技術(shù)編號(hào)：40238736
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文描述的本發(fā)明構(gòu)思的各種示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，更具體地，涉及包括多個(gè)焊盤的存儲(chǔ)器裝置和檢測(cè)該存儲(chǔ)器裝置的焊盤裂紋的方法。背景技術(shù)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以被主要分為易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器(例如dram或sram)的讀取速度和寫入速度較快，但是當(dāng)電源被關(guān)閉時(shí)，存儲(chǔ)在易失性存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)消失。相反，即使在電源被關(guān)閉時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。因此，非易失性存儲(chǔ)器可用于存儲(chǔ)無論是否被供電都必須保存的內(nèi)容。、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括當(dāng)形成封裝件時(shí)暴露于外部的多個(gè)焊盤。當(dāng)測(cè)試...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。