技術(shù)編號(hào)：40238744
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法。特別是，本描述涉及具有高k柵極電介質(zhì)多層層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，例如包括碳化硅(sic)主體的那些半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體的制造中，合期望的是即使隨著器件由于不斷發(fā)展的縮放而變得更小也改進(jìn)晶體管性能。由于例如短溝道效應(yīng)，利用常規(guī)的柵極電介質(zhì)的減小的縮放一般除了其它方面之外還產(chǎn)生在mos晶體管的可靠性上的問(wèn)題。可以利用高k電介質(zhì)材料來(lái)替換sio電介質(zhì)材料以改進(jìn)器件性能，因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)提供相似的等效氧化物厚度(eot)來(lái)減小電介質(zhì)的實(shí)際厚度。然而，由...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。