背景技術(shù)：

1、目前的半導(dǎo)體封裝體和形成半導(dǎo)體封裝體的方法不適當(dāng)，例如，導(dǎo)致過多成本、可靠性降低或封裝大小過大。通過比較常規(guī)和傳統(tǒng)方法與如在本申請的其余部分中參考圖式闡述的本公開，此類方法的另外的限制和缺點將對所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的各個方面涉及一種具有光可限定和/或低損耗角正切電介質(zhì)層和晶種層的電子裝置，從所述晶種層形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)電圖案、導(dǎo)電立柱等)。本公開的各個方面進(jìn)一步涉及一種用于根據(jù)制造方法制造這些電子裝置的系統(tǒng)，所述制造方法從包括具有多個半導(dǎo)體組件的多個子面板的面板形成電子裝置。所述制造方法可以包含在多個子面板安裝到載體面板時對多個子面板以及其相應(yīng)的半導(dǎo)體組件執(zhí)行各種操作，以及在子面板已經(jīng)從載體面板移除之后對子面板執(zhí)行額外操作。因此，制造方法的各方面可以在面板層級處執(zhí)行，并且制造方法的其它方面可以在隨后的子面板層級處執(zhí)行。

技術(shù)特征：

1.一種電子裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述電介質(zhì)層包括光可限定干膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述電介質(zhì)層包括非光可限定的電介質(zhì)材料的干膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述電介質(zhì)層具有0.015或更小的損耗角正切。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述電介質(zhì)層在所述電介質(zhì)層頂側(cè)與所述電介質(zhì)層底側(cè)之間的厚度大于20μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，包括環(huán)繞和接觸所述半導(dǎo)體組件的組件橫向側(cè)的組件包封物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，包括環(huán)繞和接觸所述半導(dǎo)體組件的組件頂側(cè)和組件橫向側(cè)的組件包封物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述晶種層接觸所述半導(dǎo)體組件的所述互連結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于：

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述襯底在所述導(dǎo)電圖案與所述外部互連第一結(jié)構(gòu)之間沒有晶種層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子裝置，其特征在于：

14.一種方法，其特征在于，包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于：

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于：

20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體裝置及制造半導(dǎo)體裝置的方法。一種電子裝置包括襯底和耦合到所述襯底的半導(dǎo)體組件。所述襯底可以包含電介質(zhì)層、晶種層、導(dǎo)電圖案和耦合到所述導(dǎo)電圖案的外部互連第一結(jié)構(gòu)。所述電介質(zhì)層可以包含光可限定電介質(zhì)材料。所述導(dǎo)電圖案和所述外部互連第一結(jié)構(gòu)可以包含使用所述襯底的同一晶種層形成的一個或多個電鍍導(dǎo)電層。

技術(shù)研發(fā)人員：伊昂·歐多樂
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安靠科技葡萄牙公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5