技術編號：40238675
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開涉及半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。背景技術、半導體裝置具有在半導體基板設置有igbt(insulated?gate?bipolartransistor：絕緣柵雙極型晶體管)、二極管等半導體元件的構造。專利文獻所記載的半導體裝置具有將半導體基板與布線層連接的接觸插頭。由于接觸插頭使形成于其上部的電極平坦化，所以之后的半導體裝置的制造工序中的組裝性提高。、專利文獻：日本特開-號公報、在設置于半導體基板之上的布線或電極被平坦化的情況下，形成于其半導體基板的上表面...
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