提高mosfet管柵極和漏極的電容容量，但此方法在開關電源需要重復開通和關斷mosfet管的時候會出現(xiàn)問題，隨著開關電源的頻率越來越高，mosfet管重復開關的時間就要越快，進而就會導致mos管米勒平臺的時間大大減少。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型旨在克服上述現(xiàn)有技術的至少一種缺陷(不足)，提供一種快速復位的mosfet緩啟電路，提高電路的穩(wěn)定性。

2、本實用新型采取的技術方案是，提供一種快速復位的mosfet緩啟電路，包括mos管m6、電容c5、電容c2、電阻r14、三極管q2和二極管d4，所述電容c5的一端連接mos管m6的柵極，另一端連接mos管m6的漏極；所述電容c2的一端通過電阻r14連接三極管q2的集電極，另一端連接三極管q2的發(fā)射極，所述三極管q2的基極連接mos管m6的柵極；所述電阻r14遠離三極管q2的一端連接mos管m6的源極；所述二極管d4的陽極連接mos管m6的柵極，二極管d4的陰極連接三極管q2的發(fā)射極。

3、在本技術方案中，二極管d4的單向?qū)ㄐ苑乐闺娙輈2內(nèi)部的電流流入mos管m6；在mos管的柵極和漏極之間串聯(lián)連接電容c5，相當提高了米勒電容的值，米勒電容容值的增加會在一定程度去延長米勒平臺的時間，導致mos管的開通時間延長，對運用實際電路后面的橋式電路會起到一個保護的作用。

4、在mos管m6開通期間電容c2吸收電流，而在mos管關斷期間三極管q2導通，形成回路，釋放電容c2內(nèi)部電流。由于mos管重復開通的殘留余電會被電容c2大部分吸收掉，而在mos管關斷期間通過三極管q2釋放電容c2內(nèi)的電流，二極管d4的單向?qū)ㄐ詴沟萌龢O管q2釋放電流期間的電流流不進去mos管體內(nèi)的cgd，進而影響不了下次mos管的米勒平臺，如此提高了電路整體的穩(wěn)定性。

5、進一步的，還包括二極管d3，所述二極管d3的陽極連接mos管m6的源極，其陰極連接mos管m6的柵極，所述三極管q2的基極連接二極管d3的陰極。

6、進一步的，所述二極管d3為穩(wěn)壓二極管。

7、在本技術方案中，所述穩(wěn)壓二極管用于保持mos管柵極驅(qū)動電壓的穩(wěn)定。

8、進一步的，還包括電感l(wèi)10、電感l(wèi)11和限流電阻r1，所述mos管m6的源極、電感l(wèi)10、電感l(wèi)11、限流電阻r1和mos管m6的柵極依次連接形成回路。

9、進一步的，所述電容c5和mos管m6的漏極之間串聯(lián)有電阻r3和電阻r2。

10、進一步的，mos管m6的柵極和源極之間還連接有電阻r13。

11、進一步的，還包括電容c4，所述電容c4的一端與所述mos管m6的漏極連接，另一端與所述限流電阻r1連接。

12、進一步的，所述電容c4通過一二極管d2與所述mos管m6的漏極連接，所述二極管的陽極連接所述電容c4，其陰極連接所述mos管m6的漏極。

13、進一步的，所述mos管m6為n型mos管。

14、進一步地，所述三極管q2為pnp型三極管。

15、與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果為：本實用新型大大的提高了米勒效應在電源緩啟動電路設計的可適用性，目前的開關電源技術大都是追求高頻、高可靠、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化，所以本實用新型在一定程度上克服了開關電源高頻化帶來的問題，促進了開關電源的發(fā)展。此外，通過在mos管的漏極和柵極之間加入兩個電容去延長緩啟動的時間，使得電流或者電壓沖擊對后端電路元件的損害減少，延長電路的使用壽命，同時也有助于提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。

技術特征：

1.一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，包括mos管m6、電容c5、電容c2、電阻r14、三極管q2和二極管d4，所述電容c5的一端連接mos管m6的柵極，另一端連接mos管m6的漏極；

2.根據(jù)權利要求1所述的一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，還包括二極管d3，所述二極管d3的陽極連接mos管m6的源極，其陰極連接mos管m6的柵極，所述三極管q2的基極連接二極管d3的陰極。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，所述二極管d3為穩(wěn)壓二極管。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，還包括電感l(wèi)10、電感l(wèi)11和限流電阻r1，所述mos管m6的源極、電感l(wèi)10、電感l(wèi)11、限流電阻r1和mos管m6的柵極依次連接形成回路。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，所述電容c5和mos管m6的漏極之間串聯(lián)有電阻r3和電阻r2。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，mos管m6的柵極和源極之間還連接有電阻r13。

7.根據(jù)權利要求4所述的一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，還包括電容c4，所述電容c4的一端與所述mos管m6的漏極連接，另一端與所述限流電阻r1連接。

8.根據(jù)權利要求7所述的一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，所述電容c4通過一二極管d2與所述mos管m6的漏極連接，所述二極管的陽極連接所述電容c4，其陰極連接所述mos管m6的漏極。

9.根據(jù)權利要求1～8任一所述的一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，所述mos管m6為n型mos管。

10.根據(jù)權利要求1～8任一所述的一種快速復位的mosfet緩啟電路，其特征在于，所述三極管q2為pnp型三極管。

技術總結(jié)
本技術涉及電子電路領域，提供一種快速復位的mosfet緩啟電路，包括MOS管M6、電容C5、電容C2、電阻R14、三極管Q2和二極管D4，所述電容C5的一端連接MOS管M6的柵極，另一端連接MOS管M6的漏極；所述電容C2的一端通過電阻R14連接三極管Q2的集電極，另一端連接三極管Q2的發(fā)射極，所述三極管Q2的基極連接MOS管M6的柵極；所述電阻R14遠離三極管Q2的一端連接MOS管M6的源極；所述二極管D4的陽極連接MOS管M6的柵極，二極管D4的陰極連接三極管Q2的發(fā)射極。本技術的優(yōu)點：(1)提高了米勒效應在電源緩啟動電路設計的可適用性，(2)延長緩啟動的時間，使得電流或者電壓沖擊對后端電路元件的損害減少，延長電路的使用壽命，同時也有助于提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。

技術研發(fā)人員：陳洲,吳木榮,賀鴻
受保護的技術使用者：廣州市啟帆星電子產(chǎn)品有限公司
技術研發(fā)日：20240312
技術公布日：2024/11/14