本申請的實施例提供了電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)電容器廣泛用于i/o信號噪聲減小。mos電容器包括用作底部電極的注入?yún)^(qū)域。注入?yún)^(qū)域可以包括高濃度的摻雜劑，以增強(qiáng)電容量。然而，高摻雜劑濃度可能使得mos電容器在熱工藝/處理之后具有泄漏路徑。因此，需要改進(jìn)的mos電容器。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請的一些實施例提供了一種電容器結(jié)構(gòu)，包括：第一阱區(qū)域；第一半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一阱區(qū)域上方；第二半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上；介電層，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上，其中，所述介電層具有頂面、底面、朝向所述第二半導(dǎo)體層延伸的一個或多個突起以及所述頂面中的一個或多個開口；以及柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述介電層上。

2、本申請的另一些實施例提供了一種電容器結(jié)構(gòu)，包括：第一阱區(qū)域；半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一阱區(qū)域上方，其中，所述半導(dǎo)體層具有在從所述半導(dǎo)體層的底面至所述半導(dǎo)體層的頂面的方向上降低的n型或p型物質(zhì)的梯度濃度，并且一個或多個開口形成在所述半導(dǎo)體層的所述頂面中；介電層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上和所述一個或多個開口中；以及柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述介電層上。

3、本申請的又一些實施例提供了一種形成電容器結(jié)構(gòu)的方法，包括：在襯底中形成第一隔離區(qū)域和第二隔離區(qū)域；在所述第一隔離區(qū)域和所述第二隔離區(qū)域之間形成第一阱區(qū)域；在所述第一阱區(qū)域中形成第二阱區(qū)域；在所述第二阱區(qū)域中形成一個或多個開口；使所述第二阱區(qū)域凹進(jìn)，其中，所述一個或多個開口延伸至所述凹進(jìn)的第二阱區(qū)域中；在所述第二阱區(qū)域上和所述一個或多個開口中形成第一半導(dǎo)體層，其中，所述第一半導(dǎo)體層通過外延生長工藝來形成，并且所述第一半導(dǎo)體層具有蛇形輪廓；以及在所述第一半導(dǎo)體層上方沉積介電層，其中，所述介電層具有蛇形輪廓。

技術(shù)特征：

1.一種電容器結(jié)構(gòu)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在所述第一阱區(qū)域中的第二阱區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，所述第一阱區(qū)域和所述第二阱區(qū)域包括相同導(dǎo)電類型的摻雜劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，所述第二阱區(qū)域的摻雜劑濃度基本上大于所述第一阱區(qū)域的摻雜劑濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括第一導(dǎo)電類型的物質(zhì)，并且所述第一阱區(qū)域包括與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的摻雜劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層包括相同導(dǎo)電類型的物質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層通過外延生長工藝來形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層每個具有蛇形輪廓。

9.一種電容器結(jié)構(gòu)，包括：

10.一種形成電容器結(jié)構(gòu)的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
描述了電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法。在一些實施例中，結(jié)構(gòu)包括第一阱區(qū)域、設(shè)置在第一阱區(qū)域上方的第一半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的介電層。介電層具有頂面、底面、朝向第二半導(dǎo)體層延伸的一個或多個突起以及頂面中的一個或多個開口。結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在介電層上的柵極結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：鐘偉綸,陳重磊,鄭安皓,李建緯,林彥良,蕭茹雄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5