技術(shù)編號：40238970
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請的實施例提供了電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)、金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)電容器廣泛用于i/o信號噪聲減小。mos電容器包括用作底部電極的注入?yún)^(qū)域。注入?yún)^(qū)域可以包括高濃度的摻雜劑，以增強電容量。然而，高摻雜劑濃度可能使得mos電容器在熱工藝/處理之后具有泄漏路徑。因此，需要改進的mos電容器。技術(shù)實現(xiàn)思路、本申請的一些實施例提供了一種電容器結(jié)構(gòu)，包括：第一阱區(qū)域；第一半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一阱區(qū)域上方；第二半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上；介電層，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上，其中，所述...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。