技術(shù)編號：40238680
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)、目前的半導(dǎo)體封裝體和形成半導(dǎo)體封裝體的方法不適當(dāng)，例如，導(dǎo)致過多成本、可靠性降低或封裝大小過大。通過比較常規(guī)和傳統(tǒng)方法與如在本申請的其余部分中參考圖式闡述的本公開，此類方法的另外的限制和缺點將對所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見。技術(shù)實現(xiàn)思路、本公開的各個方面涉及一種具有光可限定和/或低損耗角正切電介質(zhì)層和晶種層的電子裝置，從所述晶種層形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電圖案、導(dǎo)電立柱等)。本公開的各個方面進(jìn)一步涉及一種用于根據(jù)制造方法制造這些電子裝置的系統(tǒng)，所述制造方法從包括具有多個半導(dǎo)體組...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。