本文描述的本發(fā)明構思的各種示例實施例涉及半導體存儲器裝置，更具體地，涉及包括多個焊盤的存儲器裝置和檢測該存儲器裝置的焊盤裂紋的方法。

背景技術：

1、半導體存儲器可以被主要分為易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器(例如dram或sram)的讀取速度和寫入速度較快，但是當電源被關閉時，存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)消失。相反，即使在電源被關閉時，非易失性存儲器也可以保持數(shù)據(jù)。因此，非易失性存儲器可用于存儲無論是否被供電都必須保存的內(nèi)容。

2、半導體存儲器可以包括當形成封裝件時暴露于外部的多個焊盤。當測試半導體存儲器時，多個焊盤可能受到諸如探針或布線接合的各種原因的應力。當由于各種應力而在焊盤中的一個中出現(xiàn)裂紋時，半導體存儲器的操作可能受到影響。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構思的各種示例實施例提供了一種存儲器裝置和一種焊盤裂紋檢測方法，在該方法中裂紋檢測結構布置在包括在存儲器裝置中的焊盤下方，并基于發(fā)送到裂紋檢測結構的脈沖信號的延遲來檢查在焊盤中是否已經(jīng)出現(xiàn)裂紋。

2、本發(fā)明構思的一些示例實施例提供了一種存儲器裝置，包括：存儲器單元陣列；第一焊盤，其被配置為從外部裝置接收命令；第二焊盤，其被配置為與外部裝置交換數(shù)據(jù)；第三焊盤；測試邏輯，其被配置為基于通過第一焊盤接收的測試命令來產(chǎn)生測試脈沖信號；以及

3、裂紋檢測結構，其布置在第三焊盤下方并且被配置為包括從測試邏輯串聯(lián)連接到第二焊盤的線?；诋敎y試脈沖信號通過裂紋檢測結構時改變的延遲脈沖信號的延遲來檢測在第三焊盤中出現(xiàn)的裂紋。

4、本發(fā)明構思的一些示例實施例提供了一種檢測存儲器裝置中的裂紋的方法，該方法包括：將測試命令從測試裝置發(fā)送到存儲器裝置；基于測試命令產(chǎn)生測試脈沖信號；發(fā)送通過布置在測試目標焊盤下方的裂紋檢測結構的測試脈沖信號；經(jīng)由存儲器裝置的數(shù)據(jù)焊盤將已經(jīng)通過裂紋檢測結構的延遲脈沖信號輸出到測試裝置；以及比較測試脈沖信號和延遲脈沖信號，以基于延遲脈沖信號的延遲來確定測試目標焊盤是否包含裂紋。

5、本發(fā)明構思的一些示例實施例提供了一種存儲器裝置，包括：測試目標焊盤；測試邏輯，其被配置為基于從外部裝置接收的測試命令來產(chǎn)生測試脈沖信號；裂紋檢測結構，其布置在測試目標焊盤下方，并且包括橫跨測試目標焊盤串聯(lián)連接的線；以及裂紋檢測電路，其被配置為基于當測試脈沖信號通過裂紋檢測結構時改變的延遲脈沖信號的延遲來檢測在測試目標焊盤中是否出現(xiàn)裂紋。

技術特征：

1.一種存儲器裝置，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述裂紋檢測結構包括：

3.根據(jù)權利要求2所述的存儲器裝置，其中，所述第三焊盤在第一金屬層上，

4.根據(jù)權利要求2所述的存儲器裝置，其中，所述第一線部分中的每一個的長度被配置為長于所述第二線部分中的每一個的長度。

5.根據(jù)權利要求2所述的存儲器裝置，其中，所述第一線部分平行地布置并且以指定的間隔間隔開。

6.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述裂紋檢測結構包括：

7.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，其中，當所述延遲脈沖信號的延遲大于參考值時，確定在所述第三焊盤中存在裂紋。

8.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，其中，當所述延遲脈沖信號的邊緣斜率小于參考值時，確定在所述第三焊盤中存在裂紋。

9.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，還包括：

10.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置，還包括：

11.一種檢測存儲器裝置中的裂紋的方法，所述方法包括：

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，確定所述測試目標焊盤是否包含裂紋包括當所述延遲脈沖信號的延遲大于參考值時確定在所述測試目標焊盤中存在裂紋。

13.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，確定所述測試目標焊盤是否包含裂紋包括當所述延遲脈沖信號的邊緣斜率小于參考值時確定在所述測試目標焊盤中存在裂紋。

14.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，確定所述測試目標焊盤是否包含裂紋包括當所述延遲脈沖信號的延遲值偏離正態(tài)分布時確定在所述測試目標焊盤中存在裂紋。

15.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述裂紋檢測結構包括：

16.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述裂紋檢測結構包括：

17.一種存儲器裝置，包括：

18.根據(jù)權利要求17所述的存儲器裝置，還包括：

19.根據(jù)權利要求18所述的存儲器裝置，其中，所述裂紋檢測結構包括：

20.根據(jù)權利要求19所述的存儲器裝置，其中，

技術總結
公開了一種存儲器裝置和一種檢測存儲器裝置中的裂紋的方法。該存儲器裝置包括：存儲器單元陣列；第一焊盤，其被配置為從外部裝置接收命令；第二焊盤，其被配置為與外部裝置交換數(shù)據(jù)；第三焊盤；測試邏輯，其被配置為基于通過第一焊盤接收的測試命令來產(chǎn)生測試脈沖信號；以及裂紋檢測結構，其形成在第三焊盤下方，并被配置為包括從測試邏輯串聯(lián)連接到第二焊盤的線?；诋敎y試脈沖信號通過裂紋檢測結構時改變的延遲脈沖信號的延遲來檢測在第三焊盤中出現(xiàn)的裂紋。

技術研發(fā)人員：千道宗,金正旭,樸玟秀,權志錫,李碩宰
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/5