本公開涉及半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體裝置具有在半導(dǎo)體基板設(shè)置有igbt(insulated?gate?bipolartransistor：絕緣柵雙極型晶體管)、二極管等半導(dǎo)體元件的構(gòu)造。專利文獻(xiàn)1所記載的半導(dǎo)體裝置具有將半導(dǎo)體基板與布線層連接的接觸插頭。由于接觸插頭使形成于其上部的電極平坦化，所以之后的半導(dǎo)體裝置的制造工序中的組裝性提高。

2、專利文獻(xiàn)1：日本特開2019-29581號公報(bào)

3、在設(shè)置于半導(dǎo)體基板之上的布線或電極被平坦化的情況下，形成于其半導(dǎo)體基板的上表面的各層的界面也被平坦化，因此這些層構(gòu)造經(jīng)不住橫向的應(yīng)力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開為了解決上述的課題，其目的在于提供一種維持組裝性且應(yīng)力耐量提高的半導(dǎo)體裝置。

2、本公開所涉及的半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)溝槽、多個(gè)溝槽電極、絕緣膜以及第1電極。多個(gè)溝槽設(shè)置于半導(dǎo)體基板的上表面。多個(gè)溝槽電極分別設(shè)置于多個(gè)溝槽的內(nèi)部。絕緣膜覆蓋多個(gè)溝槽電極中的兩個(gè)以上的溝槽電極。第1電極設(shè)置于絕緣膜上。絕緣膜包括開口，該開口設(shè)置于被該絕緣膜覆蓋的兩個(gè)以上的溝槽電極之間。第1電極以堵塞開口的方式設(shè)置于半導(dǎo)體基板上。多個(gè)溝槽電極的每一個(gè)的上表面包括第1凹部。絕緣膜的上表面在第1凹部的正上方包括第2凹部。第1電極的上表面在開口的正上方包括第3凹部。

3、根據(jù)本公開，提供維持組裝性且應(yīng)力耐量提高的半導(dǎo)體裝置。

4、本公開的目的、特征、方面以及優(yōu)點(diǎn)通過以下詳細(xì)的說明和所附附圖而變得更加清楚。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求3～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求1～14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求1～15中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求1～16中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

19.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，是權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

20.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，是權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

21.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，是權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本公開的目的在于，提供維持組裝性并且提高應(yīng)力耐量的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)溝槽、多個(gè)溝槽電極、絕緣膜以及第1電極。多個(gè)溝槽電極分別設(shè)置于多個(gè)溝槽的內(nèi)部。絕緣膜覆蓋多個(gè)溝槽電極中的兩個(gè)以上的溝槽電極。第1電極設(shè)置于絕緣膜之上。絕緣膜包括設(shè)置于被該絕緣膜覆蓋的兩個(gè)以上的溝槽電極之間的開口。第1電極以堵塞開口的方式設(shè)置于半導(dǎo)體基板之上。多個(gè)溝槽電極的每一個(gè)溝槽電極的上表面包括第1凹部。絕緣膜的上表面在第1凹部的正上方包括第2凹部。第1電極的上表面在開口的正上方包括第3凹部。

技術(shù)研發(fā)人員：原田健司
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5